Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380
[TOP] | [2014] | [2015] | [2016] | [2017] | [2018] | [2019] | [2020] | [Japanese] / [English]
CPM2017-1
フレキシブル基板上室内用有機薄膜太陽電池の作製と評価
○川松祐介・伊藤瑞起・加藤慎也・曽我哲夫・岸 直希（名工大）
pp. 1 - 5
CPM2017-2
真空蒸着法によるSnS堆積に関する研究
○高野 泰・菅沼幸雄（静岡大）
pp. 7 - 10
CPM2017-3
電気化学堆積法によるNiO薄膜の作製
○古山実季・市村正也（名工大）
pp. 11 - 16
CPM2017-4
ドロップ光化学堆積法によるn型AlOx薄膜の作製
○梅村将成・市村正也（名工大）
pp. 17 - 22
CPM2017-5
電気化学堆積法によるCu添加p型Fe-O薄膜半導体の作製
○小林悟史・市村正也（名工大）
pp. 23 - 28
CPM2017-6
多モード干渉を用いた表面プラズモン論理回路の開発
○渡邊 領・太田 雅・菊地裕大・平野智裕・石井佑弥・福田光男（豊橋技科大）
pp. 29 - 32
CPM2017-7
ボウタイ型金属導波路を用いたプラズモニック保持回路の開発
○古木崇裕・太田 雅・石井佑弥・福田光男（豊橋技科大）
pp. 33 - 37
CPM2017-8
表面プラズモンポラリトンを用いた合分波器および信号反転器の開発
○中山昂太郎・住村あさひ・外岡悠汰・太田 雅・石井佑弥・福田光男（豊橋技科大）
pp. 39 - 44
CPM2017-9
GaSb/Si(111)-√3×√3-Ga表面相上へのInGaSb薄膜のヘテロエピタキシャル成長
モハマド モンズール・○森 雅之・下山浩哉・前澤宏一（富山大）
pp. 45 - 49
CPM2017-10
水溶液浸漬による4H-SiC(0001)Si面における表面再結合の抑制
○加藤正史・市川義人・市村正也（名工大）・木本恒暢（京大）
pp. 51 - 54
CPM2017-11
GaN基板上GaNエピ層のマイクロ波光導電減衰法による評価
○浅田貴斗・市川義人（名工大）・伊藤健治・冨田一義・成田哲生（豊田中研）・加地 徹（名大）・加藤正史（名工大）
pp. 55 - 58
CPM2017-12
N-polar GaN MIS-HEMTs with Flat Interface Grown by Optimized MOVPE
○Kiattiwut Prasertsuk・Tomoyuki Tanikawa・Takeshi Kimura・Shigeyuki Kuboya・Tetsuya Suemitsu・Takashi Matsuoka（Tohoku Univ.）
pp. 59 - 64
注： 本技術報告は査読を経ていない技術報告であり，推敲を加えられていずれかの場に発表されることがあります．