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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| CPM, LQE, ED (共催) |
2016-12-13 14:40 |
京都 | 京大桂キャンパス | テラヘルツ時間領域分光エリプソメトリーによるワイドギャップ半導体の電気特性評価 ○藤井高志（立命館大/PNP）・達 紘平・荒木 努・名西やすし（立命館大）・岩本敏志・佐藤幸徳（PNP）・長島 健（摂南大）  ED2016-78 CPM2016-111 LQE2016-94 |
多くの 無機半導体中電子の散乱時間（τ）は、おおよそ0.1psecオーダーである。そのため、複素導電率のTHz周波数帯で... [more] | ED2016-78 CPM2016-111 LQE2016-94 pp.103-106 |
| CPM, LQE, ED (共催) |
2010-11-11 10:25 |
大阪 | 阪大 中ノ島センター | RF-MBE法を用いたr面サファイア基板上A面InN結晶高品質化に関する検討 ○荒木 努・川島圭介・山口智広（立命館大）・名西やすし（立命館大/ソウル国立大） ED2010-143 CPM2010-109 LQE2010-99 |
[more] | ED2010-143 CPM2010-109 LQE2010-99 pp.7-10 |
| ED, LQE, CPM (共催) |
2009-11-19 10:50 |
徳島 | 徳島大学（常三島キャンパス・工業会館） | RF-MBE法を用いた高品質InN結晶成長 ～ 配列制御InNナノコラム成長について ～ ○荒木 努・山口智広・金子昌充（立命館大）・名西やすし（立命館大/ソウル国立大） ED2009-132 CPM2009-106 LQE2009-111 |
InN結晶高品質化への一つのアプローチであるInNナノコラム成長について報告する。GaNテンプレート基板に、集束イオンビ... [more] | ED2009-132 CPM2009-106 LQE2009-111 pp.19-24 |
| ED, LQE, CPM (共催) |
2009-11-19 11:15 |
徳島 | 徳島大学（常三島キャンパス・工業会館） | RF-MBE法における新規高品質InN結晶成長手法の提案とInGaN結晶成長への応用 ○山口智広（立命館大）・名西やすし（立命館大/ソウル国立大） ED2009-133 CPM2009-107 LQE2009-112 |
InN成長のための新しいRF-MBE（radio-frequency plasma-assisted molecular... [more] | ED2009-133 CPM2009-107 LQE2009-112 pp.25-29 |
| ED, CPM, LQE (共催) |
2006-10-06 16:25 |
京都 | 京都大学 | ECR-MBE法による加工基板上InNナノドットの配列・サイズ制御 ○山口泰平・直井弘之・荒木 努・名西やすし（立命館大） |
[more] | ED2006-174 CPM2006-111 LQE2006-78 pp.117-120 |
| LQE, ED, CPM (共催) |
2005-10-13 09:30 |
滋賀 | 立命館大学 | 凹凸加工InNテンプレートを用いたInNの高品質化 ○武藤大祐・直井弘之・荒木 努・北川幸雄・黒内正仁・羅 ヒョンソク・名西やすし（立命館大） |
[more] | ED2005-118 CPM2005-105 LQE2005-45 pp.1-4 |
| LQE, ED, CPM (共催) |
2005-10-13 10:10 |
滋賀 | 立命館大学 | ECR-MBE法による(10-12)サファイア基板上(11-20)InNの成長 ～ 無極性InNの検討 ～ ○熊谷裕也・露口招弘・寺木邦子・荒木 努・直井弘之・名西やすし（立命館大） |
我々はECR-MBE法 (ECRプラズマ分子線エピタキシー法) を用いて、R面(10-12) サファイア基板に窒化処理を... [more] | ED2005-120 CPM2005-107 LQE2005-47 pp.9-12 |
| LQE, ED, CPM (共催) |
2005-10-13 10:30 |
滋賀 | 立命館大学 | 原子状水素照射によるInNの極性評価 ○早川祐矢・武藤大祐・直井弘之・鈴木 彰・荒木 努・名西やすし（立命館大） |
[more] | ED2005-121 CPM2005-108 LQE2005-48 pp.13-16 |
| LQE, ED, CPM (共催) |
2005-10-13 11:20 |
滋賀 | 立命館大学 | RF-MBE法によるInN/InGaN量子井戸構造の作製とその評価 ○黒内正仁・高堂真也・直井弘之・荒木 努・名西やすし（立命館大） |
[more] | ED2005-123 CPM2005-110 LQE2005-50 pp.23-28 |
| LQE, ED, CPM (共催) |
2005-10-13 16:00 |
滋賀 | 立命館大学 | GaN バッファ層リーク電流とルミネセンス強度との相関に関する研究 ○檜木啓宏（立命館大）・廣山雄一・土屋忠厳・山田朋幸・岩見正之・城川潤二郎（新機能素子研究開発協会）・荒木 努（立命館大）・鈴木 彰（新機能素子研究開発協会/立命館大）・名西やすし（立命館大） |
[more] | ED2005-133 CPM2005-120 LQE2005-60 pp.71-74 |
| LQE, ED, CPM (共催) |
2005-10-13 16:20 |
滋賀 | 立命館大学 | AlGaN/GaN HEMTのゲートリーク ○山田朋幸・土屋忠厳・城川潤二郎・岩見正之（新機能素子研究開発協会）・荒木 努（立命館大）・鈴木 彰（新機能素子研究開発協会/立命館大）・名西やすし（立命館大） |
[more] | ED2005-134 CPM2005-121 LQE2005-61 pp.75-78 |
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