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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| ICD, SDM (共催) |
2014-08-04 13:55 |
北海道 | 北海道大学 情報教育館（札幌市） | ［招待講演］混載メモリ適用に向けたスピン注入型MRAMの開発 ○杉井寿博・射場義久・青木正樹・能代英之・角田浩司・畑田明良・中林正明・山崎裕一・高橋 厚・吉田親子（超低電圧デバイス技研組合）  SDM2014-68 ICD2014-37 |
本論文では，エレクトロニクス機器に使用されるシステムLSIの混載メモリに関する課題を取り上げ，不揮発，無限回書き換え，高... [more] | SDM2014-68 ICD2014-37 pp.35-38 |
| SDM | 2012-03-05 10:50 |
東京 | 機械振興会館 | Low-k/Cu配線層にシリンダキャパシタを内包したロジックIP準拠・混載DRAMデバイス ○久米一平・井上尚也・肱岡健一郎・川原 潤・武田晃一・古武直也・白井浩樹・風間賢也・桑原愼一・渡會雅敏・佐甲 隆・高橋寿史・小倉 卓・泰地稔二・笠間佳子（ルネサス エレクトロニクス） SDM2011-177 |
従来のeDRAMでは、M1とトランジスタの間にシリンダ容量を配置するために、極めて高いコンタクトを設ける必要がある。LS... [more] | SDM2011-177 pp.7-11 |
| ICD | 2011-04-18 10:50 |
兵庫 | 神戸大学 瀧川記念館 | ［招待講演］NAND Flashメモリ高性能化の技術動向とNAND Flashプロセスでの混載DRAM技術 ○高島大三郎・野口充宏・柴田 昇・神田和重・助川 博・藤井秀壮（東芝） ICD2011-2 |
本論文では、NAND Flashメモリの高性能化の技術動向と、標準NAND Flashプロセスを用いた混載DRAM技術に... [more] | ICD2011-2 pp.7-12 |
| ICD | 2008-04-17 11:15 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］833MHz周波数動作グラフィックス用途向け疑似2ポートeDRAM ○加来真理子・岩井 斎・永井 健・和田政春・鈴木 淳・高井智久・糸賀尚子・宮崎隆行・岩井隆之（東芝）・竹中博幸（東芝マイクロエレクトロニクス）・北城岳彦・宮野信治・大塚伸朗（東芝） ICD2008-3 |
本報告書で紹介するeDRAMはグラフィックス用途向けに開発された疑似2ポートeDRAMである。リードライトクロスポイント... [more] | ICD2008-3 pp.13-18 |
| ICD | 2008-04-17 13:05 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］コンシューマエレクトロニクス向け混載DRAM技術 ○白井浩樹・石川亮佑・伊藤雄一・北村卓也・竹内麻美・佐甲 隆・井上 顕・川崎 澄・勝木信幸・星崎博之・桑原愼一・夏目秀隆・坂尾眞人・谷川高穂（NECエレクトロニクス） ICD2008-4 |
コンシューマエレクトロニクス向け混載DRAM デバイス技術について報告する。我々は150nm 世代より低消費電力かつ高速... [more] | ICD2008-4 pp.19-24 |
| ICD, ITE-IST (共催) |
2007-07-26 17:05 |
兵庫 | 神戸大学瀧川記念学術交流会館 | 電源電圧と周波数の動的制御によるH.264/AVC デコーダの低消費電力化 ○坂田義典・川上健太郎・川口 博・吉本雅彦（神戸大） ICD2007-52 |
動的電圧制御(DVS)を専用ハードウェアに適用するために，エラスティックパイプラインアーキテクチャを提案し，フレームバッ... [more] | ICD2007-52 pp.89-94 |
| ICD | 2007-04-12 10:40 |
大分 | 大分県・湯布院・七色の風 | MIM(Metal-Insulator-Metal) キャパシタを用いた混載DRAM用デバイステクノロジー ○谷川高穂・山縣保司・白井浩樹・杉村啓世・和気智子・井上 顕・佐甲 隆・坂尾眞人（NECエレクトロニクス） ICD2007-4 |
MIMキャパシタを用いた混載DRAMデバイス技術について報告する。我々は150nm世代よりLowパワーかつ高速アクセス性... [more] | ICD2007-4 pp.17-22 |
| ICD | 2006-04-13 09:45 |
大分 | 大分大学 | リテンション時間延長可能なスリープモードを搭載した65nm低消費電力混載DRAM ○高井智久・永井 健・和田政春・岩井 斎・加来真理子・鈴木 淳・糸賀尚子・宮崎隆行（東芝）・竹中博幸（東芝マイクロエレクトロニクス）・北城岳彦・宮野信治（東芝） |
混載DRAMにおけるデータ保持電力を削減するために、オンチップECC回路とMT-CMOS技術を用いて実現されるリテンショ... [more] | ICD2006-2 pp.7-12 |
| ICD, SDM (共催) |
2005-08-19 13:25 |
北海道 | 函館国際ホテル | 90nm GenericロジックCMOSプロセスを用いたメモリアレイ0.5V動作Asymmetric Three-Tr. Cell (ATC) DRAMの提案 ○市橋 基（半導体理工学研究センター/ルネサステクノロジ）・戸田春希（半導体理工学研究センター/東芝）・伊藤寧夫（半導体理工学研究センター/東芝マイクロエレクトロニクス）・石橋孝一郎（半導体理工学研究センター/ルネサステクノロジ） |
単一セルが1つのPMOSと2つのNMOSからなるATC DRAMを提案する．本メモリシステムは更に提案する"Forced... [more] | SDM2005-151 ICD2005-90 pp.49-54 |
| ICD | 2005-04-14 11:40 |
福岡 | 福岡システムLSI 総合開発センター | SOI上の1Tゲインセル(FBC)を用いた128MビットDRAM ○大澤 隆・藤田勝之・初田幸輔（東芝）・東 知輝（東芝マイクロエレクトロニクス）・森門六月生・南 良博・篠 智彰・中島博臣・井納和美・浜本毅司・渡辺重佳（東芝） |
SOI上のキャパシタレスDRAMセル、あるいはFloating Body Cell(FBC)と呼ばれているセルを使った1... [more] | ICD2005-5 pp.23-28 |
| ICD | 2005-04-14 13:00 |
福岡 | 福岡システムLSI 総合開発センター | ［招待講演］デジタル家電向け混載メモリの現状と将来展望 ～ SoCの構造改革に向けたチャレンジ ～ ○山内寛行（松下電器） |
本論文では、デジタル家電向けシステムLSI用の混載メモリを、実例に基づき分類し、それぞれの現状と将来展望を簡単に述べる。... [more] | ICD2005-6 pp.29-34 |
| ICD | 2005-04-15 11:30 |
福岡 | 福岡システムLSI 総合開発センター | 高速大容量混載 DRAM Pre-Fuse Wafer-Level テストのための Burst-Cycle Data圧縮方式 ○福田 良・小林謙二（東芝）・赤松正志・開発 実・田村 淳・谷口一雄（ソニー）・渡辺陽二（東芝） |
高速大容量混載DRAM Pre-Fuse Wafer Level テストのためのBurst-Cycle Data 圧縮方... [more] | ICD2005-15 pp.13-17 |
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