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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
ED, SDM
(共催)
2017-02-24
10:00
北海道 北海道大学百年記念会館 コンパクトなシリコン三重量子ドットの作製と評価
内田貴史福地 厚有田正志北大)・藤原 聡NTT)・高橋庸夫北大ED2016-130 SDM2016-147
高集積シリコンマルチ量子ドットは量子ビットへの応用が期待されている. 我々は, シリコン細線をパターン依存酸化することで... [more] ED2016-130 SDM2016-147
pp.1-6
SDM, ED
(共催)
2015-02-05
15:05
北海道 北海道大学(百年記念会館) 多入力・多出力高機能デバイスを念頭においた3端子ナノドットアレイの高機能特性
吉岡 勇佐藤 光内田貴史福地 厚有田正志北大)・藤原 聡NTT)・高橋庸夫北大ED2014-141 SDM2014-150
ナノドットアレイ単電子デバイスは多入力・多出力であり、単一デバイスでこれまでのCMOSにはない高機能性を実現できる。この... [more] ED2014-141 SDM2014-150
pp.17-22
SDM, ED
(共催)
2013-02-28
09:25
北海道 北海道大学(百年記念会館) 二重量子ドットSi単電子トランジスタにおける電子数変化による特性評価
内田貴史竹中浩人吉岡 勇有田正志北大)・藤原 聡NTT)・高橋庸夫北大ED2012-138 SDM2012-167
二重量子ドット単電子トランジスタ(DQD SET)は量子情報処理デバイスへの応用が期待され、この応用上、量子ドット(QD... [more] ED2012-138 SDM2012-167
pp.53-58
ED, SDM
(共催)
2012-02-07
15:15
北海道 北海道大学 百年記念会館 パターン依存酸化法を用いたSi単電子トランジスタの高周波特性
竹中浩人篠原迪人内田貴史有田正志北大)・藤原 聡NTT)・高橋庸夫北大ED2011-145 SDM2011-162
単電子トランジスタ(SET)は、低消費電力で動作するデバイスとして知られているが、その高速動作性に関しては、十分調べられ... [more] ED2011-145 SDM2011-162
pp.19-24
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