6月20日(火) 午後  13:00 - 17:10
(1)	13:00-13:20	［依頼講演］シンチレータとGa2O3半導体 SDM2017-21	○岡田　豪・臼井雄輝・河野直樹・河口範明・柳田健之（奈良先端大）
(2)	13:20-13:40	［依頼講演］SOI技術を用いた量子イメージング検出器の開発 ～ 半導体で素粒子・X線を見る ～ SDM2017-22	○新井康夫（高エネルギー加速器研究機構）
(3)	13:40-14:00	［依頼講演］皮膚アセトン測定に向けたWO3ナノ粒子半導体式ガスセンサの研究 SDM2017-23	○山田祐樹・檜山　聡（NTTドコモ）・田畑　仁（東大）
(4)	14:00-14:20	［依頼講演］ダイヤモンド中の窒素‐空孔センターによる高感度センシング技術 SDM2017-24	○岩崎孝之・波多野睦子（東工大）
	14:20-14:35	休憩　（ 15分 ）
(5)	14:35-14:55	XPSによるHigh-k/SiO2界面の化学構造およびダイポールの評価 SDM2017-25	○藤村信幸・大田晃生・池田弥央・牧原克典・宮崎誠一（名大）
(6)	14:55-15:15	定電圧および定電流印加によるSi酸化薄膜の電気抵抗変化特性評価 SDM2017-26	○大田晃生・加藤祐介・池田弥央・牧原克典・宮崎誠一（名大）
(7)	15:15-15:35	分極接合基板上pチャネルGaN MOS構造の容量特性についての検討 SDM2017-27	○高山留美・星井拓也（東工大）・中島　昭（産総研）・西澤伸一（九大）・大橋弘通・角嶋邦之・若林　整・筒井一生（東工大）
(8)	15:35-15:55	高濃度SOI基板と転写法によるTMDC FETsの作製 SDM2017-28	○川那子高暢・居駒　遼・高木寛之・小田俊理（東工大）
	15:55-16:10	休憩　（ 15分 ）
(9)	16:10-16:30	硫黄雰囲気硫化プロセスによるスパッタMoS2薄膜の低キャリア密度化	○松浦賢太朗・大橋　匠・宗田伊理也（東工大）・石原聖也（明大）・角嶋邦之・筒井一生（東工大）・小椋厚志（明大）・若林　整（東工大）
(10)	16:30-16:50	Ge1-xSnxゲートスタック構造における欠陥の物性評価 SDM2017-29	○金田裕一・池　進一・兼松正行・坂下満男・竹内和歌奈・中塚　理・財満鎭明（名大）
(11)	16:50-17:10	エピタキシャルAg(111)上の極薄IV族結晶形成 SDM2017-30	○伊藤公一・大田晃生・黒澤昌志・洗平昌晃・池田弥央・牧原克典・宮崎誠一（名大）

問合先と今後の予定
SDM	シリコン材料・デバイス研究会（SDM）   [今後の予定はこちら]
	問合先	黒田 理人(東北大) Tel 022-795-4833 Fax 022-795-4834 E-: e3

Last modified: 2017-04-19 17:20:55