研究会開催プログラム - 2006-05-ED-CPM-SDM

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電子デバイス研究会（ED）

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専門委員長		和保孝夫
副委員長		葛原正明
幹事		田中毅，新井学
幹事補佐		高谷信一郎

電子部品・材料研究会（CPM）

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専門委員長		石井清
副委員長		上村喜一
幹事		北本仁孝，松浦徹
幹事補佐		清水英彦，豊田誠治

シリコン材料・デバイス研究会（SDM）

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専門委員長		堀口文男
副委員長		浅野種正
幹事		大野守史，高柳万里子
幹事補佐		松井裕一

日時	2006年 5月18日(木)　13:00 - 16:55 2006年 5月19日(金)　09:00 - 15:50
議題	結晶成長評価及びデバイス（化合物、Si、SiGe、その他の電子材料）
会場名	豊橋技術科学大学ＶＢＬ
住所	〒441-8580 愛知県豊橋市天伯町雲雀ヶ丘１－１
交通案内	JR、名鉄豊橋駅前?番のりばから豊鉄バス細谷線に乗車、技科大前下車所要時間約30分 http://www.vbl.tut.ac.jp/
会場世話人連絡先	電気・電子工学系若原昭浩 0532-44-6742
お知らせ	◎18日研究会終了後、懇親会を予定していますので御参加ください。

5月18日(木) 13:00 - 16:55
(1)	13:00-13:25	急速アニールによる青色EL素子用SrS:Cu薄膜の結晶特性の向上	○以西雅章・佐々木孝輔・中川大輔（静岡大）
(2)	13:25-13:50	Li二次電池用Mn酸化物薄膜の作製とその評価	○長南祐史・以西雅章・東條　靖（静岡大）
(3)	13:50-14:15	Influence of Annealing Conditions on the Sensing Properties of Oxygen Gas Sensor with β-Ga2O3 Films Deposited by CSD Method for High Temperatures	○Marilena Bartic（Shizuoka Univ.）・Cristian-Ioan Baban（Al. I. Cuza Univ.）・Masaaki Isai・Masami Ogita（Shizuoka Univ.）
(4)	14:15-14:40	酸化膜還元法による極薄エピタキシャルγ-Al2O3膜の作製とデバイス応用	○岡田貴行・伊藤幹記（豊橋技科大）・澤田和明・石田　誠（豊橋技科大/JST）
	14:40-14:50	休憩　（ 10分）
(5)	14:50-15:15	RPE-MOCVD法を用いた可視域Zn1-xCdxO薄膜成長	○大橋俊哉・石原純二・中村篤志・青木　徹・天明二郎（静岡大）
(6)	15:15-15:40	サファイア基板上のZnOナノドット制御	○岡松航太・中川　聡・中村篤志・青木　徹・天明二郎（静岡大）
(7)	15:40-16:05	熱分解法によるSiC基板上カーボンナノ構造制御	○橋本佳孝・章　国強・中村篤志・田中　昭・天明二郎（静岡大）
(8)	16:05-16:30	金属EDTA錯体を用いたGaN系青色発光材料の合成	○小出晋也・中村和哉・劉　玉懐・三宅秀人・平松和政（三重大）・中村　淳・南部信義（中部キレスト）
(9)	16:30-16:55	Si基板の微細加工による赤外域フォトニック構造の作製と評価	○石井丈晴・松岡史晃・三宅秀人・平松和政（三重大）
5月19日(金) 09:00 - 15:50
(1)	09:00-09:25	m面SiC基板上に成長したⅢ族窒化物半導体薄膜の微細構造観察	○永井哲也・川島毅士・仲野靖孝・井村将隆・岩谷素顕・上山　智・天野　浩・赤崎　勇（名城大）
(2)	09:25-09:50	Si-GaN OEICをめざしたGaNヘテロエピタキシーに関する研究	○河野達也・畠中　奨・伊藤幹記・若原昭浩・岡田　浩・石田　誠（豊橋技科大）
(3)	09:50-10:15	Siに格子整合可能なGaPNの電気的特性	○若原昭浩・古川雄三・佐藤　淳・島田英里・箕原大介・米津宏雄（豊橋技科大）
(4)	10:15-10:40	Si/III-V-N光電子集積回路に向けたInGaPN/GaPN量子井戸構造	○梅野和行・金　聖晩・古川雄三・米津宏雄・若原昭浩（豊橋技科大）
	10:40-10:50	休憩　（ 10分）
(5)	10:50-11:15	Si/III-V-N光電子集積回路に向けたMOSFETおよびLEDの作製	○太田成人・森崎祐二・文　秀榮・石地正義・古川雄三・米津宏雄・若原昭浩（豊橋技科大）
(6)	11:15-11:40	GaAs/GaAsP歪み超格子偏極電子源の結晶性改善による高性能化	○宇治原　徹・陳　博・安井健一・酒井良介・山本将博・中西　彊・竹田美和（名大）
(7)	11:40-12:05	非晶質Asマスクを用いたInの部分拡散によるGaInAs/GaAs構造の選択形成	○則竹陽介・山田　巧・田渕雅夫・竹田美和（名大）
	12:05-13:10	昼食　（ 65分）
(8)	13:10-13:35	Al薄膜を用いた表面プロセスによるAlGaNショットキー界面のリーク電流制御	○小谷淳二・金子昌充・橋詰　保（北大）
(9)	13:35-14:00	n型ダイヤモンドショットキーダイオードおよび金属/ダイヤモンド界面の電気的特性	○鈴木真理子（東芝）・小泉　聡（物質・材料研究機構）・片桐雅之（筑波大）・小野富男・佐久間尚志・吉田博昭・酒井忠司（東芝）
(10)	14:00-14:25	過剰キャリア減衰曲線に現れる遅い成分の温度依存性からのトラップパラメータの導出	○市村正也（名工大）
	14:25-14:35	休憩　（ 10分）
(11)	14:35-15:00	Light irradiation effect on single-hole-tunneling current of an SOI-FET	○Zainal A. Burhanudin・Ratno Nuryadi・Michiharu Tabe（Shizuoka Univ.）
(12)	15:00-15:25	Tunneling current oscillations in Si/SiO2/Si structures	○Daniel Moraru・Daisuke Nagata（Shizuoka Univ.）・Seiji Horiguchi（Akita Univ.）・Ratno Nuryadi・Hiroya Ikeda・Michiharu Tabe（Shizuoka Univ.）
(13)	15:25-15:50	溶液前処理機構と光同期検出機構を集積化した血液分析用マイクロチップの作製	○野田俊彦・広久保　望（豊橋技科大）・高尾英邦（豊橋技科大/JST）・奥　成博・松本浩一（堀場製作所）・澤田和明・石田　誠（豊橋技科大/JST）

講演時間
一般講演（25分）	発表 20 分＋質疑応答 5 分

問合先と今後の予定
ED	電子デバイス研究会（ED） [今後の予定はこちら]
	問合先	田中毅（松下電器） TEL: 075-956-9083, FAX: 075-956-9110 E-: erlci 新井学（新日無） TEL: 049-278-1477、FAX: 049-278-1419 E-: injr 高谷信一郎（日立中研） TEL: 0423-23-1111（内線3048）、FAX: 0423-27-7738 E-: crl
CPM	電子部品・材料研究会（CPM） [今後の予定はこちら]
	問合先	北本仁孝（東京工業大学） TEL 045-924-5424, FAX 045-924-5433 E-: iem 松浦徹（ATR） TEL 0774-95-1173, FAX 0774-95-1178 E-: hmatr
SDM	シリコン材料・デバイス研究会（SDM） [今後の予定はこちら]
	問合先	高柳万里子（（株）東芝セミコンダクター社） TEL 045-770-3638 ,FAX 045-770-3571 E-: giba