Online edition: ISSN 2432-6380
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SDM2023-74
［招待講演］mK評価が明らかにするMOSFET極低温動作におけるバンド端準位の役割
○岡 博史・浅井栄大・稲葉 工・下方駿佑・由井 斉・更田裕司・飯塚将太・加藤公彦・中山隆史・森 貴洋（産総研）
pp. 1 - 4
SDM2023-75
［招待講演］プラズマ支援原子層堆積法で形成したAlN界面層を用いたAlSiO/p-GaN MOSFETの分極制御
○伊藤健治・成田哲生・井口紘子・岩崎四郎・菊田大悟（豊田中研）・狩野絵美・五十嵐信行・冨田一義・堀田昌宏・須田 淳（名大）
pp. 5 - 8
SDM2023-76
［招待講演］3D Flash Memory向けCMOS Directly Bonded to Array (CBA) 技術
○田上政由（キオクシア）
pp. 9 - 12
SDM2023-77
［招待講演］CBA(CMOS Directly Bonded to Array)技術を適用した、インターフェース速度3.2Gbps・プログラム速度205MB/sの高性能3次元フラッシュメモリ
○小林茂樹・田代健二・峯村洋一・中上恒平・有田幸司・大橋貴志（キオクシア）・舟山幸太・酒井久弥・虫賀満輝・岡部堅一・菅野善宏・清水 悟・藤倉栄一・中江彰宏・山口謙介（ウエスタンデジタル）・山脇秀之・中嶋一明・佐藤 充（キオクシア）
pp. 13 - 16
SDM2023-78
［招待講演］チャージトラップ制御によるHfO-FeFETのEndurance改善
○鈴木都文・佐久間 究・吉村瑶子・市原玲華・松尾和展・萩島大輔・藤原 実・齋藤真澄（キオクシア）
pp. 17 - 19
SDM2023-79
［招待講演］３次元構造強誘電体キャパシタを有する低電圧かつ高信頼性1T1C型FeRAM ～ IEDM2023報告内容 ～
○奥野 潤・国広恭史・周藤悠介・米内飛翔・小野 凌（ソニーセミコン）・ルーベン アルカーラ（ナムラボ）・マキシミリアン レダー・コンラッド ザイダル（フラウンホーファー）・トーマス ミコラジック・ウベ シュローダー（ナムラボ）・梅林 拓（ソニーセミコン）
pp. 20 - 23
SDM2023-80
［招待講演］HfZrO2系強誘電体FETを用いた物理リザバーコンピューティング
○高木信一・トープラサートポン カシディット・名幸瑛心・鈴木陸央・閔 信義・竹中 充・中根了昌（東大）
pp. 24 - 27
注： 本技術報告は査読を経ていない技術報告であり，推敲を加えられていずれかの場に発表されることがあります．