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電子デバイス研究会 (ED) (検索条件: 2007年度)
「from:2007-11-16 to:2007-11-16」による検索結果
| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| SDM, R, ED (共催) |
2007-11-16 13:00 |
大阪 | 中央電気倶楽部 | イットリウムアルミネート(YAlO)薄膜の電気的特性評価 ○松之内恵子・小松直佳・木村千春・青木秀充・杉野 隆（阪大）  R2007-46 ED2007-179 SDM2007-214 |
ワイドバンドギャップ半導体を用いた高性能なハイパワーFETを実現するためには、バンドギャップが大きく、誘電率の高い絶縁膜... [more] | R2007-46 ED2007-179 SDM2007-214 pp.1-6 |
| SDM, R, ED (共催) |
2007-11-16 13:25 |
大阪 | 中央電気倶楽部 | フッ化水素と有機溶媒の混合液を用いた積層メタルゲートのガルバニックコロージョン抑制 ○渡邊大祐・青木秀充・堀田沙織・木村千春・杉野 隆（阪大） R2007-47 ED2007-180 SDM2007-215 |
[more] | R2007-47 ED2007-180 SDM2007-215 pp.7-11 |
| SDM, R, ED (共催) |
2007-11-16 13:50 |
大阪 | 中央電気倶楽部 | 高温高圧水中でのSiCおよびGaN表面の酸化処理 ○二ツ木高志（阪大/オルガノ）・大江太郎（オルガノ）・青木秀充・小松直佳・木村千春・杉野 隆（阪大） R2007-48 ED2007-181 SDM2007-216 |
ワイドバンドギャップ化合物半導体のSiC, GaNに高性能なFETを作製するには良好な絶縁膜の形成が不可欠である。両材料... [more] | R2007-48 ED2007-181 SDM2007-216 pp.13-17 |
| SDM, R, ED (共催) |
2007-11-16 14:15 |
大阪 | 中央電気倶楽部 | 多重台形型チャネルを持つAlGaN/GaN HEMTの高温での電流安定性 ○田村隆博・小谷淳二・大井幸多・橋詰 保（北大） R2007-49 ED2007-182 SDM2007-217 |
AlGaN/GaN高電子移動度トランジスタ(HEMT)のチャネル中における電界分布の均一性向上を図るため、ゲート電極直下... [more] | R2007-49 ED2007-182 SDM2007-217 pp.19-22 |
| SDM, R, ED (共催) |
2007-11-16 14:55 |
大阪 | 中央電気倶楽部 | AlGaN/GaN HEMTのDCストレスによる信頼性評価 ○松下景一・寺本信一郎・桜井博幸・沈 正七・川崎久夫・高木一考・高田賢治・津田邦男（東芝） R2007-50 ED2007-183 SDM2007-218 |
AlGaN/GaN HEMTは次世代の高周波パワーデバイスとして期待されている。AlGaN/GaN HEMTは高温、高電... [more] | R2007-50 ED2007-183 SDM2007-218 pp.23-26 |
| SDM, R, ED (共催) |
2007-11-16 15:20 |
大阪 | 中央電気倶楽部 | 高信頼GaN-HEMT開発のための劣化モード解析 ○井上雄介・増田 哲・金村雅仁・多木俊裕・牧山剛三・岡本直哉・今西健治・吉川俊英・原 直紀・重松寿生・常信和清（富士通研） R2007-51 ED2007-184 SDM2007-219 |
[more] | R2007-51 ED2007-184 SDM2007-219 pp.27-31 |
| SDM, R, ED (共催) |
2007-11-16 15:45 |
大阪 | 中央電気倶楽部 | AlGaN/GaN HEMT量産のためのリーク電流による選別 ○八巻史一・石井和明・西 眞弘・生松 均・舘野泰範・川田春雄（ユーディナデバイス） R2007-52 ED2007-185 SDM2007-220 |
[more] | R2007-52 ED2007-185 SDM2007-220 pp.33-37 |
| SDM, R, ED (共催) |
2007-11-16 16:10 |
大阪 | 中央電気倶楽部 | Cuイオンドリフトに起因したCu配線間TDDB劣化モデル ○鈴村直仁・山本茂久・真壁一也・小笠原 誠・小守純子・村上英一（ルネサステクノロジ） R2007-53 ED2007-186 SDM2007-221 |
Cuイオンドリフトに起因したCu配線間経時絶縁破壊（Time-Dependent Dielectric Breakdow... [more] | R2007-53 ED2007-186 SDM2007-221 pp.39-44 |
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