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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| CPM | 2012-10-26 17:55 |
新潟 | まちなかキャンパス長岡 | Cu/metal/SiO2/Si構造における界面での拡散・反応挙動(I) ～ Va遷移金属の拡散挙動 ～ ○武山真弓・野矢 厚（北見工大）  CPM2012-103 |
LSIにおいて、Cu配線と層間絶縁膜との間には、優れたバリヤ特性を有するバリヤが必要不可欠である。しかしながら、これまで... [more] | CPM2012-103 pp.55-60 |
| SDM | 2011-07-04 09:00 |
愛知 | 名古屋大学（ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー） | 高温熱処理とMIPS構造によるLa-silicate/Si界面特性の改善と低EOTの実現 ○川那子高暢・角嶋邦之・Parhat Ahmet・筒井一生・西山 彰・杉井信之・名取研二・服部健雄・岩井 洋（東工大） SDM2011-50 |
本論文では、低EOTと良好な界面特性の両立に向けた直接接合La-silicate/Si構造の界面制御について報告する。8... [more] | SDM2011-50 pp.1-5 |
| MW, ED (共催) |
2011-01-14 13:00 |
東京 | 機械振興会館 | 3C-SiC-OI基板上でのMOSゲート絶縁膜のプロセス依存性 ○横山圭祐・中村浩之・中尾 基・大西克典（九工大） ED2010-187 MW2010-147 |
3C-SiC-OI基板上にMOS構造を作製し，そのゲート絶縁膜の特性を評価した．従来SiC上に熱酸化により形成されたSi... [more] | ED2010-187 MW2010-147 pp.65-68 |
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