Print edition: ISSN 0913-5685
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SDM2006-194
［招待講演］トランジスタの動作点解析による故障箇所の特定
○真田 克（高知工科大）
pp. 1 - 6
SDM2006-195
Fe系シリサイドによるフォトニック結晶の作製
○國松俊佑・今井章文（京大）・秋山賢輔（神奈川県産技センター）・前田佳均（京大）
pp. 7 - 10
SDM2006-196
β-FeSi2のイオンビーム合成：アニールによるSi空孔の変化
○上西隆文・安藤裕一郎・前田佳均（京大）
pp. 11 - 14
SDM2006-197
トレンチ横型パワーMOSFETのホットキャリア耐性
○澤田睦美・松永慎一郎（富士電機アドバンストテクノロジー）・山路将晴・北村明夫（富士電機デバイステクノロジー）・藤島直人（富士電機アドバンストテクノロジー）
pp. 15 - 20
SDM2006-198
InP系HEMTのデバイス特性における界面平坦性の影響 ～ (411)A面方位基板による界面ラフネス散乱の抑制 ～
○渡邊一世（NICT）・篠原啓介（Rockwell）・北田貴弘（徳島大）・下村 哲（愛媛大）・遠藤 聡・山下良美・三村高志（富士通研）・冷水佐壽（奈良高専）・松井敏明（NICT）
pp. 21 - 25
SDM2006-199
AlGaN/GaN HEMTにおける1/f雑音特性の表面保護膜依存性
○松島孝典・中嶋正裕・野本一貴・佐藤政孝・中村 徹（法政大）
pp. 27 - 31
SDM2006-200
ナノメートルゲートAlGaN/GaN HFETにおける相互コンダクタンスのゲート長依存性劣化に関する検討
○葛西誠也・Alberto F. Basile・橋詰 保（北大）
pp. 33 - 38
SDM2006-201
AlGaN/GaN HFETにおけるAlNパッシベーションの効果
○上野弘明・村田智洋・石田秀俊・上田哲三・上本康裕・田中 毅・井上 薫（松下電器）
pp. 39 - 42
今後、次の点を修正する予定です。(1)欠けている表紙画像・奥付画像を補完いたします。(2)欠けている発行日の情報を補完いたします。
注： 本技術報告は査読を経ていない技術報告であり，推敲を加えられていずれかの場に発表されることがあります．