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シリコン材料・デバイス研究会（SDM） [schedule] [select]
専門委員長 宇佐美 達矢 (ラピダス)
副委員長 池田 浩也 (静岡大)
幹事 細井 卓治 (NIMS)， 二瀬 卓也 (ウエスタンデジタル)
幹事補佐 岡田 浩 (豊橋技科大)， 佐道 泰造 (九大)

電子デバイス研究会（ED） [schedule] [select]
専門委員長 新井 学 (名大)
副委員長 末光 哲也 (東北大学)
幹事 小山 政俊 (阪工大)， 吉田 智洋 (住友電工デバイス・イノベーション)
幹事補佐 川原村 敏幸 (高知工科大)， 佐藤 威友 (北大)

電子部品・材料研究会（CPM） [schedule] [select]
専門委員長 寺迫 智昭 (愛媛大)
副委員長 武山 真弓 (北見工大)
幹事 番場 教子 (信州大)， 中澤 日出樹 (弘前大)
幹事補佐 木村 康男 (東京工科大)， 廣瀬 文彦 (山形大)， 中村 雄一 (豊橋技科大)， 有馬 ボシールアハンマド (山形大)， 岩田 展幸 (日大)

日時 2026年 5月22日(金)　13:00 - 17:00
議題 機能性デバイス材料・作製・特性評価および関連技術 
会場名 豊橋技術科学大学 サテライトオフィス 
住所 豊橋市駅前大通２丁目81 emCAMPUS 5階
交通案内 https://www.sharen.tut.ac.jp/satellite/
会場世話人
連絡先		 豊橋技術科学大学 中村雄一
他の共催 ◆応用物理学会共催
著作権に
ついて		 以下の論文すべての著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
参加費に
ついて		 この開催は「技報完全電子化」研究会です．参加費（CPM研究会, ED研究会, SDM研究会）についてはこちらをご覧ください．

5月22日(金) 午後 
13:00 - 17:00
(1) 13:00-13:25 2次元セルオートマトンの1/fゆらぎにおける流れの効果 ED2026-1 CPM2026-1 SDM2026-7 ○白波瀬遥己・谷田部然治・葛西誠也（北大）
(2) 13:25-13:50 多元素置換型希土類鉄ガーネット膜の磁気光学特性 ED2026-2 CPM2026-2 SDM2026-8 ○中村雄一・福地俊亮（豊橋技科大）
(3) 13:50-14:15 自己発電型デバイスのためのZnOナノロッド/導電性布熱電材料の開発 ED2026-3 CPM2026-3 SDM2026-9 ○池田浩也（静岡大）・ジャナキラマン ヴィノディニ（SRM科技大）・早川泰弘（静岡大）・サンタナクリシュナン ハリシュ・マニ ナヴァニーザン（SRM科技大）・濱﨑　拡（静岡大）
(4) 14:15-14:40 Electric-Field Sensor Based on MoS2/Graphene Heterostructure for Lightning Detection ED2026-4 CPM2026-4 SDM2026-10 ○Jiali Hu（JAIST）・Takeshi Kudo・Takeshi Maruyama（OTOWA）・Hiroshi Mizuta・Masashi Akabori（JAIST）
(5) 14:40-15:05 導波路受光器応用に向けたSi上Ge選択ヘテロエピタキシャル成長の検討 ED2026-5 CPM2026-5 SDM2026-11 ○石川涼太・宮坂泰地・飛沢　健（豊橋技科大）・岡野　誠（産総研）・石川靖彦（豊橋技科大）
  15:05-15:20 休憩　（ 15分 ）
(6) 15:20-15:45 酸素プラズマに曝したGaN表面のX線光電子分光法による評価 ED2026-6 CPM2026-6 SDM2026-12 ○岩波拓海・森　琢馬・岡田　浩（豊橋技科大）
(7) 15:45-16:10 MBE成長したGaSbナノワイヤのコンタクト解析 ED2026-7 CPM2026-7 SDM2026-13 ○小松　颯・赤堀誠志（北陸先端大）
(8) 16:10-16:35 Electrical transport and contact characteristics of Co0.8Fe0.2/In1-xGaxAs ferromagnet-semiconductor structures for spintronic device applications ED2026-8 CPM2026-8 SDM2026-14 ○Md Foyshal・Yufeng Lu・Md Faysal Kabir・Jannatul Feddousy・Masashi Akabori（JAIST）
(9) 16:35-17:00 光電気化学エッチング法によりゲートリセス加工を施したAlGaN/GaNヘテロ構造トランジスタの電気的特性 ED2026-9 CPM2026-9 SDM2026-15 ○佐藤威友・勝又十勝・岡野陽樹・塩澤直生（北大）

講演時間
一般講演発表 20 分 ＋ 質疑応答 5 分

問合先と今後の予定
SDM シリコン材料・デバイス研究会（SDM）   [今後の予定はこちら]
問合先  
ED 電子デバイス研究会（ED）   [今後の予定はこちら]
問合先 小山 政俊(阪工大)
TEL: 06-6167-4810
E--mail: oit
吉田 智洋(住友電工デバイス・イノベーション)
TEL: 055-275-4412
E--mail: -i 
CPM 電子部品・材料研究会（CPM）   [今後の予定はこちら]
問合先 中村雄一 (豊橋技術科学大学)
Email: itut 


Last modified: 2026-03-18 15:23:45


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