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レーザ・量子エレクトロニクス研究会 (LQE) (検索条件: 2012年度)
「from:2012-12-13 to:2012-12-13」による検索結果
| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| LQE | 2012-12-13 09:35 |
東京 | 機械振興会館 | 高速MBE成長法による19層積層InGaAs／GaAs量子ドットレーザの利得評価 ○田之上文彦（首都大東京/NICT）・菅原宏治（首都大東京）・赤羽浩一・山本直克（NICT）  LQE2012-121 |
高速分子線エピタキシ(MBE)成長技術を用いて，共振器長100～600$ \mu $mの19層積層InGaAs量子ドット... [more] | LQE2012-121 pp.1-4 |
| LQE | 2012-12-13 10:00 |
東京 | 機械振興会館 | ポリマー光回路を用いた面出射光源の研究 ○天野 建・佐々木史雄・浮田茂也・鈴木基史・青柳昌宏・小森和弘（産総研） LQE2012-122 |
本研究ではポリマー基板上光源の熱解析、実験の両面により、ポリマー基板上光源実装の課題を明らかにする。また光導波路，面出射... [more] | LQE2012-122 pp.5-8 |
| LQE | 2012-12-13 10:25 |
東京 | 機械振興会館 | GaInAsP/InP横方向電流注入型半導体薄膜レーザの低しきい値動作化 ○進藤隆彦・二見充輝・土居恭平・雨宮智宏・西山伸彦・荒井滋久（東工大） LQE2012-123 |
LSIの微細化・高速化に伴い、素子間の配線におけるRC遅延や発熱といった問題が将来的にLSI全体の性能を律速すると懸念さ... [more] | LQE2012-123 pp.9-14 |
| LQE | 2012-12-13 11:00 |
東京 | 機械振興会館 | AlGaInAs系高抵抗埋め込み型DRレーザの超高速直接変調 ○下山峰史・松田 学・奥村滋一・植竹理人・江川 満・山本剛之（富士通研） LQE2012-124 |
AlGaInAs系高抵抗埋め込みDitributed Reflector（DR）レーザの高速直接変調動作を報告する。本レ... [more] | LQE2012-124 pp.15-18 |
| LQE | 2012-12-13 11:25 |
東京 | 機械振興会館 | 1550nm/1310nm 2波長発振高出力LD ○森本慎太郎・森 浩・山田敦史・長島靖明・藤田幹明・大貫紳一・吉田谷弘明・三瀬一明（アンリツデバイス） LQE2012-125 |
光パルス試験器OTDR（Optical Time Domain Reflectometer）用光源として、1550nmと... [more] | LQE2012-125 pp.19-22 |
| LQE | 2012-12-13 11:50 |
東京 | 機械振興会館 | 選択的反導波クラッド層を設けた非対称リッジ型半導体レーザー ○檜垣将広・沼居貴陽（立命館大） LQE2012-126 |
本研究の目的は，エルビウムドープ光ファイバー増幅器の励起用光源である発振波長980 nmのリッジ型半導体レーザーにおいて... [more] | LQE2012-126 pp.23-26 |
| LQE | 2012-12-13 13:25 |
東京 | 機械振興会館 | ［奨励講演］フォトニック結晶レーザによる特異な集光特性を有するビームの発生 ○北村恭子・西本昌哉・酒井恭輔・野田 進（京大） LQE2012-127 |
[more] | LQE2012-127 pp.27-30 |
| LQE | 2012-12-13 13:50 |
東京 | 機械振興会館 | ［奨励講演］ウェハ接合によるシリコン基板上量子ドットレーザの進展 ○田辺克明・荒川泰彦（東大） LQE2012-128 |
III-V化合物半導体光源をSiチップないし導波路上に形成したハイブリッド型レーザは、光集積回路の実現に有望視されている... [more] | LQE2012-128 pp.31-33 |
| LQE | 2012-12-13 14:15 |
東京 | 機械振興会館 | 窒素プラズマ活性化を用いたIII-V/Si直接貼り付けとそのハイブリッドレーザへの応用 ○林 侑介・長部 亮・福田渓太・カン ジュンヒョン・渥美裕樹・西山伸彦・荒井滋久（東工大） LQE2012-129 |
直接貼り付けを用いたIII-V/Siハイブリッド集積は、次世代大規模光集積回路の実現において有力な方法である。プラズマ活... [more] | LQE2012-129 pp.35-40 |
| LQE | 2012-12-13 14:40 |
東京 | 機械振興会館 | フォトニック結晶面発光レーザにおける非発振バンドを介した散乱現象 ○廣瀬和義・黒坂剛孝・渡邉明佳・杉山貴浩（浜松ホトニクス）・梁 永・野田 進（京大） LQE2012-130 |
フォトニック結晶面発光レーザは大面積単一モード発振が可能な唯一の半導体レーザで，面垂直方向にビーム拡がり角＜1°の単峰狭... [more] | LQE2012-130 pp.41-46 |
| LQE | 2012-12-13 15:15 |
東京 | 機械振興会館 | 2次元光閉じ込め構造を用いた中空導波路DBRレーザのアサーマル特性と狭線幅特性の検討 ○山川英明・阿久津友宏・坂口孝浩・小山二三夫（東工大） LQE2012-131 |
[more] | LQE2012-131 pp.47-50 |
| LQE | 2012-12-13 15:40 |
東京 | 機械振興会館 | 単一ストライプ構造を有する集積型波長可変レーザの注入同期特性 アルボレス メヒア アーロン・○鍬塚治彦（産総研）・金子俊光・上坂勝己・小路 元（住友電工）・石川 浩（産総研） LQE2012-132 |
高出力、低位相雑音等の優れた特性を有する、単一ストライプ構造のフルバンド波長可変レーザであるCSG-DR-LDの注入同期... [more] | LQE2012-132 pp.51-54 |
| LQE | 2012-12-13 16:05 |
東京 | 機械振興会館 | 1550nm AlGaInAs埋込構造を有するDFBアレイ集積型波長可変光源 ○岩井則広・若葉昌布・小早川将子・清田和明・黒部立郎・小林 剛・木本竜也・向原智一・横内則之・粕川秋彦（古河電工） LQE2012-133 |
光集積素子（ PIC : Photonic Integrated Circuit ）は，次世代の光通信システムにおいて，... [more] | LQE2012-133 pp.55-58 |
| LQE | 2012-12-13 16:30 |
東京 | 機械振興会館 | LGLC型波長可変レーザを用いたTunable TOSAにおけるフルC-band 10.7Gbps-80kmファイバ伝送 ○直江和彦・中村 厚・笹田紀子・中西 慧・佐久間 康・元田勝也・山下 武・矢萩智彦（日本オクラロ）・鈴木崇功・有本英生・田中滋久（日立） LQE2012-134 |
横結合型方向性結合器 (LGLC: lateral grating assisted lateral co-direct... [more] | LQE2012-134 pp.59-63 |
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