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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| SDM | 2010-10-21 17:40 |
宮城 | 東北大学 | 薄膜アモルファスシリコンの低温結晶化 ○岩鍜治陽子・広田 潤・矢吹 宗・石田浩一・金子和香奈・水島一郎・赤堀浩史（東芝）  SDM2010-158 |
センサー、太陽電池、液晶など様々な製品にポリシリコンが多用されている。近年、それらデバイスに対し薄膜ポリシリコン層を用い... [more] | SDM2010-158 pp.31-34 |
| ED, SDM (共催) |
2010-07-02 10:00 |
東京 | 東工大 大岡山キャンパス | レーザー、熱アニーリング後のドープSi膜の電気的活性化 野口 隆・○鈴木俊治（琉球大） ED2010-85 SDM2010-86 |
ドープしたアモルファスSi膜に対して、RTA、レーザーアニールを施し有効な結晶化を行った。得られた膜の電気的（４探針法、... [more] | ED2010-85 SDM2010-86 pp.149-153 |
| SDM, OME (共催) |
2008-04-11 11:25 |
沖縄 | 沖縄県青年会館 | UV/可視ラマン分光法によるレーザー結晶化ポリシリコン薄膜の応力・結晶性の評価 ○掛村康人・小瀬村大亮・小椋厚志（明大）・野口 隆（琉球大） SDM2008-6 OME2008-6 |
低温ポリシリコン（LTPS）薄膜はシステムオングラス実現のためのキーマテリアルである。我々は、高精度・高空間分解能をもつ... [more] | SDM2008-6 OME2008-6 pp.27-32 |
| SDM | 2007-12-14 11:00 |
奈良 | 奈良先端科学技術大学院大学 | Poly-Si TFTにおける容量-電圧特性のシミュレーションによる解析 ○葛岡 毅・辻 博史・桐原正治・鎌倉良成・谷口研二（阪大） SDM2007-225 |
短チャネルpoly-Si TFTの容量‐電圧 (C-V) 特性について，2次元デバイスシミュレーションによる解析を行った... [more] | SDM2007-225 pp.15-18 |
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