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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| ED | 2012-07-27 11:25 |
福井 | 福井大学 文京キャンパス産学官連携本部３Ｆ研修室 | 非局所配置を用いた高In組成InGaAs/InAlAs2次元電子系へのスピン注入実験 日高志郎・近藤太郎・赤堀誠志・○山田省二（北陸先端大）  ED2012-52 |
高In組成（75 %）InGaAs/InAlAs 2次元電子ガス試料表面にCo0.8Fe0.2電極を複数配置した横方向ス... [more] | ED2012-52 pp.61-65 |
| ICD | 2011-04-19 11:45 |
兵庫 | 神戸大学 瀧川記念館 | 局所電子注入による非対称パスゲートトランジスタを用いた8T-SRAMにおけるハーフセレクトディスターブの抑制 ○宮地幸祐・本田健太郎・田中丸周平（東大）・宮野信治（半導体理工学研究センター）・竹内 健（東大） ICD2011-13 |
SRAMのVTHのばらつきによる読み出し・書き込みマージン減少の解決のため，6T-SRAMのパスゲートトランジスタへ局所... [more] | ICD2011-13 pp.71-76 |
| ICD, SDM (共催) |
2010-08-27 13:45 |
北海道 | 札幌エルプラザ内男女共同参画センター | プロセス工程後の局所的電子注入による非対称パスゲートトランジスタを有する6トランジスタ型SRAMとその読み出し時安定性の向上 ○宮地幸祐・田中丸周平・本田健太郎（東大）・宮野信治（半導体理工学研究センター）・竹内 健（東大） SDM2010-145 ICD2010-60 |
本論文ではプロセス後にSRAMセルのパスゲートトランジスタの記憶保持ノード側の接合端付近の絶縁膜中に電子を局所的に注入す... [more] | SDM2010-145 ICD2010-60 pp.115-120 |
| SDM | 2010-06-22 15:15 |
東京 | 東京大学（生産研An棟） | 作製後における電子局在注入による非対称パスゲートトランジスタ及びしきい値圧ばらつき自己修復機能を有する6トランジスタ型SRAMとその読み出し時安定性の向上 ○宮地幸祐・田中丸周平・本田健太郎（東大）・宮野信治（半導体理工学研究センター）・竹内 健（東大） SDM2010-44 |
本論文ではSRAMセルの安定性を自己修復するように一方のパスゲートトランジスタのゲート絶縁膜中に局所的に電子を注入するこ... [more] | SDM2010-44 pp.61-65 |
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