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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| SDM | 2022-01-31 14:15 |
ONLINE | オンライン開催 | ［招待講演］高速荷電中心解析によるチャージトラップのダイナミクス把握に基づくHfO2-FeFETサイクル劣化メカニズム解明 ○市原玲華（キオクシア）  SDM2021-70 |
HfO2-FeFETで生じる様々な種類のチャージトラップのサイクル過程における挙動を、高速電流計測に基づく荷電中心解析に... [more] | SDM2021-70 pp.9-11 |
| SDM | 2014-11-06 14:40 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］電荷蓄積型メモリーのモデリング・シミュレーションと信頼性課題 ○石原貴光・安田直樹・藤井章輔（東芝） SDM2014-102 |
電荷蓄積層の欠陥準位への電子捕獲を利用した電荷蓄積型メモリーは、有力な次世代メモリー候補である．その動作機構は複雑であり... [more] | SDM2014-102 pp.37-42 |
| SDM | 2014-06-19 13:45 |
愛知 | 名古屋大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー | 第一原理計算を用いたSi-rich SiO2への水素・窒素原子の混入による影響の原子論的考察 ○白川裕規・山口慶太（筑波大）・神谷克政（神奈川工科大）・白石賢二（名大） SDM2014-52 |
MONOS (Metal-Oxide-Nitride-Oxide-Semiconductor ) 型メモリは、堅牢な電荷... [more] | SDM2014-52 pp.49-53 |
| ED, SDM (共催) |
2010-06-30 14:55 |
東京 | 東工大 大岡山キャンパス | The Impact of H2 Anneal on Resistive Switching in Pt/TiO2/Pt Structure ○Guobin Wei・Yuta Goto・Akio Ohta・Katsunori Makihara・Hideki Murakami・Seiichiro Higashi・Seiichi Miyazaki（Hiroshima Univ.） ED2010-57 SDM2010-58 |
[more] | ED2010-57 SDM2010-58 pp.31-36 |
| OME | 2008-12-11 14:30 |
東京 | 機械振興会館 | 有機EL現象を用いた交流電界下でのキャリア注入過程の評価と解析 ○大嶋優記・金 英輝・間中孝彰・岩本光正（東工大） OME2008-79 |
交流電界下での有機ELメカニズムを明らかにするため、OFETからのEL観測を行った。テトラセンFETに対して矩形波の交流... [more] | OME2008-79 pp.19-24 |
| SDM, ED (共催) |
2008-07-10 09:15 |
北海道 | かでる２・７（札幌） | Simulation of Retention Characteristics in Double-Gate Structure Multi-bit SONOS Flash Memories ○Doo-Hyun Kim・Il Han Park・Byung-Gook Park（Seoul National Univ.） ED2008-55 SDM2008-74 |
This paper presents a detailed study of the retention charac... [more] | ED2008-55 SDM2008-74 pp.81-84 |
| SDM | 2006-06-21 14:30 |
広島 | 広島大学, 学士会館 | La2O3-Al2O3複合膜における定電圧ストレス印加時の局所的な電荷捕獲とその放出過程 ○佐合寿文・世古明義・坂下満男・酒井 朗・小川正毅・財満鎭明（名大） |
高誘電率ゲート絶縁膜として期待されているLa2O3-Al2O3複合膜に着目し、定電圧ストレス印加中の局所リーク電流を電流... [more] | SDM2006-45 pp.19-24 |
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