7月23日(土) 午後  14:00 - 14:50
(1)	14:00-14:25	水蒸気を用いた表面酸化制御InAlN/GaN MOS-HEMT ED2016-27	○尾崎史朗・牧山剛三・多木俊裕・鎌田陽一・佐藤　優・新井田佳孝・岡本直哉・常信和清（富士通研）
(2)	14:25-14:50	AlTiO/AlGaN/GaN金属-絶縁体-半導体デバイスにおけるローレンツ型低周波ノイズ ED2016-28	○鈴木寿一・Son Phuong Le・宇井利昌・Tuan Quy Nguyen・Hong-An Shih（北陸先端大）
	14:50-15:05	休憩　（ 15分 ）
7月23日(土) 午後  15:05 - 16:20
(3)	15:05-15:30	Ga2O3上に堆積したSiO2膜におけるポストアニールの影響 ED2016-29	○小西敬太・上村崇史・ワン マンホイ（NICT）・佐々木公平・倉又朗人・山腰茂伸（タムラ製作所）・東脇正高（NICT）
(4)	15:30-15:55	p-Cu2O/AlOx/n-SiC/n-Si構造の不揮発性pnメモリダイオードと低電圧動作 ED2016-30	○土屋充沙・塚本貴広・須田良幸（東京農工大）
(5)	15:55-16:20	Ge(111)基板上へのInSb薄膜のエピタキシャル成長 ED2016-31	○三枝孝彰・森　雅之・前澤宏一（富山大）
7月24日(日) 午前  09:30 - 11:50
(6)	09:30-09:55	非線形メタマテリアル線路における共鳴相互作用 ED2016-32	○楢原浩一（神奈川工科大）
(7)	09:55-10:20	高い共鳴トンネル電流の正孔トンネル型Si1-xGex/Si系2重量子井戸共鳴トンネルダイオード ED2016-33	○新川綾佳・脇谷　実・前田裕貴・塚本貴広・須田良幸（東京農工大）
(8)	10:20-10:45	CaF2/Si/CaF2共鳴トンネルダイオードの室温微分負性抵抗特性 ED2016-34	○田辺直之・島中智史・須田慶太・渡辺正裕（東工大）
	10:45-11:00	休憩　（ 15分 ）
(9)	11:00-11:25	円偏波放射が可能なラジアルラインスロットアンテナ集積共鳴トンネルダイオードテラヘルツ発振器 ED2016-35	○堀川大輔・鈴木左文・浅田雅洋（東工大）
(10)	11:25-11:50	半導体メサ集積レクテナのテラヘルツ帯検波特性の解析 ED2016-36	○徳岡岳海・須原理彦（首都大東京）

問合先と今後の予定
ED	電子デバイス研究会（ED）   [今後の予定はこちら]
	問合先	松永 高治（日本電気) TEL：044-435-8348 Fax :044-455-8253 E-： k-fpc 鈴木 寿一（北陸先端科学技術大学院大学） TEL : 0761-51-1441 Fax : 0761-51-1455 E- : sijaist

Last modified: 2016-07-06 11:16:01