Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380
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ED2012-112
94GHz帯NRDガイドの設計
○黒木太司・井上晋吾・森田智紀・久保遥平(呉高専)
pp. 1 - 4
ED2012-113
放送、通信用の電波を対象とした電磁波エネルギー回収の回路検討
○北沢祥一・鴨田浩和・花澤理宏・阿野 進・伴 弘司・小林 聖(ATR)
pp. 5 - 10
ED2012-114
FETの寄生素子を考慮した伝送線路帰還FET発振回路のQファクタシミュレーションとSSB雑音測定
○南 昂孝・崎原孫周・ウリン トヤ・上原秀幸・大平 孝(豊橋技科大)
pp. 11 - 16
ED2012-115
Double-layer Corporate-feed Hollow-waveguide Slot Array Antenna and Its Data Transmission Test Results in millimeter wave band
○Dongjin Kim・Jiro Hirokawa・Makoto Ando(Tokyo Institute of Tech.)・Jun Takeuchi・Akihiko Hirata(NTT)・Tadao Nagatsuma(Osaka Univ.)
pp. 17 - 22
ED2012-116
120GHz帯20Gb/s QPSK送信/受信モジュール
○高橋宏行・小杉敏彦・枚田明彦・竹内 淳・村田浩一・久々津直哉(NTT)
pp. 23 - 28
ED2012-117
120GHz帯無線の気象条件に起因する減衰変化速度の評価
○枚田明彦・竹内 淳・高橋宏行・久々津直哉(NTT)
pp. 29 - 33
ED2012-118
Low-loss On Chip CMOS Patterned Ground Coplanar Waveguide Transmission Line for Millimeter-wave Technology
○Dayang Azra Binti Awang Mat・Ramesh K. Pokharel・Rohana Sapawi・Haruichi Kanaya・Keiji Yoshida(Kyushu Univ.)
pp. 35 - 38
ED2012-119
ハーフモードグルーブガイドを用いた無線電力伝送用0dBカプラの検討
○森 星弥・岸原充佳・大久保賢祐・滝本裕則(岡山県立大)・太田 勲(兵庫県立大)
pp. 39 - 44
ED2012-120
2.6GHz帯40W広帯域ドハティアンプの開発
○由村典宏・渡辺直樹・出口博昭・宇井範彦(住友電工デバイスイノベーション)
pp. 45 - 48
ED2012-121
短ゲート化によるSSPS用GaN増幅器の高効率化検討
○山口裕太郎・大石敏之・大塚浩志・吉岡貴章・小山英寿・鮫島文典・津山祥紀・山中宏治(三菱電機)
pp. 49 - 52
ED2012-122
Siショットキーバリアダイオードを集積化したGaNトランジスタによるDC-DCコンバータの高効率動作
○宇治田信二・森田竜夫・梅田英和・木下雄介・田村聡之・按田義治・上田哲三・田中 毅(パナソニック)
pp. 53 - 56
ED2012-123
ソースフィールドプレート構造AlGaN/GaN HEMTのラグ現象,電流コラプス及び耐圧特性の解析
○塙 秀之・小野寺 啓・堀尾和重(芝浦工大)
pp. 57 - 62
ED2012-124
GaNパワーデバイスのスイッチング特性における深い準位の影響
○田中健一郎・石田昌宏・上田哲三・田中 毅(パナソニック)
pp. 63 - 68
ED2012-125
AlGaN/GaN HEMTのドレインリーク電流解析
○林 一夫・大石敏之・加茂宣卓・山口裕太郎・大塚浩志・山中宏治・中山正敏(三菱電機)・宮本恭幸(東工大)
pp. 69 - 74
ED2012-126
SiCNゲート絶縁膜を用いたAlGaN/GaN MISゲートHEMT
○小林健悟・吉田智洋・尾辻泰一・片山竜二・松岡隆志・末光哲也(東北大)
pp. 75 - 78
ED2012-127
多層SiCN鋳型を用いたT型ゲート電極を用いたInGaAs HEMT
○吉田智洋・小林健悟・尾辻泰一・末光哲也(東北大)
pp. 79 - 84
注: 本技術報告は査読を経ていない技術報告であり,推敲を加えられていずれかの場に発表されることがあります.