電子情報通信学会技術研究報告

Print edition: ISSN 0913-5685      Online edition: ISSN 2432-6380

Volume 115, Number 417

シリコン材料・デバイス

開催日 2016-01-22 / 発行日 2016-01-15

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目次

SDM2015-108
[招待講演]400万個のマイクロバンプ接続を有する1600画素3次元積層型イメージセンサの信頼性試験結果
○竹本良章・高澤直裕・月村光弘・齊藤晴久・近藤 亨・加藤秀樹・青木 潤・小林賢司・鈴木俊介・五味祐一・松田成介・只木芳隆(オリンパス)
pp. 1 - 4

SDM2015-109
[招待講演]常温12年応力変動の結果から銅配線のストレスマイグレーションメカニズムの再考
○松山英也(ソシオネクスト)・鈴木貴志・中村友二(富士通研)・塩津基樹・江原英郎(三重富士通セミコンダクター)
pp. 5 - 8

SDM2015-110
Copper Thin Film Growth using Cu(I) Amidinate Precursor in Supercritical Carbon Dioxide
○Md Rasadujjaman・Mitsuhiro Watanabe(Univ. Yamanashi)・Hiroshi Sudoh・Hideaki Machida(Gas phase growth)・Eiichi Kondoh(Univ. Yamanashi)
pp. 9 - 12

SDM2015-111
BTA-H2O2溶液中におけるCu表面のその場エリプソメトリ
○川上達也・近藤英一・渡邉満洋(山梨大)・濱田聡美・嶋 昇平・檜山浩國(荏原製作所)
pp. 13 - 15

SDM2015-112
[招待講演]低温作製された窒化物薄膜の特性
○武山真弓・佐藤 勝(北見工大)・小林靖志・中田義弘・中村友二(富士通研)・野矢 厚(北見工大)
pp. 17 - 20

SDM2015-113
ラジカル処理を用いた低温TiNx膜の特性評価
○佐藤 勝・武山真弓・野矢 厚(北見工大)
pp. 21 - 24

SDM2015-114
Fabrication of highly reliable Co(W) thin film by physical vapor deposition for next generation ULSI Cu interconnects
○Taewoong Kim・Kouta Tomita・Takeshi Momose(Univ. of Tokyo)・Takaaki Tsunoda・Takayuki Moriwaki(CANON ANELVA)・Yukihiro Shimogaki(Univ. of Tokyo)
pp. 25 - 28

SDM2015-115
Fabrication of Multilayer Graphene by Solid-Phase Precipitation with Current Stress
○MD Sahab Uddin・Hiroyasu Ichikawa・Shota Sano(SIT)・Kazuyoshi Ueno(SIT/RCGI)
pp. 29 - 32

SDM2015-116
[招待講演]バンプレスインターコネクトを用いた三次元積層デバイス向けのウエハ薄化評価結果
○金 永ソク・児玉祥一・水島賢子・中村友二・前田展秀・藤本興治(東工大)・川合章仁(ディスコ)・大場隆之(東工大)
pp. 33 - 37

SDM2015-117
[招待講演]Novel reconfigured wafer-to-wafer(W2W) hybrid bonding technology using ultra-high density nano-Cu filaments for exascale 2.5D/3D integration
○Kangwook Lee・Taksfumi Fukushima・Tetsu Tanaka・Mitsumasa Koyanagi(Tohoku Univ.)
pp. 39 - 43

SDM2015-118
[招待講演]2.5D/3D TSV用実装材料技術
○満倉一行・牧野竜也・畠山恵一(日立化成)・Kenneth June Rebibis・Andy Miller・Eric Beyne(IMEC)
pp. 45 - 47

SDM2015-119
[招待講演]印刷によるTSV形成技術の開発 ~ ナノ・ファンクション材料技術の展開 ~
○池田博明・関根重信・木村竜司・下川耕一・岡田圭二・進藤広明・大井達也・玉木玲衣(ナプラ)・永田 真(神戸大)
pp. 49 - 54

注: 本技術報告は査読を経ていない技術報告であり,推敲を加えられていずれかの場に発表されることがあります.


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