Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380
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ED2009-174
マイクロストリップ5モードステップインピーダンス共振器を用いた小型UWB帯域通過フィルタの設計
○別府昭人・馬 哲旺（埼玉大）・陳 春平・穴田哲夫（神奈川大）・小林禧夫（埼玉大）
pp. 1 - 6
ED2009-175
FR-4基板を用いた30GHz帯BITラインフィルタ
○表 祐介・黒木太司（呉高専）
pp. 7 - 10
ED2009-176
共振器で測定した複素誘電率による位相遅れδの評価
○杉山順一（産総研）
pp. 11 - 16
ED2009-177
4段コプレーナ共振器フィルタを用いたスプリアス抑制の広帯域化
○長福隆広・出口博之・辻 幹男（同志社大）・藤田容孝（シャープ）
pp. 17 - 21
ED2009-178
All-Pass/容量結合BPF切替形MMIC移相器
○幸丸竜太・半谷政毅・重永晃一・山口真美子・檜枝護重（三菱電機）
pp. 23 - 27
ED2009-179
左手系導波管の新しい構成法
池内裕章・○太田 勲（兵庫県立大）・岸原充佳（岡山県立大）・河合 正（兵庫県立大）・松本公志（古野電気）
pp. 29 - 34
ED2009-180
60GHz帯における帯域阻止形自己注入同期NRDガイドガン発振器の理論及び実験的検討
○大上晃一・黒木太司（呉高専）・米山 務（東北工大）
pp. 35 - 38
ED2009-181
Al2O3ゲート絶縁膜を用いたInP/InGaAsコンポジットチャネルMOSFET
○金澤 徹・若林和也・齋藤尚史・寺尾良輔・田島智宣・池田俊介・宮本恭幸・古屋一仁（東工大）
pp. 39 - 42
ED2009-182
HBTにおける高電流密度動作時エミッタ充電時間の電流反比例特性からの逸脱
○山田真之・上澤岳史・宮本恭幸・古屋一仁（東工大）
pp. 43 - 48
ED2009-183
周期的メサゲート構造を有するAlGaN/GaN HEMT
○大井幸多・橋詰 保（北大）
pp. 49 - 53
ED2009-184
［招待講演］高性能ZnO系FETの開発 ～ デバイス応用と高周波特性 ～
○佐々誠彦・小池一歩・前元利彦・矢野満明・井上正崇（阪工大）
pp. 55 - 60
ED2009-185
Al2O3/AlGaN/GaNおよびAl2O3/n-GaN構造における界面特性
○水江千帆子・堀 祐臣・橋詰 保（北大）
pp. 61 - 64
ED2009-186
HfO2/AlGaN/GaN MOSFETの過渡応答解析
○林 慶寿・岸本 茂・水谷 孝（名大）
pp. 65 - 70
ED2009-187
再成長AlGaNコンタクト層を有する圧縮歪みInAlN/AlGaN/GaN FETs
○廣木正伸・前田就彦・重川直輝（NTT）
pp. 71 - 76
ED2009-188
AlN基板上のAlGaNチャネルHEMT
○橋本 信・秋田勝史・田辺達也・中幡英章（住友電工）・竹田健一郎・天野 浩（名城大）
pp. 77 - 80
ED2009-189
閾値電圧制御性に優れたノーマリオフAlGaN/GaN HFET
○大田一樹・遠藤一臣・岡本康宏・安藤裕二・宮本広信・嶋脇秀徳（NEC）
pp. 81 - 85
ED2009-190
75nm InP HEMTによる20Gb/s 4.9ps短パルス発生器の開発
○中舍安宏・川野陽一・鈴木俊秀（富士通）・多木俊裕（富士通研）・高橋 剛・牧山剛三・原 直紀（富士通）
pp. 87 - 92
ED2009-191
InP HBTによる32-GS/s 6-bitダブルサンプリング型D/A変換器
○長谷宗彦・野坂秀之・山中祥吾・佐野公一・村田浩一（NTT）
pp. 93 - 97
ED2009-192
InPによるPVT補償回路付き擬似正弦波関数発生器 ～ ベクトル合成型多相器の線形制御のために ～
○野坂秀之・長谷宗彦・山中祥吾・佐野公一・村田浩一（NTT）
pp. 99 - 103
ED2009-193
低電圧・広帯域動作CDMA用HBT電力増幅器
○山本和也・岡村篤司・松塚隆之・吉井 泰・鈴木 敏・中山正敏・紫村輝之・吉田直人（三菱電機）
pp. 105 - 110
ED2009-194
50%比帯域を有するX帯高耐電力GaN HEMT T/Rスイッチ
○半谷政毅・垂井幸宣・加茂宣卓・檜枝護重（三菱電機）
pp. 111 - 115
ED2009-195
WLCSP技術を用いた次世代通信向け高性能・低コストMMICの開発
○藤田清次・今川昌樹・佐藤富雄・徳満恒雄・長谷川祐一（住友電工）
pp. 117 - 121
注： 本技術報告は査読を経ていない技術報告であり，推敲を加えられていずれかの場に発表されることがあります．