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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| LQE, CPM, ED (共催) |
2017-11-30 15:50 |
愛知 | 名古屋工業大学 | 光電気化学反応を利用した窒化物半導体の低損傷エッチングと電子デバイスへの応用 ○植村圭佑・松本 悟・渡久地政周・伊藤圭亮・佐藤威友（北大）  ED2017-54 CPM2017-97 LQE2017-67 |
窒化物半導体に対して，光電気化学反応を利用した低損傷ウェットエッチングプロセスを開発した．GaNと電解液界面の光電気化学... [more] | ED2017-54 CPM2017-97 LQE2017-67 pp.23-26 |
| SDM | 2012-10-26 13:50 |
宮城 | 東北大学未来研 | シリコンウェーハプロセスにおける超高速ウェットエッチング技術 ○酒井 健・吉田達朗（東北大）・吉川和博（東北大/アプリシアテクノロジー）・大見忠弘（東北大） SDM2012-97 |
3次元高集積化技術のなかで、シリコンウェーハの薄化技術が重要視されている。本論文では、ウェットエッチングによるシリコンウ... [more] | SDM2012-97 pp.41-45 |
| SDM | 2009-10-29 15:30 |
宮城 | 東北大学 | 3次元チップ積層のためのウェットエッチングによるシリコンウェーハの薄化技術 ○吉川和博・大橋朋貢・吉田達朗・根本剛直・大見忠弘（東北大） SDM2009-120 |
3次元チップ積層は、半導体の新たな技術として開発が進められている。この3次元チップ積層と貫通電極(TSV)には、シリコン... [more] | SDM2009-120 pp.15-19 |
| SDM, ED (共催) |
2008-07-11 15:20 |
北海道 | かでる２・７（札幌） | Characterization of Ni/i-AlGaN/GaN Schottky Samples Fabricated after H3PO4-Etching ○Takayuki Sawada・Yuta Kaizuka・Kensuke Takahashi・Kazuaki Imai（Hokkaido Inst. of Tech.） ED2008-107 SDM2008-126 |
[more] | ED2008-107 SDM2008-126 pp.351-355 |
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