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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| SDM | 2023-10-13 15:10 |
宮城 | 東北大学未来情報産業研究館５Ｆ | ［招待講演］電気特性計測プラットフォームを用いたランダムテレグラフの動作条件依存性の統計的解析 ○間脇武蔵・黒田理人（東北大）  SDM2023-57 |
我々はアレイテスト回路などから構成される測定システム全体を，電気特性計測プラットフォーム技術と呼称し，様々な半導体素子の... [more] | SDM2023-57 pp.21-26 |
| WPT (第二種研究会) |
2017-12-09 - 2017-12-11 |
海外 | シンガポール国立大学 | Novel Extended Non-Breakdown Rectifier Topologies for Power-Optimized Waveform based Wireless Power Transfer Systems ○Hao Zhang（NUST）・Zheng Zhong・Yong-Xin Guo（NUS）・Wen Wu（NUST） |
This paper presents two novel extended non-breakdown rectifi... [more] | |
| ED | 2014-08-01 13:30 |
東京 | 機械振興会館B3-1室 | ［招待講演］低電圧/高速動作にむけたInGaAs MOSFETソース構造 ○宮本恭幸・金澤 徹・米内義晴・加藤 淳・藤松基彦・柏野壮志・大澤一斗・大橋一水（東工大） ED2014-56 |
高いオン電流($I_{on}$)と低いオフ電流 ($I_{off}$) を低電源電圧で実現することは、論理回路応用の為に... [more] | ED2014-56 pp.19-24 |
| SDM | 2014-01-29 10:00 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］基板からみたGe n-MOSFETsにおける電子移動度の考察 ○李 忠賢・西村知紀・田畑俊行・魯 辞莽・張 文峰・長汐晃輔・鳥海 明（東大） SDM2013-136 |
本研究ではGe基板に由来するGe nMOSFETsにおける電子移動度の劣化機構について議論する． Ge nMOSFETs... [more] | SDM2013-136 pp.5-8 |
| SDM, ED (共催) (ワークショップ) |
2012-06-29 11:15 |
沖縄 | 沖縄県青年会館 | ［招待講演］Thermal-Aware Device Desing of Nanoscale MOS Transistors ○Ken Uchida（Keio Univ.）・Tsunaki Takahashi・Nobuyasu Beppu（Tokyo Tech） |
The self-heating effects in Bulk/SOI FinFETs have been syste... [more] | |
| SDM | 2011-11-11 15:45 |
東京 | 機械振興会館 | 極微細MOSFETにおけるソース・ドレイン寄生抵抗の高次の効果 ○尹 鍾鐵・廣木 彰（京都工繊大） SDM2011-129 |
極微細MOSFETにおけるソース・ドレイン寄生抵抗の高次の効果を調べた。寄生抵抗の高次の効果を含む飽和ドレイン電流を導出... [more] | SDM2011-129 pp.81-85 |
| ICD, ITE-IST (連催) |
2011-07-21 11:20 |
広島 | 広島工業大学 | ブレイン・マシン・インタフェース用64chニューラルレコーディングチップ ○吉田 毅・末石勝也（広島大）・小野将寛（エイアールテック）・安藤博士（広島大）・村坂佳隆・岩田 穆（エイアールテック）・松下光次郎・平田雅之（阪大）・鈴木隆文（東大） ICD2011-23 |
重度障害者を補助し生活の質を向上させるために医療向けのブレイン・マシン・インタフェース(BMI)の研究が行われている．B... [more] | ICD2011-23 pp.25-30 |
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