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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| ED, LQE, CPM (共催) |
2012-11-30 16:25 |
大阪 | 大阪市立大学 | AlGaAs系フォトニック結晶構造作製に向けたICPドライエッチングマスクに関する研究 ○栂野裕二・北林佑太・石川史太郎・近藤正彦（阪大）  ED2012-90 CPM2012-147 LQE2012-118 |
フォトニック結晶作製を目指し，高Al組成のAlGaAsのICP(Inductive Coupled Plasma)ドライ... [more] | ED2012-90 CPM2012-147 LQE2012-118 pp.117-120 |
| ED | 2012-07-26 15:25 |
福井 | 福井大学 文京キャンパス産学官連携本部３Ｆ研修室 | p形GaNショットキー接触におけるICPエッチングの影響 ○高橋利文（福井大）・金田直樹・三島友義（日立電線）・野本一貴（ノートルダム大）・塩島謙次（福井大） ED2012-45 |
低Mgドープp-GaNショットキー接触を用いて、誘導結合プラズマ(ICP)エッチング損傷を評価した。ICPエッチングは、... [more] | ED2012-45 pp.21-24 |
| ED, SDM, CPM (共催) |
2012-05-18 09:25 |
愛知 | 豊橋技術科学大学ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー | ドライエッチ面を含むAl2O3/AlGaN/GaN構造の界面評価 ○谷田部然治・堀 祐臣・金 聖植・橋詰 保（北大） ED2012-27 CPM2012-11 SDM2012-29 |
ドライエッチングしたAlGaN表面に形成したMOS構造の評価を行った．ドライエッチングには、Cl2/BCl3ガスによるI... [more] | ED2012-27 CPM2012-11 SDM2012-29 pp.49-52 |
| LQE, ED, CPM (共催) |
2011-11-17 13:20 |
京都 | 京都大学桂キャンパス 桂ホール | ドライエッチ面を含むGaNおよびAlGaN界面の評価 ○金 聖植・堀 祐臣・谷田部然治・橋詰 保（北大） ED2011-78 CPM2011-127 LQE2011-101 |
ドライエッチングしたGaNおよびAlGaN表面に形成したMOS構造の評価を行った。ドライエッチングには、CH4/H2/N... [more] | ED2011-78 CPM2011-127 LQE2011-101 pp.25-28 |
| ED | 2009-06-11 16:50 |
東京 | 東京工業大学 | AlGaN/GaN-HEMTに対するドライエッチングの低ダメージ化の検討 ○蔵口雅彦・湯元美樹・高田賢治・津田邦男（東芝） ED2009-43 |
GaN系電子デバイスにおいて特性向上を図るため、ゲートリセス構造が有望である。窒化物半導体ではウエットエッチングによる精... [more] | ED2009-43 pp.37-40 |
| SDM, ED, CPM (共催) |
2007-05-24 14:50 |
静岡 | 静岡大学 浜松キャンパス | 過剰キャリアライフタイム測定によるGaNのプラズマエッチングダメージの解析とアニール効果の評価 ○福島圭亮・加藤正史・市村正也（名工大）・兼近将一・石黒 修・加地 徹（豊田中研） |
窒化ガリウム（GaN）は高出力，高周波デバイスへの応用が期待されており，GaNのバイポーラデバイスプロセスにおいてエッチ... [more] | |
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