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電子デバイス研究会 (ED) (検索条件: 2008年度)
「from:2009-01-14 to:2009-01-14」による検索結果
| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| MW, ED (共催) |
2009-01-15 16:15 |
東京 | 機械振興会館 | 2008年日中合同マイクロ波会議出席報告 ○黒木太司（呉高専）  ED2008-217 MW2008-182 |
[more] | ED2008-217 MW2008-182 pp.109-112 |
| MW, ED (共催) |
2009-01-16 09:30 |
東京 | 機械振興会館 | C帯超300W、50%GaN高出力・高効率増幅器 ○重松寿生・井上雄介・増田 哲・山田全男・金村雅仁・多木俊裕・牧山剛三・岡本直哉・今西健治・吉川俊英・常信和清・原 直紀（富士通研） ED2008-218 MW2008-183 |
[more] | ED2008-218 MW2008-183 pp.113-118 |
| MW, ED (共催) |
2009-01-16 09:55 |
東京 | 機械振興会館 | AlGaN/GaN MIS-HEMTの低温DC・RF特性に関する温度依存性 ○遠藤 聡・渡邊一世・山下良美（NICT）・三村高志（NICT/富士通研）・松井敏明（NICT） ED2008-219 MW2008-184 |
SiN/SiO2/SiN三層絶縁膜を有するAlGaN/GaN系MIS-HEMT（metal-insulator-semi... [more] | ED2008-219 MW2008-184 pp.119-123 |
| MW, ED (共催) |
2009-01-16 10:20 |
東京 | 機械振興会館 | In-situ SiNをゲート絶縁膜に用いたAlGaN/GaN MIS-HFET ○黒田正行・村田智洋・中澤敏志・瀧澤俊幸・西嶋将明・柳原 学・上田哲三・田中 毅（パナソニック） ED2008-220 MW2008-185 |
GaN系化合物半導体は大きな絶縁破壊電界と飽和電子速度を有するため、高周波高出力トランジスタとして有望である。AlGaN... [more] | ED2008-220 MW2008-185 pp.125-128 |
| MW, ED (共催) |
2009-01-16 10:55 |
東京 | 機械振興会館 | ミリ波向け高耐圧・高出力GaN-HEMT ○牧山剛三・多木俊裕・金村雅仁・常信和清・今西健治（富士通/富士通研）・原 直紀（富士通研）・吉川俊英（富士通/富士通研） ED2008-221 MW2008-186 |
ミリ波（W帯）増幅器向けGaN高移動度トランジスタ（GaN-HEMT）の3端子耐圧向上技術について報告する。GaN-HE... [more] | ED2008-221 MW2008-186 pp.129-133 |
| MW, ED (共催) |
2009-01-16 11:20 |
東京 | 機械振興会館 | ダイオードリニアライザによる高効率F級GaN HEMT電力増幅器のひずみ補償 ○安藤晃洋・高山洋一郎・吉田 剛・石川 亮・本城和彦（電通大） ED2008-222 MW2008-187 |
ダイオードリニアライザを用いて高効率F級GaN HEMT 電力増幅器のひずみ補償を行い，良好な特性を得た．まず，F級Ga... [more] | ED2008-222 MW2008-187 pp.135-139 |
| MW, ED (共催) |
2009-01-16 11:45 |
東京 | 機械振興会館 | ナノ細線チャネルを利用した台形ゲートAlGaN/GaN HEMT ○大井幸多・橋詰 保（北大） ED2008-223 MW2008-188 |
ゲート電極直下のみを周期的トレンチ構造とした多重台形チャネル(MMC) AlGaN/GaN HEMTは，側面ゲートからの... [more] | ED2008-223 MW2008-188 pp.141-144 |
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