研究会 - シリコン材料・デバイス研究会 (SDM)

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シリコン材料・デバイス研究会 (SDM) (検索条件: 2006年度)

「from:2006-11-24 to:2006-11-24」による検索結果

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講演検索結果

登録講演（開催プログラムが公開されているもの） （日付・昇順）

研究会	発表日時	開催地		タイトル・著者	抄録	資料番号
ED, SDM, R (共催)	2006-11-24 13:00	大阪	中央電気倶楽部	［招待講演］トランジスタの動作点解析による故障箇所の特定 ○真田　克（高知工科大）	[more]	R2006-31 ED2006-176 SDM2006-194 pp.1-6
ED, SDM, R (共催)	2006-11-24 13:45	大阪	中央電気倶楽部	Fe系シリサイドによるフォトニック結晶の作製 ○國松俊佑・今井章文（京大）・秋山賢輔（神奈川県産技センター）・前田佳均（京大）	[more]	R2006-32 ED2006-177 SDM2006-195 pp.7-10
ED, SDM, R (共催)	2006-11-24 14:10	大阪	中央電気倶楽部	β-FeSi2のイオンビーム合成：アニールによるSi空孔の変化 ○上西隆文・安藤裕一郎・前田佳均（京大）	[more]	R2006-33 ED2006-178 SDM2006-196 pp.11-14
ED, SDM, R (共催)	2006-11-24 14:35	大阪	中央電気倶楽部	トレンチ横型パワーMOSFETのホットキャリア耐性 ○澤田睦美・松永慎一郎（富士電機アドバンストテクノロジー）・山路将晴・北村明夫（富士電機デバイステクノロジー）・藤島直人（富士電機アドバンストテクノロジー）	[more]	R2006-34 ED2006-179 SDM2006-197 pp.15-20
ED, SDM, R (共催)	2006-11-24 15:15	大阪	中央電気倶楽部	InP系HEMTのデバイス特性における界面平坦性の影響～ (411)A面方位基板による界面ラフネス散乱の抑制～ ○渡邊一世（NICT）・篠原啓介（Rockwell）・北田貴弘（徳島大）・下村　哲（愛媛大）・遠藤　聡・山下良美・三村高志（富士通研）・冷水佐壽（奈良高専）・松井敏明（NICT）	[more]	R2006-35 ED2006-180 SDM2006-198 pp.21-25
ED, SDM, R (共催)	2006-11-24 15:40	大阪	中央電気倶楽部	AlGaN/GaN HEMTにおける1/f雑音特性の表面保護膜依存性 ○松島孝典・中嶋正裕・野本一貴・佐藤政孝・中村　徹（法政大）	[more]	R2006-36 ED2006-181 SDM2006-199 pp.27-31
ED, SDM, R (共催)	2006-11-24 16:05	大阪	中央電気倶楽部	ナノメートルゲートAlGaN/GaN HFETにおける相互コンダクタンスのゲート長依存性劣化に関する検討 ○葛西誠也・Alberto F. Basile・橋詰　保（北大）	[more]	R2006-37 ED2006-182 SDM2006-200 pp.33-38
ED, SDM, R (共催)	2006-11-24 16:30	大阪	中央電気倶楽部	AlGaN/GaN HFETにおけるAlNパッシベーションの効果 ○上野弘明・村田智洋・石田秀俊・上田哲三・上本康裕・田中　毅・井上　薫（松下電器）	[more]	R2006-38 ED2006-183 SDM2006-201 pp.39-42

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