電子情報通信学会技術研究報告

Online edition: ISSN 2432-6380

Volume 126, Number 35

電子デバイス

開催日 2026-05-22 / 発行日 2026-05-15

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目次

ED2026-1
2次元セルオートマトンの1/fゆらぎにおける流れの効果
○白波瀬遥己・谷田部然治・葛西誠也(北大)
pp. 1 - 4

ED2026-2
多元素置換型希土類鉄ガーネット膜の磁気光学特性
○中村雄一・福地俊亮(豊橋技科大)
pp. 5 - 8

ED2026-3
自己発電型デバイスのためのZnOナノロッド/導電性布熱電材料の開発
○池田浩也(静岡大)・ジャナキラマン ヴィノディニ(SRM科技大)・早川泰弘(静岡大)・サンタナクリシュナン ハリシュ・マニ ナヴァニーザン(SRM科技大)・濱﨑 拡(静岡大)
pp. 9 - 12

ED2026-4
Electric-Field Sensor Based on MoS2/Graphene Heterostructure for Lightning Detection
○Jiali Hu(JAIST)・Takeshi Kudo・Takeshi Maruyama(OTOWA)・Hiroshi Mizuta・Masashi Akabori(JAIST)
pp. 13 - 16

ED2026-5
導波路受光器応用に向けたSi上Ge選択ヘテロエピタキシャル成長の検討
○石川涼太・宮坂泰地・飛沢 健(豊橋技科大)・岡野 誠(産総研)・石川靖彦(豊橋技科大)
pp. 17 - 20

ED2026-6
酸素プラズマに曝したGaN表面のX線光電子分光法による評価
○岩波拓海・森 琢馬・岡田 浩(豊橋技科大)
pp. 21 - 24

ED2026-7
MBE成長したGaSbナノワイヤのコンタクト解析
○小松 颯・赤堀誠志(北陸先端大)
pp. 25 - 28

ED2026-8
Electrical transport and contact characteristics of Co0.8Fe0.2/In1-xGaxAs ferromagnet-semiconductor structures for spintronic device applications
○Md Foyshal・Yufeng Lu・Md Faysal Kabir・Jannatul Feddousy・Masashi Akabori(JAIST)
pp. 29 - 32

ED2026-9
光電気化学エッチング法によりゲートリセス加工を施したAlGaN/GaNヘテロ構造トランジスタの電気的特性
○佐藤威友・勝又十勝・岡野陽樹・塩澤直生(北大)
pp. 33 - 36

注: 本技術報告は査読を経ていない技術報告であり,推敲を加えられていずれかの場に発表されることがあります.


IEICE / 電子情報通信学会