Print edition: ISSN 0913-5685
[TOP] | [2006] | [2007] | [2008] | [2009] | [2010] | [2011] | [2012] | [Japanese] / [English]
CPM2006-40
ｒｆマグネトロンスパッタリング法によるガラス基板上GaドープZnO薄膜特性のGa濃度依存性
○那須紀光・長谷部博昭・武藤幸一・菊地新司・道上 修（岩手大）
pp. 1 - 4
CPM2006-41
Ar+H2ガス雰囲気中でのGaドープZnOスパッタ薄膜の成長
○武藤幸一・那須紀光・長谷部博昭・道上 修（岩手大）
pp. 5 - 8
CPM2006-42
MOCVD法によるSi(100)基板上ZnO薄膜形成
○輪島寿夫・廣瀬文彦（山形大）
pp. 9 - 13
CPM2006-43
スパッタビーム堆積法によるZnO薄膜の作製及び検討
○野口 亨・川上 歩・東出陽幸・清水英彦・丸山武男・岩野春男・川上貴浩（新潟大）・星 陽一（東京工芸大）
pp. 15 - 20
CPM2006-44
CVD法によるアナタース酸化チタン薄膜の低温形成
○廣瀬文彦・伊藤正志・松島 優（山形大）
pp. 21 - 23
CPM2006-45
プラズマアシスト電子ビーム蒸着法によるＴｉＯ２薄膜の高速成膜
○星 陽一・川口茂利・神谷 攻（東京工芸大）・清水英彦（新潟大）
pp. 25 - 29
CPM2006-46
Hot-Mesh CVD法を用いたSOI基板上への3C-SiC低温エピタキシャル成長
○三浦仁嗣・栗本大詩・黒木雄一郎・安井寛治・高田雅介・赤羽正志（長岡技科大）
pp. 31 - 36
CPM2006-47
Hot-mesh CVD法によるAlNバッファー層を用いたSiC/Si(111)上へのGaN成長
○田村和之・深田祐介・黒木雄一郎・高田雅介・安井寛治・赤羽正志（長岡技科大）
pp. 37 - 41
CPM2006-48
EuBa2Cu3O7-δ薄膜用CeO2バッファ層の厚膜化
○菊地景大・佐久間 純・藤原 聡・太田靖之・道上 修（岩手大）
pp. 43 - 46
CPM2006-49
マグネトロンスパッタリングで作製した厚膜CeO2バッファ層の表面性状の制御
○太田靖之・佐久間 純・木村 豊・益子弘識・道上 修（岩手大）
pp. 47 - 51
CPM2006-50
厚膜Sm2O3バッファ層上に成長したEuBa2Cu3O7-d薄膜の超伝導特性
○木村 豊・太田靖之・宇沼裕也・道上 修（岩手大）
pp. 53 - 56
CPM2006-51
対向ターゲットマグネトロンスパッタリング法を用いた大型超伝導薄膜に対する熱処理の効果
○武蔵慎吾・早坂伊織・高橋幸也・道上 修（岩手大）
pp. 57 - 62
CPM2006-52
対向ターゲットマグネトロンスパッタ法による大面積SmBa2Cu3O7-δ薄膜の作製に関する研究
○高橋幸也・武蔵慎吾・木村 豊・菊地新司・道上 修（岩手大）
pp. 63 - 67
CPM2006-53
粉体型磁性木材の構造と電波吸収特性（4）
○佐藤光治・岡 英夫（岩手大）・浪崎安冶（岩手県工技センター）
pp. 69 - 72
CPM2006-54
左手系媒質によるボール型レンズ
○米澤隆一・大坊真洋・田山典男（岩手大）
pp. 73 - 78
今後、次の点を修正する予定です。(1)欠けている表紙画像・奥付画像を補完いたします。(2)欠けている発行日の情報を補完いたします。
注： 本技術報告は査読を経ていない技術報告であり，推敲を加えられていずれかの場に発表されることがあります．