Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380
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SDM2014-96
非対称ダブル・ゲート横型トンネルFETの解析モデル
○呂 鴻飛・佐藤伸吾・大村泰久（関西大）・アブヒジット マリック（カルカッタ大）
pp. 1 - 6
SDM2014-97
Gate-on-Germanium Source (GoGeS)縦型トンネルFETの解析モデルの検討
○大村泰久・佐藤伸吾（関西大）・アブヒジット マリック（カルカッタ大）
pp. 7 - 12
SDM2014-98
モンテカルロ法によるSiCへの3次元不純物イオン注入計算
○岡本 稔・清水 守・大倉康幸・山口 憲・小池秀耀（アドバンスソフト）
pp. 13 - 18
SDM2014-99
SiCパワーデバイス(DioMOS)のSPICEモデルの構築 ～ 双対性による逆方向電流のモデル化 ～
○山本哲也・澤井徹郎・堀川信之・神澤好彦・水谷研治・大塚信之・藤井英治（パナソニック）
pp. 19 - 24
SDM2014-100
［招待講演］デバイス・シミュレーション ～ 30年間を振り返って ～
○執行直之（東芝）
pp. 25 - 30
SDM2014-101
［招待講演］計算物理に基づく電子材料設計の最近の進展
○影島博之（島根大）
pp. 31 - 36
SDM2014-102
［招待講演］電荷蓄積型メモリーのモデリング・シミュレーションと信頼性課題
○石原貴光・安田直樹・藤井章輔（東芝）
pp. 37 - 42
SDM2014-103
［招待講演］SISPAD 2014 レビュー
○園田賢一郎（ルネサス エレクトロニクス）
pp. 43 - 46
SDM2014-104
半導体Si結晶育成中の点欠陥挙動に与える熱応力とドーパントの効果
○末岡浩治・神山栄治・中村浩三（岡山県立大）・イアン ファンヘレモント（ゲント大）
pp. 47 - 52
SDM2014-105
モンテカルロ法を用いたSiダブルゲート構造MOSFETの準バリスティック輸送係数の抽出
○土屋英昭・石田良馬（神戸大）・鎌倉良成・森 伸也（阪大）・宇野重康（立命館大）・小川真人（神戸大）
pp. 53 - 58
SDM2014-106
［招待講演］ランダムテレグラフノイズの統計解析とそのモデリング
○三木浩史（日立）
pp. 59 - 64
SDM2014-107
［招待講演］Interface Engineering for High Mobility Ge MOSFETs: Surface Orientation and Scattering Mechanism
○ChoongHyun Lee・Tomonori Nishimura・Akira Toriumi（Univ. of Tokyo）
pp. 65 - 70
注： 本技術報告は査読を経ていない技術報告であり，推敲を加えられていずれかの場に発表されることがあります．