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レーザ・量子エレクトロニクス研究会 (LQE) (検索条件: 2008年度)
「from:2008-12-12 to:2008-12-12」による検索結果
| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| LQE | 2008-12-12 09:35 |
東京 | 機械振興会館 地下3階2号室 | 高出力1.3μm帯25Gbps EA変調器集積半導体レーザ ○高橋博之（OKI）・島村知周・杉山 直・久保田宗親（OKIセミコンダクタ）・中村幸治（OKI）  LQE2008-128 |
100Gイーサネット向け高出力1.3μm帯25G-EMLを開発し、伝送特性の評価を行った。25.8Gbps変調時の平均光... [more] | LQE2008-128 pp.1-4 |
| LQE | 2008-12-12 10:00 |
東京 | 機械振興会館 地下3階2号室 | 50nm位相連続波長掃引可能なSi-MEMS可動ミラーを用いたInP系波長可変面発光レーザ 矢野哲夫・齋藤裕己・蒲原敦彦・野田隆一郎・手塚信一郎・藤村直之・大山将也・渡辺哲也・○平田隆昭（横河電機）・西山伸彦（東工大） LQE2008-129 |
光通信や光応用計測のキーデバイスである、波長掃引幅が広くかつ高速掃引可能な波長可変レーザの実現を目的に、Si-MEMS技... [more] | LQE2008-129 pp.5-9 |
| LQE | 2008-12-12 10:25 |
東京 | 機械振興会館 地下3階2号室 | 間接注入励起を用いた量子カスケードレーザ ～ 注入層内キャリア数の動的抑圧効果 ～ ○藤田和上・山西正道・枝村忠孝・杉山厚志・落合隆英・古田慎一・秋草直大・菅 博文（浜松ホトニクス） LQE2008-130 |
量子カスケードレーザにおける新たな励起手法、間接注入励起を提案する。間接注入励起を用いた共振器長L=4 mmと1.5 m... [more] | LQE2008-130 pp.11-15 |
| LQE | 2008-12-12 11:00 |
東京 | 機械振興会館 地下3階2号室 | ［招待講演］半導体レーザ国際会議(ISLC 2008)報告 ○辻 伸二（日立） LQE2008-131 |
本年9月にイタリアのソレントで開催された第21回半導体レーザ国際会議（ISLC2008）での注目論文や技術動向を紹介する... [more] | LQE2008-131 pp.17-22 |
| LQE | 2008-12-12 11:25 |
東京 | 機械振興会館 地下3階2号室 | 1.3μm帯量子ドットDFBレーザ ～ 高密度量子ドットと縦型グレーティングの導入 ～ ○天野 建・五島敬史郎・菅谷武芳・小森和弘・森 雅彦（産総研） LQE2008-132 |
本研究では高密度かつ高均一な量子ドット作製が可能になっており，これまでFPレーザの報告をしてきた。今回はこの量子ドットを... [more] | LQE2008-132 pp.23-26 |
| LQE | 2008-12-12 11:50 |
東京 | 機械振興会館 地下3階2号室 | 回折レンズを用いた時空間同時集光 ○山下 智（徳島大）・長谷川智士（宇都宮大）・早崎芳夫（徳島大/宇都宮大） LQE2008-133 |
[more] | LQE2008-133 pp.27-30 |
| LQE | 2008-12-12 13:20 |
東京 | 機械振興会館 地下3階2号室 | ［奨励講演］半導体二重リング共振器を用いた波長可変レーザとその展開 ○瀬川 徹・松尾慎治・硴塚孝明・佐藤具就・近藤康洋・鈴木博之・高橋 亮（NTT） LQE2008-134 |
将来のフォトニックネットワークでは，光パケットを光のまま高速に大容量転送する光スイッチング技術が重要になる．我々は，光パ... [more] | LQE2008-134 pp.31-36 |
| LQE | 2008-12-12 13:45 |
東京 | 機械振興会館 地下3階2号室 | 水平横モードに対する反導波ガイド層を有する半導体レーザー ○吉田葉月・正村直樹・沼居貴陽（立命館大） LQE2008-135 |
[more] | LQE2008-135 pp.37-42 |
| LQE | 2008-12-12 14:10 |
東京 | 機械振興会館 地下3階2号室 | 波長可変DFBレーザアレイ(TLA)の狭線幅化 ○石井啓之・笠谷和生・大橋弘美（NTT） LQE2008-136 |
波長可変ＤＦＢレーザアレイ（TLA）の狭線幅化を行った．レーザを長共振器化した素子を試作した結果，Ｌ帯40 nmの波長可... [more] | LQE2008-136 pp.43-46 |
| LQE | 2008-12-12 14:35 |
東京 | 機械振興会館 地下3階2号室 | 半導体薄膜レーザ実現に向けた半絶縁性基板上GaInAsP薄膜への横注入型レーザ ○奥村忠嗣・黒川宗高・白尾瑞基・近藤大介・伊藤 瞳・西山伸彦・荒井滋久（東工大） LQE2008-137 |
[more] | LQE2008-137 pp.47-52 |
| LQE | 2008-12-12 15:10 |
東京 | 機械振興会館 地下3階2号室 | 緑色半導体レーザに向けたInP基板上II-VI族材料の開拓 ○野村一郎・岸野克巳・蛯沢智也・櫛田 俊・田才邦彦・中村 均・朝妻庸紀・中島 博（上智大） LQE2008-138 |
InP基板上のMgZnCdSe、BeZnTe、BeZnSeTe?-?族半導体は可視光中域、特に緑色発光素子材料として有望... [more] | LQE2008-138 pp.53-58 |
| LQE | 2008-12-12 15:35 |
東京 | 機械振興会館 地下3階2号室 | マイクロプロジェクター用638nm単一横モードLD ○由川 真・島田尚往・柴田公隆・堀江淳一・小野健一・八木哲哉（三菱電機） LQE2008-139 |
[more] | LQE2008-139 pp.59-62 |
| LQE | 2008-12-12 16:00 |
東京 | 機械振興会館 地下3階2号室 | 波長1.3μm帯高抵抗埋め込みAlGaInAs歪量子井戸DFBレーザの高速直接変調 ○大坪孝二・松田 学（富士通研/富士通/光協会）・高田 幹・奥村滋一（富士通研）・江川 満（富士通研/富士通/光協会）・田中宏昌（富士通）・井出 聡（富士通研）・森 和行（富士通）・山本剛之（富士通研/富士通/光協会） LQE2008-140 |
[more] | LQE2008-140 pp.63-68 |
| LQE | 2008-12-12 16:25 |
東京 | 機械振興会館 地下3階2号室 | 光導波路集積型マイクロディスク量子カスケードレーザ ○若山雄貴・岩本 敏・荒川泰彦（東大） LQE2008-141 |
半導体微小共振器は低消費電力化、集積化、自然放出の制御などの観点から魅力的である。我々は微小共振器構造を利用したサブバン... [more] | LQE2008-141 pp.69-72 |
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