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電子デバイス研究会(ED) [schedule] [select]
専門委員長 和保 孝夫
副委員長 葛原 正明
幹事 田中 毅, 新井 学
幹事補佐 高谷 信一郎

日時 2005年12月22日(木) 12:45 - 17:00
議題 電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術 
会場名 機械振興会館 地下3階2号室 

12月22日(木) 午後 
12:45 - 14:50
(1) 12:45-13:10 触媒金属上に成長したBCNのフィールドエミッション特性 木村千春岡田邦孝阪大)・岡本幸一和田 優舞鶴高専)・青木秀充杉野 隆阪大
(2) 13:10-13:35 ダイヤモンド電子放出素子の開発 ~ 素子の均一形成と大電流化 ~ 西林良樹辰己夏生難波暁彦山本喜之今井貴浩住友電工
(3) 13:35-14:00 S-Kチャートによる電界放出デバイス評価技術 後藤康仁辻 博司石川順三京大
(4) 14:00-14:25 シリコン電界電子放射陰極の放射電子のエネルギー分析 嶋脇秀隆八戸工大)・根尾陽一郎三村秀典静岡大
(5) 14:25-14:50 FEA制御のためのポリシリコンTFTの構造最適化 安室千晃坂村祐一長尾昌善田上尚男金丸正剛伊藤順司産総研
12月22日(木) 午後 
14:55 - 17:00
(1) 14:55-15:20 アクティブ駆動型HEED冷陰極HARP撮像板の試作 難波正和宮川和典大川裕司渡部俊久岡崎三郎谷岡健吉江上典文NHK)・田中亮太中田智成酒村一到奥田義行根岸伸安佐藤英夫渡辺 温吉川高正パイオニア
(2) 15:20-15:45 超広帯域TWTの研究 吉田 満新井深太郎笠原明彦高橋雅明蔦木邦夫NECマイクロ波管
(3) 15:45-16:10 大電力ジャイロトロンの定常運転に向けた改良 南 龍太郎春日井 敦高橋幸司小林則幸原子力機構)・假家 強満仲義加林 健一東芝電子管デバイス)・坂本慶司原子力機構
(4) 16:10-16:35 新型光源への応用を目指した新しいグラファイトフィールドエミッタの開発 塩澤一史山下 進根尾陽一郎静岡大)・岡田守弘静岡大/新日鐵)・久米 博静岡大/国立環境研)・知久典和池戸智之池戸電気)・高橋将文橋口 原香川大)・三村秀典静岡大
(5) 16:35-17:00 高品質照明を実現する新型真空平面ランプの開発 中本正幸小南裕子中西洋一郎瀧川義史大木祐也静岡大)・平木博久羽場方紀ダイアライトジャパン

講演時間
一般講演発表 20 分 + 質疑応答 5 分

問合先と今後の予定
ED 電子デバイス研究会(ED)   [今後の予定はこちら]
問合先 田中 毅(松下電器)
TEL: 075-956-9083, FAX: 075-956-9110
E-: erlci
新井 学(新日無)
TEL: 049-278-1477、FAX: 049-278-1419
E-: injr
高谷 信一郎(日立中研)
TEL: 0423-23-1111(内線3048)、FAX: 0423-27-7738
E-: crl 


Last modified: 2005-10-28 16:24:13


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