Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380
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VLD2007-50
周期的な不純物原子配列を有する半導体の電気伝導シミュレーション
○照沼知英・渡邉孝信・品田賢宏（早大）・鎌倉良成・谷口研二（阪大）・大泊 巌（早大）
pp. 1 - 4
VLD2007-51
量子補正モンテカルロシミュレーションによる非Si材料nチャネルMOSFETの電流駆動力評価
○森 隆志・東 祐介・土屋英昭（神戸大）
pp. 5 - 10
VLD2007-52
粗視化手法を用いた極微細MOSFETの量子輸送シミュレーション
ミリニコフ ゲナディ・○森 伸也・鎌倉良成（阪大）・江崎達也（広島大）
pp. 11 - 14
VLD2007-53
極微細マルチゲートデバイスにおける面方位依存性の検討
○三成英樹・西谷大祐・森 伸也（阪大）
pp. 15 - 18
VLD2007-54
［招待講演］パワー半導体でのデバイスシミュレーション技術について
○大村一郎（東芝）
pp. 19 - 22
VLD2007-55
相変化メモリのリセット特性のモデリング
○酒井 敦・園田賢一郎・茂庭昌弘・石川清志・土屋 修・井上靖朗（ルネサステクノロジ）
pp. 23 - 26
VLD2007-56
シミュレーションを用いた微小MOSFETにおける寄生抵抗の解析および抽出方法の検討
○辻井秀二・外園 明・藤原 実・川中 繁・東 篤志・青木伸俊・豊島義明（東芝）
pp. 27 - 32
VLD2007-57
<110>チャネルnMOS移動度のストレスライナー膜による影響
○高篠裕行・岡垣 健・内田哲也・林 岳・谷沢元昭・佃 栄次・永久克己・若原祥史・石川清志・土屋 修・井上靖朗（ルネサステクノロジ）
pp. 33 - 36
VLD2007-58
Ge-pMOSFETにおける正孔輸送特性の歪み依存性解析
○竹田 裕（NEC）・池澤健夫・河田道人（NEC情報システムズ）・羽根正巳（NEC）
pp. 37 - 41
VLD2007-59
65nmノード歪みpMOSFETのホール伝導における全応力の効果の検証
○佃 栄次（ルネサステクノロジ）・鎌倉良成（阪大）・高篠裕行・岡垣 健・内田哲也・林 岳・谷沢元昭・永久克己・若原祥史・石川清志・土屋 修・井上靖朗（ルネサステクノロジ）・谷口研二（阪大）
pp. 43 - 46
今後、次の点を修正する予定です。(1)欠けている表紙画像・奥付画像を補完いたします。(2)欠けている発行日の情報を補完いたします。
注： 本技術報告は査読を経ていない技術報告であり，推敲を加えられていずれかの場に発表されることがあります．