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電子デバイス研究会(ED) [schedule] [select]
専門委員長 橋詰 保 (北大)
副委員長 加地 徹 (豊田中研)
幹事 村田 浩一 (NTT), 原 直紀 (富士通研)
幹事補佐 津田 邦男 (東芝), 須原 理彦 (首都大東京)

日時 2009年 6月11日(木) 13:00 - 17:15
2009年 6月12日(金) 09:30 - 12:15
議題 半導体のプロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般 
会場名 東京工業大学 大岡山キャンパス南3号館 
交通案内 東急目黒線・大井町線大岡山駅徒歩7分
http://www.titech.ac.jp/access-and-campusmap/j/o-okayamaO-j.html
会場世話人
連絡先
東工大 理工学研究科 宮本恭幸
03-5734-2572
著作権に
ついて
以下の論文すべての著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)

6月11日(木) 午後 
13:00 - 17:15
(1) 13:00-13:25 高dose II剥離におけるSPMレス洗浄の検討 佐藤俊哉鈴木 保塚原彰彦富士通マイクロエレクトロニクス)・森平恭太アクアサイエンス
(2) 13:25-13:50 Cu-CMP後洗浄用有機防食剤のCu錯体溶解評価 ED2009-36 伊藤篤史原田 憲河瀬康弘水谷文一三菱化学)・原 誠青木秀充木村千春杉野 隆阪大
(3) 13:50-14:15 導波路管型高周波超音波洗浄機によるCMP後洗浄 ED2009-37 鈴木一成カイジョー/芝浦工大)・潘 毅岡野勝一副島潤一郎カイジョー)・小池義和芝浦工大
  14:15-14:30 休憩 ( 15分 )
(4) 14:30-14:55 べベルブラシ洗浄プロセスの開発 ED2009-38 萩本賢哉岩元勇人ソニー
(5) 14:55-15:20 メチルBCN膜のRFバイアスによる膜質依存性 ED2009-39 増住拓朗原 誠・○青木秀充呂 志明木村千 春杉野 隆阪大
  15:20-15:35 休憩 ( 15分 )
(6) 15:35-16:00 GaN中のプラズマ照射誘起欠陥の電気的評価 ED2009-40 中村成志星野晃一落合俊輔須原理彦奥村次徳首都大東京
(7) 16:00-16:25 原子層堆積により形成したAl2O3/AlGaN/GaNの界面評価 ED2009-41 水江千帆子堀 祐臣北大)・ミツェーク マルチンSilesian Univ. of Tech.)・橋詰 保北大
(8) 16:25-16:50 Improvement in Device Performance in MIS AlGaN/GaN HFETs by Designing Insulator/AlGaN/GaN Structures ED2009-42 Narihiko MaedaMasanobu HirokiTakatomo EnokiNTT)・Takashi KobayashiNTT AT
(9) 16:50-17:15 AlGaN/GaN-HEMTに対するドライエッチングの低ダメージ化の検討 ED2009-43 蔵口雅彦湯元美樹高田賢治津田邦男東芝
6月12日(金) 午前 
09:30 - 12:15
(10) 09:30-09:55 歪み印加時のInAsとInSbのバンド構造と電子輸送特性に関する理論的解析 ED2009-44 西野啓之川平一太原 伸介藤代博記東京理科大
(11) 09:55-10:20 InGaAs/InP二次元電子移動度の異方性 ED2009-45 赤堀誠志北陸先端大/ユーリッヒ研)・Thanh Quang Trinh工藤昌宏北陸先端大)・Thomas SchaepersHilde Hardtdegenユーリッヒ研)・鈴木寿一北陸先端大
(12) 10:20-10:45 SiO2細線埋込InP系HBTにおけるCBr4を使ったIn-situエッチング ED2009-46 武部直明山下浩明高橋新之助齋藤尚史小林 嵩宮本恭幸古屋一仁東工大
  10:45-11:00 休憩 ( 15分 )
(13) 11:00-11:25 熱CVD成長SiN膜を用いたゲートリセス構造MIS-AlGaN/GaN-HEMTの電気特性 ED2009-47 丸井俊治星 真一戸田典彦森野芳昭伊藤正紀大来英之玉井 功関 昇平OKI
(14) 11:25-11:50 GaN-HEMTエピ構造最適化によるオフ電流低減 ED2009-48 山田敦史牧山剛三多木俊裕金村雅仁常信和清今西健治富士通/富士通研)・原 直紀富士通研)・吉川俊英富士通/富士通研
(15) 11:50-12:15 SiC基板上AlGaN/GaN HEMTの基板オフ角依存 ED2009-49 松下景一桜井博幸沈 正七高木一考川崎久夫高田賢治津田邦男東芝

問合先と今後の予定
ED 電子デバイス研究会(ED)   [今後の予定はこちら]
問合先 村田 浩一(NTT)
TEL:046-240-2871, FAX:046-270-2872
E--mailaecl
原 直紀 (富士通研究所)
TEL : 046-250-8242, FAX : 046-250-8168
E--mail : o
津田 邦男(東芝)
TEL : 044-549-2142, FAX : 044-520-1501
E--mail : oba
須原 理彦(首都大)
TEL : 042-677-2765, FAX : 042-677-2756
t 


Last modified: 2009-09-07 15:42:59


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