電子情報通信学会技術研究報告

Online edition: ISSN 2432-6380

シリコン材料・デバイス

開催日 2023-01-30 / 発行日 2023-01-23

SDM2022-79
［招待講演］セル面積極小化に向けたIGZO/Ge/2Si異種チャネル3次元集積型6T SRAMの開発
○張　文馨（産総研）・余　心仁・洪　子杰・李　耀仁（台湾半導体研究中心）・趙　天生（台湾陽明交通大）・王　永和（台湾成功大）・前田辰郎（産総研）
pp. 1 - 4

SDM2022-80
［招待講演］高耐圧CAAC-IGZO FETと0.06μm2の酸化ハフニウム系強誘電体材料を用いたデータ書き換え時間が10n秒のFeRAM
○大嶋和晃・遠藤正己・沼田至優・恵木勇司・井坂史人・大野敏和・手塚祐朗・濱田俊樹・古谷一馬・津田一樹・松嵜隆徳・大貫達也・村川　努・國武寛司（半導体エネルギー研）・小林正治（東大）・山﨑舜平（半導体エネルギー研）
pp. 5 - 8

SDM2022-81
［招待講演］25 nm iPMA-type Hexa-MTJ with solder reflow capability and endurance >107 for eFlash-type MRAM
H Honjoi・K Nishioka・S Miura・○Hiroshi Naganuma・T Watanabe・T Nasuno・T Tanigawa・Y Noguchi・H Inoue・M Yasuhiro・S Ikeda・T Endoh（Tohoku Univ.）
pp. 9 - 12

SDM2022-82
［招待講演］RonAと逆導通信頼性のトレードオフ改善を実現する、SiC-MOSFETにおける効果的なSBD内蔵構造
○朝羽俊介・古川　大・楠本雄司（東芝デバイス&ストレージ）・飯島良介（東芝）・河野洋志（東芝デバイス&ストレージ）
pp. 13 - 16

SDM2022-83
［招待講演］Ge2Sb2Te3S2を用いた不揮発性相変化中赤外光位相シフタ
○宮武悠人（東大）・牧野孝太郎・富永淳二・宮田典幸・中野隆志・岡野　誠（産総研）・トープラサートポンカシディット・高木信一・竹中　充（東大）
pp. 17 - 20

SDM2022-84
［招待講演］未来のテラヘルツ応用に向けた共鳴トンネルダイオード技術
○鈴木左文（東工大）
pp. 21 - 24

注：本技術報告は査読を経ていない技術報告であり，推敲を加えられていずれかの場に発表されることがあります．

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