Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380
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SDM2019-68
［招待講演］2019 SISPADレビュー
○鎌倉良成（阪工大）
pp. 1 - 3
SDM2019-69
［招待講演］強誘電体HfO2トンネル接合メモリのスケーラビリティに関する検討
○小林正治・莫 非・多川友作・更屋拓哉・平本俊郎（東大）
pp. 5 - 8
SDM2019-70
［招待講演］Understanding the interface in 2D layered transistors
○Kosuke Nagashio（UTokyo）
pp. 9 - 10
SDM2019-71
［招待講演］ビーム実験による原子スケールプロセスにおける表面反応解析
○唐橋一浩・伊藤智子・浜口智志（阪大）
pp. 11 - 16
SDM2019-72
［招待講演］産業応用を目指したコンパクトモデルの開発
○三浦道子（広島大）
pp. 17 - 20
SDM2019-73
3Dフラッシュメモリの製造技術を用いた積層型論理回路の設計法 ～ 全加算器の設計法、低消費電力設計法 ～
○鈴木章矢・渡辺重佳（湘南工科大）
pp. 21 - 25
SDM2019-74
［招待講演］強誘電体電界効果トランジスタの動的挙動のデバイスシミュレーション
○服部淳一・池上 努・福田浩一・太田裕之・右田真司・浅井栄大（産総研）
pp. 27 - 32
SDM2019-75
［招待講演］不純物の離散性に伴った半導体デバイスモデリングの基本的側面 II ～ 半導体ナノ構造におけるランダム不純物 ～
○佐野伸行（筑波大）
pp. 33 - 38
SDM2019-76
［招待講演］SiC酸化プロセスの第一原理分子動力学解析
○大野隆央（物質・材料研究機構）
pp. 39 - 44
SDM2019-77
［招待講演］トレンチゲート型Si-IGBTの3次元精密TCADシミュレーション
○渡辺正裕・執行直之・星井拓也・古川和由・角嶋邦之（東工大）・佐藤克己（三菱電機）・末代知子（東芝デバイス&ストレージ）・更屋拓哉・高倉俊彦・伊藤一夫・福井宗利・鈴木慎一・竹内 潔（東大）・宗田伊里也・若林 整（東工大）・中島 昭（産総研）・西澤伸一（九大）・筒井一生（東工大）・平本俊郎（東大）・大橋弘通・岩井 洋（東工大）
pp. 45 - 48
SDM2019-78
［招待講演］6.5kV IGBTにおける飽和電流とテール電流のTCADキャリブレーションの方法と考察
○諏訪剛史・早瀬茂昭（東芝デバイス&ストレージ）
pp. 49 - 54
SDM2019-79
［招待講演］先進CMOSイメージセンサ開発へ向けたRTSノイズの計測・解析技術
○黒田理人（東北大）
pp. 55 - 58
注： 本技術報告は査読を経ていない技術報告であり，推敲を加えられていずれかの場に発表されることがあります．