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シリコン材料・デバイス研究会 (SDM) (検索条件: 2017年度)
「from:2017-06-20 to:2017-06-20」による検索結果
| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| SDM | 2017-06-20 13:00 |
東京 | キャンパス・イノベーションセンター東京 ５０８（AB) | ［依頼講演］シンチレータとGa2O3半導体 ○岡田 豪・臼井雄輝・河野直樹・河口範明・柳田健之（奈良先端大）  SDM2017-21 |
近年、放射線応用技術の高度化に伴い放射線検出に用いられるシンチレータにおいてより高い性能が求められている。シンチレータと... [more] | SDM2017-21 pp.1-4 |
| SDM | 2017-06-20 13:20 |
東京 | キャンパス・イノベーションセンター東京 ５０８（AB) | ［依頼講演］SOI技術を用いた量子イメージング検出器の開発 ～ 半導体で素粒子・X線を見る ～ ○新井康夫（高エネルギー加速器研究機構） SDM2017-22 |
シリコンは量子線（光子、Ｘ線、ガンマ線、電子、イオン、中性子等）を検出する為の物質として優れていると共に、エレクトロニク... [more] | SDM2017-22 pp.5-8 |
| SDM | 2017-06-20 13:40 |
東京 | キャンパス・イノベーションセンター東京 ５０８（AB) | ［依頼講演］皮膚アセトン測定に向けたWO3ナノ粒子半導体式ガスセンサの研究 ○山田祐樹・檜山 聡（NTTドコモ）・田畑 仁（東大） SDM2017-23 |
皮膚表面から放出されるアセトン（皮膚アセトン）は体脂肪の燃焼マーカーとして知られており，日常的に皮膚アセトンを測定するこ... [more] | SDM2017-23 pp.9-13 |
| SDM | 2017-06-20 14:00 |
東京 | キャンパス・イノベーションセンター東京 ５０８（AB) | ［依頼講演］ダイヤモンド中の窒素‐空孔センターによる高感度センシング技術 ○岩崎孝之・波多野睦子（東工大） SDM2017-24 |
[more] | SDM2017-24 pp.15-18 |
| SDM | 2017-06-20 14:35 |
東京 | キャンパス・イノベーションセンター東京 ５０８（AB) | XPSによるHigh-k/SiO2界面の化学構造およびダイポールの評価 ○藤村信幸・大田晃生・池田弥央・牧原克典・宮崎誠一（名大） SDM2017-25 |
[more] | SDM2017-25 pp.19-23 |
| SDM | 2017-06-20 14:55 |
東京 | キャンパス・イノベーションセンター東京 ５０８（AB) | 定電圧および定電流印加によるSi酸化薄膜の電気抵抗変化特性評価 ○大田晃生・加藤祐介・池田弥央・牧原克典・宮崎誠一（名大） SDM2017-26 |
[more] | SDM2017-26 pp.25-29 |
| SDM | 2017-06-20 15:15 |
東京 | キャンパス・イノベーションセンター東京 ５０８（AB) | 分極接合基板上pチャネルGaN MOS構造の容量特性についての検討 ○高山留美・星井拓也（東工大）・中島 昭（産総研）・西澤伸一（九大）・大橋弘通・角嶋邦之・若林 整・筒井一生（東工大） SDM2017-27 |
[more] | SDM2017-27 pp.31-34 |
| SDM | 2017-06-20 15:35 |
東京 | キャンパス・イノベーションセンター東京 ５０８（AB) | 高濃度SOI基板と転写法によるTMDC FETsの作製 ○川那子高暢・居駒 遼・高木寛之・小田俊理（東工大） SDM2017-28 |
[more] | SDM2017-28 pp.35-38 |
| SDM | 2017-06-20 16:10 |
東京 | キャンパス・イノベーションセンター東京 ５０８（AB) | 硫黄雰囲気硫化プロセスによるスパッタMoS2薄膜の低キャリア密度化 ○松浦賢太朗・大橋 匠・宗田伊理也（東工大）・石原聖也（明大）・角嶋邦之・筒井一生（東工大）・小椋厚志（明大）・若林 整（東工大） |
[more] | |
| SDM | 2017-06-20 16:30 |
東京 | キャンパス・イノベーションセンター東京 ５０８（AB) | Ge1-xSnxゲートスタック構造における欠陥の物性評価 ○金田裕一・池 進一・兼松正行・坂下満男・竹内和歌奈・中塚 理・財満鎭明（名大） SDM2017-29 |
Ge1-xSnxチャネルデバイスの実現には絶縁膜/Ge1-xSnx界面およびGe1-xSnx層中の欠陥制御が必要不可欠で... [more] | SDM2017-29 pp.39-42 |
| SDM | 2017-06-20 16:50 |
東京 | キャンパス・イノベーションセンター東京 ５０８（AB) | エピタキシャルAg(111)上の極薄IV族結晶形成 ○伊藤公一・大田晃生・黒澤昌志・洗平昌晃・池田弥央・牧原克典・宮崎誠一（名大） SDM2017-30 |
卓越した電子物性が理論予測されているSiやGeなどのIV族元素の二次元結晶を作成することを目指し、SiやGeと共晶反応を... [more] | SDM2017-30 pp.43-48 |
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