Print edition: ISSN 0913-5685
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CPM2006-113
スパッタ法によるAZO薄膜の作製
○川上 歩・野口 亨・東出陽幸・宮崎紳介・清水英彦・丸山武男・岩野春男・川上貴浩（新潟大）・星 陽一（東京工芸大）
pp. 1 - 5
CPM2006-114
プラスチック基板上へのITO薄膜の作製
○竹内正樹・森下和哉・梅津 岳・中田悠介・宮崎紳介・清水英彦・丸山武男・岩野春男・川上貴浩（新潟大）・星 陽一（東京工芸大）・皆川正寛（日本精機）
pp. 7 - 11
CPM2006-115
RFマグネトロンスパッタ法によるCr2O3薄膜の作製
○浅田 毅・長瀬研二朗・山田貴之・岩田展幸・山本 寛（日大）
pp. 13 - 18
CPM2006-116
Ni/Mo層上におけるカーボンナノチューブの成長制御
○奥山博基・岩田展幸・山本 寛（日大）
pp. 19 - 24
CPM2006-117
RF-MBE法により成長したAlInN薄膜のCL測定による評価
○味村 裕・寺嶋 亘（千葉大）・崔 成伯・石谷善博・吉川明彦（千葉大/JST）
pp. 25 - 30
CPM2006-118
反応性スパッタ法によるAlN薄膜の作製とLD用サブマウントへの応用
○塩野晃宏・中久木政秀・小林勲生・山上朋彦・林部林平（信州大）・小畑元樹（シチズンファインテック）・阿部克也・上村喜一（信州大）
pp. 31 - 35
CPM2006-119
Cu/ZrN/SiOC/Si構造の熱的安定性と界面モフォロジーの検討
○野矢 厚・佐藤 勝・武山真弓（北見工大）・青柳英二（東北大）
pp. 37 - 40
CPM2006-120
Cu配線のためのラジカル反応を用いた極薄TiNxバリヤの新規作製方法の検討
○武山真弓・柳田賢善・野矢 厚（北見工大）
pp. 41 - 46
CPM2006-121
HW法により成膜された極薄HfNx膜のCu/SiO2及びCu/SiOC間のバリヤ特性
○佐藤 勝・武山真弓・野矢 厚（北見工大）
pp. 47 - 52
CPM2006-122
IBS法による歪Si作製に向けた歪緩和SiGeの表面ラフネス制御
○山本 純・坂口勇太・成瀬公博・佐々木公洋（金沢大）
pp. 53 - 57
CPM2006-123
劣化エピタキシャル成長したSiGe薄膜の熱電性能 ～ 基板の影響 ～
○的場彰成・早平寿夫・都築崇博・佐々木公洋（金沢大）・岡本庸一・守本 純（防衛大）
pp. 59 - 63
CPM2006-124
SiC埋め込み型Geナノドット構造を目指した高密度ナノドット形成
○金丸哲史・荻原智明・安井寛治・赤羽正志・高田雅介（長岡技科大）
pp. 65 - 70
CPM2006-125
MOVPE成長したInN膜の成長中劣化現象
○杉田憲一・宝珍禎則・橋本明弘・山本暠勇（福井大）
pp. 71 - 74
CPM2006-126
制限反応スパッタ法によるZrO2薄膜作製における成長遅れ時間
○杉山英孝・小島述央・山岸大朗・周 英・佐々木公洋（金沢大）
pp. 75 - 79
CPM2006-127
酸素イオンのスパッタ照射による酸化物薄膜の作製装置
○千葉 忍（金沢大/CBC）・佐々木公洋（金沢大）・元木 詮（CBC）・畑 朋延（JST）・伊藤昭彦（芝浦メカトロニクス）
pp. 81 - 86
CPM2006-128
スパッタ法で作製されたNiCr薄膜の構造と抵抗温度係数(TCR)特性に及ぼす基板表面あらさの影響
○岩坪 聡・清水孝晃（富山県工技センター）
pp. 87 - 92
今後、次の点を修正する予定です。(1)欠けている表紙画像・奥付画像を補完いたします。(2)欠けている発行日の情報を補完いたします。
注： 本技術報告は査読を経ていない技術報告であり，推敲を加えられていずれかの場に発表されることがあります．