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電子デバイス研究会 (ED)  (検索条件: 2016年度)

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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
ED 2016-07-23
14:00
東京 首都大学東京 南大沢キャンパス 国際交流会館 大会議室 水蒸気を用いた表面酸化制御InAlN/GaN MOS-HEMT
尾崎史朗牧山剛三多木俊裕鎌田陽一佐藤 優新井田佳孝岡本直哉常信和清富士通研ED2016-27
 [more] ED2016-27
pp.1-4
ED 2016-07-23
14:25
東京 首都大学東京 南大沢キャンパス 国際交流会館 大会議室 AlTiO/AlGaN/GaN金属-絶縁体-半導体デバイスにおけるローレンツ型低周波ノイズ
鈴木寿一Son Phuong Le宇井利昌Tuan Quy NguyenHong-An Shih北陸先端大ED2016-28
 [more] ED2016-28
pp.5-9
ED 2016-07-23
15:05
東京 首都大学東京 南大沢キャンパス 国際交流会館 大会議室 Ga2O3上に堆積したSiO2膜におけるポストアニールの影響
小西敬太上村崇史ワン マンホイNICT)・佐々木公平倉又朗人山腰茂伸タムラ製作所)・東脇正高NICTED2016-29
現在,酸化ガリウム (Ga2O3) デバイスの高耐圧化のために,高品質な酸化シリコン (SiO2) 膜の形成が必須となっ... [more] ED2016-29
pp.11-15
ED 2016-07-23
15:30
東京 首都大学東京 南大沢キャンパス 国際交流会館 大会議室 p-Cu2O/AlOx/n-SiC/n-Si構造の不揮発性pnメモリダイオードと低電圧動作
土屋充沙塚本貴広須田良幸東京農工大ED2016-30
我々は最近,不揮発性メモリ特性と整流特性の双方を有する理論的に最密のクロスポイント型配列に適した2端子抵抗変化型のp-C... [more] ED2016-30
pp.17-20
ED 2016-07-23
15:55
東京 首都大学東京 南大沢キャンパス 国際交流会館 大会議室 Ge(111)基板上へのInSb薄膜のエピタキシャル成長
三枝孝彰森 雅之前澤宏一富山大ED2016-31
近年、Siを用いた半導体デバイスの微細化による性能向上が限界に達しつつある。そこで我々は、超高速、低消費電力デバイスへの... [more] ED2016-31
pp.21-24
ED 2016-07-24
09:30
東京 首都大学東京 南大沢キャンパス 国際交流会館 大会議室 非線形メタマテリアル線路における共鳴相互作用
楢原浩一神奈川工科大ED2016-32
左手系波動伝搬を可能とする混合右手左手系(CRLH)伝送線路に非線形性を導入する。周波数整合,波数整合が成立すれば,共鳴... [more] ED2016-32
pp.25-30
ED 2016-07-24
09:55
東京 首都大学東京 南大沢キャンパス 国際交流会館 大会議室 高い共鳴トンネル電流の正孔トンネル型Si1-xGex/Si系2重量子井戸共鳴トンネルダイオード
新川綾佳脇谷 実前田裕貴塚本貴広須田良幸東京農工大ED2016-33
ガスソース分子線エピタキシー法を用いて作製した,正孔トンネル型Si1-xGex/Si系非対称2重量子井戸共鳴トンネルダイ... [more] ED2016-33
pp.31-34
ED 2016-07-24
10:20
東京 首都大学東京 南大沢キャンパス 国際交流会館 大会議室 CaF2/Si/CaF2共鳴トンネルダイオードの室温微分負性抵抗特性
田辺直之島中智史須田慶太渡辺正裕東工大ED2016-34
 [more] ED2016-34
pp.35-39
ED 2016-07-24
11:00
東京 首都大学東京 南大沢キャンパス 国際交流会館 大会議室 円偏波放射が可能なラジアルラインスロットアンテナ集積共鳴トンネルダイオードテラヘルツ発振器
堀川大輔鈴木左文浅田雅洋東工大ED2016-35
姿勢無依存での大容量テラヘルツ通信を目指し、円偏波を放射可能な新たな共鳴トンネルダイオード(RTD)テラヘルツ(THz)... [more] ED2016-35
pp.41-44
ED 2016-07-24
11:25
東京 首都大学東京 南大沢キャンパス 国際交流会館 大会議室 半導体メサ集積レクテナのテラヘルツ帯検波特性の解析
徳岡岳海須原理彦首都大東京ED2016-36
テラヘルツ帯無線通信実現へ向けて我々が提案した半導体メサ集積レクテナについて時間領域電磁界解析により検波特性と集積構造と... [more] ED2016-36
pp.45-50
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