| 電子情報通信学会 研究会発表申込システム 研究会 開催スケジュール |
技報閲覧サービス [ログイン] 技報アーカイブ |
シリコン材料・デバイス研究会 (SDM) (検索条件: 2007年度)
「from:2007-08-23 to:2007-08-23」による検索結果
| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| ICD, SDM (共催) |
2007-08-24 11:35 |
北海道 | 北見工業大学 | n-MOSFETの非対称性および配置方位依存性の解析 ○松田敏弘・杉山裕也・岩田栄之（富山県立大）・大曽根隆志（岡山県立大）  SDM2007-161 ICD2007-89 |
MOSFETの非対称性，配置方位依存性はアナログ回路では重要な設計パラメータである．45°単位で回転した方向にMOSFE... [more] | SDM2007-161 ICD2007-89 pp.113-116 |
| ICD, SDM (共催) |
2007-08-24 13:00 |
北海道 | 北見工業大学 | ［特別招待講演］日本が目指すナノエレクトロニクス大国 ○渡辺久恒（半導体先端テクノロジーズ） SDM2007-162 ICD2007-90 |
[more] | SDM2007-162 ICD2007-90 p.117 |
| ICD, SDM (共催) |
2007-08-24 13:50 |
北海道 | 北見工業大学 | 3次元型トランジスタFinFETによるLSIの高密度設計法 ～ CMOSセルライブラリを用いたパターン面積の縮小効果の検討 ～ ○岡本恵介・小泉圭輔・廣島 佑・渡辺重佳（湘南工科大） SDM2007-163 ICD2007-91 |
３次元型トランジスタを用いたシステムLSI設計法、特に素子領域のパターン面積の縮小効果について検討した（検討したモチーフ... [more] | SDM2007-163 ICD2007-91 pp.119-124 |
| ICD, SDM (共催) |
2007-08-24 14:15 |
北海道 | 北見工業大学 | 3次元型トランジスタFinFETを用いたDTMOS(FinFET型DTMOS)によるシステムLSIの高密度設計法 ～ パターン面積の縮小効果の見積もり ～ ○廣島 佑・渡辺重佳・岡本恵介・小泉圭輔（湘南工科大） SDM2007-164 ICD2007-92 |
しきい値電圧を動的に変化させるDTMOSを、３次元型トランジスタFinFETを用いて実現した場合のシステムLSI設計法、... [more] | SDM2007-164 ICD2007-92 pp.125-130 |
| ICD, SDM (共催) |
2007-08-24 14:50 |
北海道 | 北見工業大学 | ストレス技術を加えた不純物偏析Schottkyソース/ドレイントランジスタを用いた0.7VにおけるSRAM特性 ○小野田裕之・宮下 桂・中山武雄・木下朋子・西村尚志・東 篤志・山田誠司・松岡史倫（東芝） SDM2007-165 ICD2007-93 |
ストレス技術を加えた不純物偏析Schottkyソース/ドレイントランジスタ(Dopant Segregated Scho... [more] | SDM2007-165 ICD2007-93 pp.131-134 |
| ICD, SDM (共催) |
2007-08-24 15:15 |
北海道 | 北見工業大学 | 積層フェリ自由層トンネル磁気抵抗効果素子を備えたSPRAMのリードディスターブ耐性と書き込み電流のばらつきの低減 ○三浦勝哉・河原尊之・竹村理一郎（日立）・早川 純（日立/東北大）・山ノ内路彦（日立）・池田正二・佐々木龍太郎（東北大）・伊藤顕知・高橋宏昌・松岡秀行（日立）・大野英男（東北大） SDM2007-166 ICD2007-94 |
磁性体メモリの一つであるSPin-transfer torque RAM（SPRAM）は，高速動作，低電力化が可能な不揮... [more] | SDM2007-166 ICD2007-94 pp.135-138 |
| ICD, SDM (共催) |
2007-08-24 15:40 |
北海道 | 北見工業大学 | DVS環境下での小面積・低電圧動作8T SRAMの設計 ○森田泰弘・藤原英弘・野口紘希・井口友輔（神戸大）・新居浩二（神戸大/ルネサステクノロジ）・川口 博・吉本雅彦（神戸大） SDM2007-167 ICD2007-95 |
45nm世代以降のLSI製造プロセスノードにおいて，8トランジスタ構成のSRAMセル（8Tセル）が従来の6Tセルよりも小... [more] | SDM2007-167 ICD2007-95 pp.139-144 |
| ICD, SDM (共催) |
2007-08-24 16:05 |
北海道 | 北見工業大学 | 同時R/W課題への耐性を有する階層型レプリカビット線技術を用いた45nm2ポート8T-SRAM ○石倉 聡・車田総希・寺野登志夫・山上由展・粉谷直樹・里見勝治（松下電器）・新居浩二・薮内 誠・塚本康正・大林茂樹・大芦敏行・牧野博之・篠原尋史（ルネサステクノロジ）・赤松寛範（松下電器） SDM2007-168 ICD2007-96 |
45nm世代のシステムLSIをターゲットとしたシングルビット線の８Ｔ型メモリセルを用いた新規２ポートSRAMを提案する。... [more] | SDM2007-168 ICD2007-96 pp.145-148 |
| ICD, SDM (共催) |
2007-08-24 16:30 |
北海道 | 北見工業大学 | 90-nm CMOS技術による多段階読出し方式を用いた128-Kbit,16ポートSRAMの設計 ○上口 光・椋田祐也・和泉伸也・マタウシュ ハンス・ユルゲン・小出哲士（広島大） SDM2007-169 ICD2007-97 |
[more] | SDM2007-169 ICD2007-97 pp.149-154 |
[研究会発表申込システムのトップページに戻る]