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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| ED, SDM (共催) |
2010-07-02 12:50 |
東京 | 東工大 大岡山キャンパス | Over 1GHz High-Speed Current Pulse Generation Circuit for Novel Nonvolatile Memory Cells ○Tetsuo Endoh・Yasuhiko Suzuki・Takuya Imamoto・Hyoungjun Na（Tohoku Univ.）  ED2010-114 SDM2010-115 |
In this paper, a new 2 step program method is proposed to re... [more] | ED2010-114 SDM2010-115 pp.283-288 |
| ICD | 2010-04-22 15:20 |
神奈川 | 湘南工大 | [依頼講演] Fabrication of a Nonvolatile Lookup-Table Circuit Chip Using Magneto/Semiconductor-Hybrid Structure for an Immediate-Power-Up Field Programmable Gate Array ○鈴木大輔・夏井雅典・池田正二（東北大）・長谷川晴弘（日立）・三浦勝哉（東北大/日立）・早川 純（日立）・遠藤哲郎・大野英男・羽生貴弘（東北大） ICD2010-9 |
本稿では，磁気トンネル接合素子 (MTJ: Magnetic Tunnel Junction) 素子特性を活用することで... [more] | ICD2010-9 pp.47-52 |
| ITE-MMS, MRIS (共催) |
2009-10-08 13:55 |
福岡 | 福岡交通センター | ［招待講演］スピントルク磁化反転を用いた不揮発RAM(SPRAM) ○高橋宏昌・伊藤顕知・早川 純・三浦勝哉・山本浩之・山ノ内路彦・小埜和夫・竹村理一郎・河原尊之（日立）・佐々木龍太郎（東北大）・長谷川晴弘（東北大/日立）・池田正二（東北大）・松岡秀行（日立）・大野英男（東北大） |
SPRAM(Spin Transfer Torque MRAM)は、電流によるスピントランスファトルクによってMTJ素子... [more] | |
| SDM, ED (共催) |
2009-06-24 15:00 |
海外 | 海雲台グランドホテル（釜山、韓国） | Transient characteristic of fabricated Magnetic Tunnel Junction (MTJ) programmed with CMOS circuit ○Masashi Kamiyanagi・Fumitaka Iga・Shoji Ikeda（Tohoku Univ.）・Katsuya Miura（Tohoku Univ./Hitachi）・Jun Hayakawa（Hitachi）・Haruhiro Hasegawa・Takahiro Hanyu・Hideo Ohno・Tetsuo Endoh（Tohoku Univ.） ED2009-52 SDM2009-47 |
In this paper, it is shown that our fabricated MTJ of 60x180... [more] | ED2009-52 SDM2009-47 pp.9-12 |
| SDM, ED (共催) |
2009-06-24 15:15 |
海外 | 海雲台グランドホテル（釜山、韓国） | Study of the DC Performance of Fabricated Magnetic Tunnel Junction Integrated on Back-end Metal Line of CMOS Circuits ○Fumitaka Iga・Masashi Kamiyanagi・Shoji Ikeda（Tohoku Univ.）・Katsuya Miura（Tohoku Univ./Hitachi）・Jun Hayakawa（Hitachi）・Haruhiro Hasegawa・Takahiro Hanyu・Hideo Ohno・Tetsuo Endoh（Tohoku Univ.） ED2009-53 SDM2009-48 |
In this paper, we have succeeded in the fabrication of high ... [more] | ED2009-53 SDM2009-48 pp.13-16 |
| MRIS, ITE-MMS (共催) |
2008-12-11 16:50 |
愛媛 | 愛媛大学総合情報メディアセンター１F メディアホール | ［招待講演］垂直磁化方式を用いたスピン注入磁化反転によるMRAMスケーラビリティの展望 ○中山昌彦・甲斐 正・相川尚徳・小瀬木淳一・西山勝哉・永瀬俊彦・天野 実・池川純夫・岸 達也・與田博明（東芝） MR2008-44 |
ギガビット級大容量MRAMを実現するには、小さな情報書き込み電流Icと十分な熱擾乱指数?Eaを両立させることが必要である... [more] | MR2008-44 pp.37-41 |
| ICD | 2008-04-18 14:20 |
東京 | 機械振興会館 | 半ピッチシフト方式とビット線分離型2T1MTJセルを用いた混載向け250MHz,1Mb-MRAMマクロ ○崎村 昇・杉林直彦・根橋竜介・本庄弘明・斉藤信作・加藤有光・笠井直記（NEC） ICD2008-13 |
0.15um、1.5V CMOS技術を用いた1Mbit MRAMマクロにおいて不揮発メモリとして最高速の250MHz動作... [more] | ICD2008-13 pp.69-74 |
| ICD | 2008-04-18 14:45 |
東京 | 機械振興会館 | TbCoFe/CoFe垂直磁化膜を用いたMRAM素子におけるスピン注入磁化反転の実証 ○中山昌彦・甲斐 正・下村尚治・天野 実・北川英二・永瀬俊彦・吉川将寿・岸 達也・池川純夫・與田博明（東芝） ICD2008-14 |
ギガビット級大容量MRAMを実現するには、小さな情報書き込み電流と十分な情報不揮発性を両立させることが必要である。垂直磁... [more] | ICD2008-14 pp.75-78 |
| ICD | 2007-04-12 10:00 |
大分 | 大分県・湯布院・七色の風 | セルフリファレンスセンスアンプを用いた高密度1T-4MTJ MRAM ○村井泰光・谷崎弘晃（ルネサスデザイン）・辻 高晴・大谷 順・山口雄一郎・古田陽雄・上野修一・大石 司・林越正紀・日高秀人（ルネサステクノロジ） ICD2007-3 |
1T-4MTJ(1-Transistor 4-Magnetic Tunnel Junction)という高密度なMRAM(... [more] | ICD2007-3 pp.13-16 |
| ICD, SDM (共催) |
2005-08-19 13:00 |
北海道 | 函館国際ホテル | MTJ抵抗比による電圧センス型1T2MTJ MRAM ○青木正樹・岩佐 拓・佐藤嘉洋（富士通研） |
我々は、１つのトランジスタと２つのMTJ素子（1T2MTJ）を組み合わせて１つのメモリセルとするMRAMの新しい回路方式... [more] | SDM2005-150 ICD2005-89 pp.43-48 |
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