電子情報通信学会技術研究報告

Online edition: ISSN 2432-6380

Volume 125, Number 287

電子デバイス

開催日 2025-12-11 - 2025-12-12 / 発行日 2025-12-04

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目次

ED2025-41
[招待講演]電界放出顕微鏡(FEM)を用いた吸着分子波動関数の実時間・実空間での可視化
○佐々木正洋(筑波大)
pp. 1 - 4

ED2025-42
高温超伝導体からの電界電子放出の面方位依存性
○若家冨士男・田邉詩祐・阿保 智(阪大)・長尾昌善・村上勝久(産総研)
pp. 5 - 6

ED2025-43
カーボンナノチューブのエミッション電流パターンの計算(その3) ~ 時間依存密度汎関数法と密度汎関数法を比較 ~
○樋口敏春,山田洋一・佐々木正洋(筑波大)
pp. 7 - 10

ED2025-44
空間電荷効果を考慮した一般3次元境界電荷法の代用電荷計算の改善
○鈴木悠斗・村田英一・田中崇之・六田英治(名城大)
pp. 11 - 14

ED2025-45
空間電荷制限領域で動作する電界放出電子源のエネルギー分析
○佐藤宏樹・根尾陽一郎・文 宗鉉(静岡大)
pp. 15 - 17

ED2025-46
TiNコーティングを施したボルケーノ構造フィールドエミッタアレイの加熱処理前後の評価
○川﨑祐輔・村田英一(名城大)・村田博雅・長尾昌善(産総研)
pp. 18 - 21

ED2025-47
TiNコートしたSiエミッタアレイにおけるTiN膜特性と電子放出特性の評価
○村田博雅(産総研)・大住知暉(京大/産総研)・後藤康仁(京大)・村上勝久・長尾昌善(産総研)
pp. 22 - 23

ED2025-48
Wナノ突起電子源の形状に対する電子ビーム放射角の評価
○志摩惇紀・堀川愁斗・岩田達夫・永井滋一(三重大)
pp. 24 - 26

ED2025-49
エピタキシャル成長した六方晶窒化ホウ素を絶縁層に用いた平面型電子放出デバイスの開発
○村上勝久(産総研)・六川 蓮・鷹尾祥典(横浜国大)・村田博雅・長尾昌善(産総研)
pp. 27 - 28

ED2025-50
高実装密度エレクトロスプレースラスタの動作電圧範囲向上のための作製プロセス改良と評価
○清水翔太郎(横浜国大)・長尾昌善・村上勝久・村田博雅(産総研)・鷹尾祥典(横浜国大)
pp. 29 - 32

ED2025-51
誘電体バリア放電における転写モールド法微小突起型電極の影響
○磯谷隆斗・文 宗鉉・根尾陽一郎(静岡大)
pp. 33 - 35

注: 本技術報告は査読を経ていない技術報告であり,推敲を加えられていずれかの場に発表されることがあります.


IEICE / 電子情報通信学会