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シリコン材料・デバイス研究会 (SDM) (検索条件: 2014年度)
「from:2014-12-12 to:2014-12-12」による検索結果
| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| SDM, EID (共催) |
2014-12-12 16:15 |
京都 | 京都大学 | Si面4H-SiC n-MOSFETにおけるSplit C-V特性の周波数依存性 ○結城広登（奈良先端大）・矢野裕司（奈良先端大/筑波大）  EID2014-33 SDM2014-128 |
Si面4H-SiCのn-MOSFETを作製し，1Hz～1MHzの範囲でSplit C-V測定を行った．Split C-V... [more] | EID2014-33 SDM2014-128 pp.103-107 |
| SDM, EID (共催) |
2014-12-12 16:30 |
京都 | 京都大学 | シングルパルスId-Vgs測定による4H-SiC MOSFETの界面特性評価 ○磯野弘典（奈良先端大）・矢野裕司（奈良先端大/筑波大） EID2014-34 SDM2014-129 |
シリコンカーバイド(SiC)-MOSFETは，多量の界面準位(Dit)によるしきい値電圧(Vth)の変動や，低いチャネル... [more] | EID2014-34 SDM2014-129 pp.109-113 |
| SDM, EID (共催) |
2014-12-12 16:45 |
京都 | 京都大学 | 4H-SiC BJTの電流増幅率の温度依存性 ○浅田聡志・奥田貴史・木本恒暢・須田 淳（京大） EID2014-35 SDM2014-130 |
本研究では、4H-SiC バイポーラトランジスタにおける電流増幅率の温度依存性を140-460 Kの範囲で測定した。増幅... [more] | EID2014-35 SDM2014-130 pp.115-118 |
| SDM, EID (共催) |
2014-12-12 17:00 |
京都 | 京都大学 | 水蒸気を用いたプラズマ誘起原子層堆積法によるAl2O3膜の形成 ○梅原智明・堀田昌宏・吉嗣晃治・石河泰明・浦岡行治（奈良先端大） EID2014-36 SDM2014-131 |
窒化ガリウムパワーデバイス応用を目的として, Al2O3絶縁膜を原子層堆積法(ALD)により堆積した. 堆積サイクルの酸... [more] | EID2014-36 SDM2014-131 pp.119-123 |
| SDM, EID (共催) |
2014-12-12 17:15 |
京都 | 京都大学 | 二元系遷移金属酸化物メモリにおける抵抗変化ドライビングフォースの検討 ○小石遼介・森山拓洋・木村康平・河野公紀・宮下英俊・李 相錫・岸田 悟・木下健太郎（鳥取大） EID2014-37 SDM2014-132 |
抵抗変化型メモリ (ReRAM)の抵抗スイッチング現象は酸素欠損(Vo)で構成される導電性フィラメントの生成/断裂によっ... [more] | EID2014-37 SDM2014-132 pp.125-128 |
| SDM, EID (共催) |
2014-12-12 17:30 |
京都 | 京都大学 | NiOを用いたReRAMのセミフォーミング後における抵抗スイッチング特性 ○篠倉弘樹・西 佑介・岩田達哉・木本恒暢（京大） EID2014-38 SDM2014-133 |
我々はこれまで，NiOを用いた抵抗変化型メモリ(ReRAM)において，NiO堆積時の酸素流量を適切に調節することでフォー... [more] | EID2014-38 SDM2014-133 pp.129-134 |
| SDM, EID (共催) |
2014-12-12 17:45 |
京都 | 京都大学 | 抵抗変化メモリ(ReRAM)における導電性パス生成機構の検討 ～ 第一原理計算手法を用いたNiOの様々な面方位の表面状態解析 ～ ○森山拓洋（鳥取大）・山崎隆浩・大野隆央（物質・材料研究機構）・岸田 悟・木下健太郎（鳥取大） EID2014-39 SDM2014-134 |
抵抗変化メモリ(ReRAM)の実用化において, 遷移金属酸化物(TMO)内に生成される導電性パスの物性解明が必須である.... [more] | EID2014-39 SDM2014-134 pp.135-138 |
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