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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| SDM | 2018-11-08 10:20 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］電子デバイスの開発と教育における計算機シミュレーションの利用 ○内田 建（東大）・田中貴久（慶大）  SDM2018-65 |
ナノスケール世代における電子デバイスの開発では，量子効果を取り込み，バンド構造などを詳細に考慮した計算機シミュレーション... [more] | SDM2018-65 pp.7-10 |
| QIT (第二種研究会) |
2018-06-04 13:20 |
広島 | 広島国際会議場 小会議室ラン | ［ポスター講演］磁束量子ソリトンを用いた時間量子干渉の理論的研究 ○岩本阿南・畠中憲之（広島大） |
本研究では，巨視的な時間非局在性を明らかにすることを目的に，磁束量子ソリトンを用いた時間二重スリット実験を提案し，その確... [more] | |
| CPSY | 2011-10-21 14:35 |
兵庫 | 神戸大学大学院 | 量子モンテカルロ法による分子系のシミュレーション ○田中成典（神戸大） CPSY2011-33 |
量子多体系の厳密なシミュレーション手法である量子モンテカルロ法について，著者の成果を中心に紹介する．分子系の物性の第一原... [more] | CPSY2011-33 pp.47-48 |
| SDM | 2009-11-12 13:40 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］2009 SISPADレビュー (2) ○小川真人（神戸大） SDM2009-137 |
ホテル デル コロナドで開催された2009 SISPADの内容のうち，量子効果デバイス， ナノスケールデバイスについて... [more] |
SDM2009-137 pp.13-17 |
| SDM | 2009-11-13 13:00 |
東京 | 機械振興会館 | ［チュートリアル招待講演］薄層SOIデバイスの性能、有用性と今後の展開の見通し ～ 20年前の議論、10年前の議論と現在の課題 ～ ○大村泰久（関西大） SDM2009-146 |
本報告では、先ず、過去50年のSOIデバイス技術の歴史を見たとき、現代の薄層SOI MOSFET技術の到達点と近未来の3... [more] | SDM2009-146 pp.61-66 |
| SDM, VLD (共催) |
2007-10-30 15:00 |
東京 | 機械振興会館 | <110>チャネルnMOS移動度のストレスライナー膜による影響 ○高篠裕行・岡垣 健・内田哲也・林 岳・谷沢元昭・佃 栄次・永久克己・若原祥史・石川清志・土屋 修・井上靖朗（ルネサステクノロジ） VLD2007-57 SDM2007-201 |
電子の有効ハミルトニアンから剪断歪みと量子閉じ込め現象を取り込んだモデルを提 案。曲げ実験から65nmノードのストレス... [more] |
VLD2007-57 SDM2007-201 pp.33-36 |
| SDM, VLD (共催) |
2007-10-30 15:25 |
東京 | 機械振興会館 | Ge-pMOSFETにおける正孔輸送特性の歪み依存性解析 ○竹田 裕（NEC）・池澤健夫・河田道人（NEC情報システムズ）・羽根正巳（NEC） VLD2007-58 SDM2007-202 |
高移動度デバイスとして期待の高いGe デバイスの輸送特性の解析を行った．フルバンド・モンテカルロ・デバイスシミュレーショ... [more] | VLD2007-58 SDM2007-202 pp.37-41 |
| ICD | 2007-04-13 14:20 |
大分 | 大分県・湯布院・七色の風 | 二重接合を用いた２５ｎｍＳＯＮＯＳ型メモリ素子 ○大場竜二・三谷祐一郎・杉山直治・藤田 忍（東芝） ICD2007-16 |
ナノメートルスケールの導電性微小粒子を、薄いトンネル抵抗で挟んだ構造を、単電子トンネルを扱う分野では「二重接合」と言いま... [more] | ICD2007-16 pp.89-93 |
| SDM, ED (共催) |
2007-02-01 14:45 |
北海道 | 北海道大学 百年記念会館 | ［招待講演］SiGe系量子効果デバイス ～ 共鳴トンネルダイオード(RTD)とGeドットアレイ技術 ～ ○須田良幸・前川裕隆・佐野嘉洋・高橋陽一・小林忠正・花房宏明（東京農工大） |
地球資源的に有望なSi系材料を用いる次世代のナノデバイスとして，SiGe共鳴トンネルデバイス（RTD）および通信波長帯の... [more] | ED2006-243 SDM2006-231 pp.17-22 |
| SDM, VLD (共催) |
2006-09-26 15:00 |
東京 | 機械振興会館 | ナノスケールMOSFETのバリスティック輸送特性 ○土屋英昭・藤井一也・森 隆志・三好旦六（神戸大） |
キャリアのバリスティック輸送は，MOSFETの電流駆動力を向上させるテクノロジーブースターの一つとして期待されている。本... [more] | VLD2006-47 SDM2006-168 pp.49-54 |
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