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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| OME | 2012-10-17 15:40 |
東京 | 機械振興会館 B1F 3号室 | 準熱平衡条件下でのペンタセン結晶成長における外部電界の効果 ○鵜澤裕彰・神谷真司・酒井正俊・國吉繁一・山内 博・工藤一浩（千葉大）  OME2012-51 |
本研究では、代表的な有機半導体材料であるペンタセンの電界による選択成長を目指し、準熱平衡条件下の結晶成長における外部電界... [more] | OME2012-51 pp.31-34 |
| OME | 2012-05-24 16:00 |
東京 | NTT武蔵野研究開発センター | (BEDT-TTF)(TCNQ)結晶におけるインピーダンス測定 ○酒井正俊・花田光聡・山崎陽太・国吉繁一・山内 博（千葉大）・中村雅一（奈良先端大）・工藤一浩（千葉大） OME2012-28 |
[more] | OME2012-28 pp.45-47 |
| OME | 2011-12-21 16:30 |
東京 | 機械振興会館 | ホットプレス法によるフレキシブル有機トランジスタの作製 ○岡本樹宜・井上敦夫・城寶祐輝・酒井正俊・山内 博（千葉大）・中村雅一（奈良先端大）・工藤一浩（千葉大） OME2011-73 |
本研究では、ガラス基板およびポリイミド基板上にTTC18-TTF FETをホットプレス法により作製した。ホットプレス法と... [more] | OME2011-73 pp.41-44 |
| OPE, OME (共催) |
2011-11-18 15:25 |
東京 | 機械振興会館 | ナノインプリント法を用いた段差型有機トランジスタの作製 ○吹山雅浩・山内 博・飯塚正明・酒井正俊・工藤一浩（千葉大） OME2011-63 OPE2011-138 |
有機トランジスタを低駆動電圧、大電流で動作させるためには短チャネル化が有効である。そこで我々は、段差構造を利用することで... [more] | OME2011-63 OPE2011-138 pp.31-36 |
| OME | 2011-10-14 15:20 |
東京 | 機械振興会館 B3-2 | (BEDT-TTF)(TCNQ)結晶FETにおける電界誘起熱刺激電流と誘電特性との相関 ○花田光聡・酒井正俊・石黒雅人（千葉大）・松原亮介（奈良先端大）・山内 博（千葉大）・中村雅一（奈良先端大）・工藤一浩（千葉大） OME2011-53 |
これまで我々は、有機モット絶縁体(BEDT-TTF)(TCNQ)を活性層とした電界効果トランジスタ(FET)を作製し、誘... [more] | OME2011-53 pp.27-30 |
| OME | 2011-05-27 13:20 |
東京 | NTT武蔵野研究開発センター | 鉛フタロシアニン結晶の電界下選択成長 ○酒井正俊・小川泰司・飯塚正明・山内 博・中村雅一・工藤一浩（千葉大） OME2011-15 |
[more] | OME2011-15 pp.7-9 |
| OME | 2010-05-27 13:20 |
東京 | 機械振興会館 | シリコーン樹脂絶縁膜を用いた積層型CMOS回路の作製 ○菊地幸大・山内 博・飯塚正明・酒井正俊・中村雅一・工藤一浩（千葉大） OME2010-18 |
シリコーン樹脂は低コスト、低温プロセスである塗布法によって成膜が可能である。本研究では、光硬化型シリコーン樹脂をゲート絶... [more] | OME2010-18 pp.7-10 |
| OME | 2009-05-22 16:10 |
東京 | 機械振興会館 | 情報タグ用高速有機回路素子の検討 ○前田 悠・高野智輝・山内 博・飯塚正明・酒井正俊・中村雅一・工藤一浩（千葉大） OME2009-20 |
[more] | OME2009-20 pp.61-64 |
| OME | 2008-12-11 13:50 |
東京 | 機械振興会館 | Investigation of Organic Static Induction Transistor Gate Electrodes ○Fanghua Pu・Koudai Kikuchi・Hiroshi Yamauchi・Yasuyuki Watanabe・Kazuhiro Kudo（Chiba Univ.） OME2008-78 |
[more] | OME2008-78 pp.13-17 |
| OME | 2008-11-07 14:40 |
長野 | セイコーエプソン(株) | 有機静電誘導トランジスタにおける電極界面制御と特性 ○渡邊康之（千葉大）・家地洋之（リコー）・浦 方華・山内 博・工藤一浩（千葉大） OME2008-62 |
縦型構造を有する有機静電誘導トランジスタ（有機SIT）は、チャネル長が膜厚に相当し、短チャネル化が容易であるため、低電圧... [more] | OME2008-62 pp.23-28 |
| OME | 2008-10-31 13:00 |
東京 | 東大本郷 工学部６号館３階セミナー室Ａ | 塗布型有機絶縁材料を用いたP3HT-FETの作製 ○成田幸介・山内 博・飯塚正明・国吉繁一・酒井正俊・中村雅一・工藤一浩（千葉大） OME2008-50 |
本研究では、ウェットプロセスによる有機電界効果トランジスタ(OFET)の実用化に向け、ゲート絶縁材料の評価とOFETの大... [more] | OME2008-50 pp.1-4 |
| OME | 2008-05-29 16:00 |
東京 | 電気倶楽部第３会議室 | 段差型有機FETの電気的特性評価 ○高野智輝・山内 博・飯塚正明・國吉繁一・酒井正俊・中村雅一・工藤一浩（千葉大） OME2008-29 |
段差構造を利用した縦型有機電界効果トランジスタ（段差型OFET）を作製し，その静特性および動特性の評価を行った．段差型O... [more] | OME2008-29 pp.45-50 |
| OME | 2006-12-18 14:15 |
東京 | 機械振興会館 | 銅フタロシアニンを用いたSITのゲート電極ギャップに対する静特性の変化 ○福田雅治・山内 博・飯塚正明・工藤一浩（千葉大） |
[more] | OME2006-114 pp.31-36 |
| OME | 2006-12-18 15:15 |
東京 | 機械振興会館 | 電圧印加熱処理法を用いたP3HT-FETの成膜後における特性制御 ○永井啓太・山内 博・飯塚正明・工藤一浩（千葉大） |
[more] | OME2006-116 pp.43-47 |
| OME | 2006-07-27 10:00 |
神奈川 | パシフィコ横浜 | 後処理によるP3HTを用いた電界効果トランジスタの特性制御 ○永井啓太・山内 博・飯塚正明・工藤一浩（千葉大） |
有機トランジスタを用いたデバイスを作製するためには、有機電界トランジスタ（OFETs）の特性制御が不可欠な技術となる。低... [more] | OME2006-50 pp.1-4 |
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