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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| EID, ITE-IDY, IEE-EDD (連催) IEIJ-SSL, SID-JC (共催) (連催) [詳細] |
2020-01-24 11:10 |
鳥取 | 鳥取大鳥取キャンパス | ［ポスター講演］低温形成した陽極酸化アルミナ絶縁膜の膜物性評価とそのデバイス応用 ○河野守哉・森 海・是友大地・古田 守（高知工科大）  EID2019-16 |
フレキシブル薄膜トランジスタ(TFT)のゲート絶縁膜応用を目的とし、陽極酸化により低温形成した酸化アルミナ(Al2O3)... [more] | EID2019-16 pp.129-131 |
| SDM, OME (共催) |
2018-04-07 13:10 |
沖縄 | 沖縄県青年会館 | ［招待講演］酸化物半導体InGaZnOx薄膜トランジスタの特性制御 ○古田 守・アマン S G メハディ・是友大地・曲 勇作（高知工科大） SDM2018-6 OME2018-6 |
酸化物半導体をチャネル材料とした薄膜トランジスタ(TFT)は、従来の非晶質シリコンTFTに比較して10倍以上の電界効果移... [more] | SDM2018-6 OME2018-6 pp.25-28 |
| SDM, OME (共催) |
2018-04-07 13:50 |
沖縄 | 沖縄県青年会館 | InGaZnOxヘテロチャネルによる薄膜トランジスタ 東 龍之介・是友大地・田中宏怜（高知工科大）・髙橋誠一郎・八島 勇（三井金属鉱業）・○古田 守（高知工科大） SDM2018-7 OME2018-7 |
In–Ga–Zn–O薄膜トランジスタ(IGZO TFT)は非晶質シリコンTFTに比較して10倍以上の電界効果移動度を有す... [more] | SDM2018-7 OME2018-7 pp.29-31 |
| SDM, OME (共催) |
2018-04-07 14:15 |
沖縄 | 沖縄県青年会館 | InGaZnOX/AgOX酸化物ヘテロSchottky界面の起源とフレキシブルデバイス応用 ○曲 勇作・牧野久雄・橋本慎輔・濵田賢一朗・増田健太郎・古田 守（高知工科大） SDM2018-8 OME2018-8 |
In–Ga–Zn–O (IGZO)と酸化銀(AgOX)の酸化物ヘテロ接合は一般的な金属-酸化物半導体接合より良好なSch... [more] | SDM2018-8 OME2018-8 pp.33-36 |
| SDM, OME (共催) |
2016-04-09 10:50 |
沖縄 | 沖縄県立博物館・美術館 博物館講座室 | デバイスシミュレーションによるIn-Ga-Zn-O薄膜トランジスタのキャリア輸送メカニズムの解析 ～ バックチャネルキャリア濃度の影響 ～ ○是友大地・戸田達也（高知工科大）・松田時宜・木村 睦（龍谷大）・古田 守（高知工科大） SDM2016-14 OME2016-14 |
デバイスシミュレータ(ATLAS)を用い、In-Ga-Zn-O薄膜トランジスタ(IGZO TFT)におけるバックチャネル... [more] | SDM2016-14 OME2016-14 pp.57-60 |
| EID, SDM (共催) |
2015-12-14 13:45 |
京都 | 龍谷大学 響都ホール 校友会館 | RFマグネトロンスパッタリング法によるIn2O3薄膜の特性評価 ○吉岡敏博・小川淳史・弓削政博・松田時宜・木村 睦（龍谷大） EID2015-15 SDM2015-98 |
酸化物半導体は可視領域内の高い光透過率とアモルファス状態における優れた高い移動度が認められるため,アモルファスシリコンと... [more] | EID2015-15 SDM2015-98 pp.27-30 |
| ICD, ITE-IST (連催) |
2012-07-26 14:20 |
山形 | 山形大学米沢キャンパス | ［招待講演］パワーデバイス混載ミックスシグナルLSIテクノロジ ～ 高性能かつ高信頼度BiC-DMOSデバイス開発 ～ ○畑迫健一・新田哲也・羽根正巳・前川繁登（ルネサス エレクトロニクス） ICD2012-23 |
電気機器や電装品は“高効率かつ省エネルギー”が求められており、パワーデバイスやパワーデバイス内蔵LSIは中心デバイスに位... [more] | ICD2012-23 pp.25-29 |
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