Online edition: ISSN 2432-6380
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MW2024-152
周波数及びビーム方向可変マイクロストリップフィルタリングアレーアンテナ
○渡邉一瑳（埼玉大）・大平昌敬（同志社大）・馬 哲旺（埼玉大）・出口博之（同志社大）
pp. 1 - 6
MW2024-153
隣接共振器間の結合のみで実現するスタック構造有極形フィルタリングアレーアンテナの設計
○池田千晴（埼玉大）・大平昌敬（同志社大）・馬 哲旺（埼玉大）・出口博之（同志社大）
pp. 7 - 12
MW2024-154
E面テーパー導波管を用いたチョーク広帯域化の実験検討
○草間裕介・村山京平（東洋大）
pp. 13 - 18
MW2024-155
誘電体導波路間接続アダプタの性能評価
○松平淳哉（NTTドコモ）・濱田裕史（NTTドコモ/現所属:NTT）・福田敦史・羽田文彦・鈴木恭宜（NTTドコモ）
pp. 19 - 23
MW2024-156
大電力整流用ダイオードの閾値の最適化
○廣瀬裕也・坂井尚貴・津留正臣・伊東健治（金沢工大）
pp. 24 - 29
MW2024-157
高速ビームステアリングに向けた高速位相切換電流モード移相器
○小林亜彩香・今西 蓮・野坂秀之（立命館大）
pp. 30 - 35
MW2024-158
水素終端ダイヤモンドRF MOSFETの高温特性評価と小信号モデリング
○古市朋之（東北大）・川島宏幸・若井知子・山口卓宏（大熊ダイヤモンドデバイス）・金子純一（北大）・梅沢 仁（大熊ダイヤモンドデバイス）・末松憲治（東北大）
pp. 36 - 40
MW2024-159
［特別講演］Sub-THz CMOS-InP Hybrid Phased-Array Transmitter
○Ibrahim Abdo・Teruo Jyo・Adam Pander・Hitoshi Wakita・Yuta Shiratori・Miwa Muto・Hiroshi Hamada・Munehiko Nagatani（NTT）・Carrel da Gomez・Chun Wang・Kota Hatano・Chenxin Liu・Ashbir Aviat Fadila・Jian Pang・Atsushi Shirane・Kenichi Okada（Science Tokyo）・Hiroyuki Takahashi（NTT）
pp. 41 - 44
MW2024-160
［特別講演］帯域トリプラ：光ファイバ送信機のためのイメージ除去アナログマルチプレクサを用いた広帯域信号生成
○川原啓輔・澤田 晟・加茂 巧・楳田洋太郎・高野恭弥（東京理科大）・原 紳介（NICT）
p. 45
MW2024-161
［特別講演］Si基板上GaN-HEMTにおける基板中のRFリーク電流を考慮した半物理大信号モデル
○山口裕太郎（三菱電機）・大石敏之（佐賀大）
pp. 46 - 51
MW2024-162
CRLH線路スタブによる広帯域高調波処理回路を用いた3.2-4.2GHz帯 広帯域Sequential-LMBA
○浅見紘考（住友電工）・住吉高志・山本 洋（SEDI）・前畠 貴（住友電工）
pp. 52 - 55
MW2024-163
GaN HEMTの表面・GaNトラップが低周波Yパラメータのドレイン電圧依存性に与える影響（シミュレーション）
○大石敏之・金光温大（佐賀大）・久樂 顕・山口裕太郎・新庄真太郎・山中宏治（三菱電機）
pp. 56 - 59
MW2024-164
MOVPE法におけるInAlGaN成長の気相反応解析
○吉岡尚輝・野々田亮平・惠良淳史・畠中 奨・小島善樹（三菱電機）
pp. 60 - 62
MW2024-165
ALD-SiNx/GaN MIS界面特性における極性面及び非極性面へのドライエッチング誘起損傷とTMAH処理による回復効果
○吉嗣晃治・山田高寛・滝口雄貴・友久伸吾・長永隆志（三菱電機）・宮本恭幸（科学大）
pp. 63 - 66
MW2024-166
［招待講演］Beyond 5G応用に向けたAlGaN/GaNデュアルゲートHEMTの検討
○安藤裕二・高橋英匡・牧迫隆太郎（名大）・分島彰男（熊本大）・須田 淳（名大）
pp. 67 - 72
MW2024-167
［招待講演］100 GHz帯1 W級パワーアンプ向けGaN系HEMTの開発
○尾崎史朗・熊崎祐介・中舍安宏・山田敦史・原 直紀・多木俊裕（富士通）
pp. 73 - 76
注： 本技術報告は査読を経ていない技術報告であり，推敲を加えられていずれかの場に発表されることがあります．