| 電子情報通信学会 研究会発表申込システム 研究会 開催スケジュール |
技報閲覧サービス [ログイン] 技報アーカイブ |
すべての研究会開催スケジュール (検索条件: すべての年度)
| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| EID, ITE-IDY, IEE-EDD (連催) IEIJ-SSL, SID-JC (共催) (連催) [詳細] |
2020-01-23 13:05 |
鳥取 | 鳥取大鳥取キャンパス | ［ポスター講演］c面サファイアおよびSi (111)基板上への六方晶BN薄膜のCVD成長 ○名嘉眞朝泰・松下一貴・渡邊泰良・小南裕子・原 和彦（静岡大） |
BCl3とNH3を原料とする減圧化学気相法（CVD）を用いて、c面サファイアおよびSi (111)基板上へ六方晶窒化ホウ... [more] | |
| CPM, LQE, ED (共催) |
2013-11-29 13:30 |
大阪 | 大阪大学 吹田キャンパス | 270nm帯深紫外LEDの大面積形成 ○美濃卓哉（理研/パナソニック）・平山秀樹（理研）・野口憲路・高野隆好・椿 健治（理研/パナソニック）  ED2013-82 CPM2013-141 LQE2013-117 |
AlGaN系深紫外LEDの低コスト化を狙い，2インチ×3枚サイズのサセプタを用いた大面積形成技術を開発した．アンモニアパ... [more] | ED2013-82 CPM2013-141 LQE2013-117 pp.83-86 |
| EID, ITE-IDY, IEE-EDD, IEIJ-SSL (連催) |
2011-01-28 14:35 |
高知 | 高知工科大学 研究教育棟B | 深紫外領域AlGaN系結晶のフォトルミネッセンス評価 ○五十嵐航平・石岡 亮（埼玉大）・塚田悠介（埼玉大/理研）・福田武司・本多善太郎（埼玉大）・平山秀樹（埼玉大/理研）・鎌田憲彦（埼玉大） EID2010-31 |
波長200nm台の深紫外発光用AlGaN系結晶を高効率化するため，MOCVD成長温度880℃と920℃，Inフローの有無... [more] | EID2010-31 pp.41-44 |
| CPM, LQE, ED (共催) |
2010-11-11 15:20 |
大阪 | 阪大 中ノ島センター | 電子線励起したAlGaN/AlN量子井戸からの100 mW深紫外発光 ○大音隆男・Ryan G. Banal（京大）・片岡 研（ウシオ電機）・船戸 充・川上養一（京大） ED2010-150 CPM2010-116 LQE2010-106 |
AlGaNを用いた深紫外発光ダイオードの外部量子効率は5%以下と非常に低いのが現状である．その物理的原因として，p型のホ... [more] | ED2010-150 CPM2010-116 LQE2010-106 pp.37-40 |
[研究会発表申込システムのトップページに戻る]