12月13日(木) 午前  09:30 - 17:00
	09:30-09:35	委員長挨拶（開会）　（ 5分 ）
(1)	09:35-10:00	高速MBE成長法による19層積層InGaAs／GaAs量子ドットレーザの利得評価 LQE2012-121	○田之上文彦（首都大東京/NICT）・菅原宏治（首都大東京）・赤羽浩一・山本直克（NICT）
(2)	10:00-10:25	ポリマー光回路を用いた面出射光源の研究 LQE2012-122	○天野　建・佐々木史雄・浮田茂也・鈴木基史・青柳昌宏・小森和弘（産総研）
(3)	10:25-10:50	GaInAsP/InP横方向電流注入型半導体薄膜レーザの低しきい値動作化 LQE2012-123	○進藤隆彦・二見充輝・土居恭平・雨宮智宏・西山伸彦・荒井滋久（東工大）
	10:50-11:00	休憩　（ 10分 ）
(4)	11:00-11:25	AlGaInAs系高抵抗埋め込み型DRレーザの超高速直接変調 LQE2012-124	○下山峰史・松田　学・奥村滋一・植竹理人・江川　満・山本剛之（富士通研）
(5)	11:25-11:50	1550nm/1310nm 2波長発振高出力LD LQE2012-125	○森本慎太郎・森　浩・山田敦史・長島靖明・藤田幹明・大貫紳一・吉田谷弘明・三瀬一明（アンリツデバイス）
(6)	11:50-12:15	選択的反導波クラッド層を設けた非対称リッジ型半導体レーザー LQE2012-126	○檜垣将広・沼居貴陽（立命館大）
	12:15-13:15	昼食　（ 60分 ）
	13:15-13:25	LQE奨励賞表彰式　（ 10分 ）
(7)	13:25-13:50	［奨励講演］フォトニック結晶レーザによる特異な集光特性を有するビームの発生 LQE2012-127	○北村恭子・西本昌哉・酒井恭輔・野田　進（京大）
(8)	13:50-14:15	［奨励講演］ウェハ接合によるシリコン基板上量子ドットレーザの進展 LQE2012-128	○田辺克明・荒川泰彦（東大）
(9)	14:15-14:40	窒素プラズマ活性化を用いたIII-V/Si直接貼り付けとそのハイブリッドレーザへの応用 LQE2012-129	○林　侑介・長部　亮・福田渓太・カン ジュンヒョン・渥美裕樹・西山伸彦・荒井滋久（東工大）
(10)	14:40-15:05	フォトニック結晶面発光レーザにおける非発振バンドを介した散乱現象 LQE2012-130	○廣瀬和義・黒坂剛孝・渡邉明佳・杉山貴浩（浜松ホトニクス）・梁　永・野田　進（京大）
	15:05-15:15	休憩　（ 10分 ）
(11)	15:15-15:40	2次元光閉じ込め構造を用いた中空導波路DBRレーザのアサーマル特性と狭線幅特性の検討 LQE2012-131	○山川英明・阿久津友宏・坂口孝浩・小山二三夫（東工大）
(12)	15:40-16:05	単一ストライプ構造を有する集積型波長可変レーザの注入同期特性 LQE2012-132	アルボレス メヒア アーロン・○鍬塚治彦（産総研）・金子俊光・上坂勝己・小路　元（住友電工）・石川　浩（産総研）
(13)	16:05-16:30	1550nm AlGaInAs埋込構造を有するDFBアレイ集積型波長可変光源 LQE2012-133	○岩井則広・若葉昌布・小早川将子・清田和明・黒部立郎・小林　剛・木本竜也・向原智一・横内則之・粕川秋彦（古河電工）
(14)	16:30-16:55	LGLC型波長可変レーザを用いたTunable TOSAにおけるフルC-band 10.7Gbps-80kmファイバ伝送 LQE2012-134	○直江和彦・中村　厚・笹田紀子・中西　慧・佐久間　康・元田勝也・山下　武・矢萩智彦（日本オクラロ）・鈴木崇功・有本英生・田中滋久（日立）
	16:55-17:00	閉会挨拶　（ 5分 ）

問合先と今後の予定
LQE	レーザ・量子エレクトロニクス研究会（LQE）   [今後の予定はこちら]
	問合先	篠田 和典 （日立製作所） TEL: 042-323-1111 E-: nv 田中 有 (富士通研) TEL: 046-250-8251 E-: _
	お知らせ	◎LQE研究会ホームページ http://www.ieice.org/~lqe/jpn/
		◎LQE研究会では 平成18年度より「LQE奨励賞」を設けました。対象は発表年度の4月1日時点で32歳以下の若手研究者(学生を含む)です。積極的にご投稿下さい。

Last modified: 2012-10-22 15:53:17