12月12日(金) 午前  09:30 - 16:50
	09:30-09:35	委員長挨拶（開会）　（ 5分 ）
(1)	09:35-10:00	高出力1.3μm帯25Gbps EA変調器集積半導体レーザ LQE2008-128	○高橋博之（OKI）・島村知周・杉山　直・久保田宗親（OKIセミコンダクタ）・中村幸治（OKI）
(2)	10:00-10:25	50nm位相連続波長掃引可能なSi-MEMS可動ミラーを用いたInP系波長可変面発光レーザ LQE2008-129	矢野哲夫・齋藤裕己・蒲原敦彦・野田隆一郎・手塚信一郎・藤村直之・大山将也・渡辺哲也・○平田隆昭（横河電機）・西山伸彦（東工大）
(3)	10:25-10:50	間接注入励起を用いた量子カスケードレーザ ～ 注入層内キャリア数の動的抑圧効果 ～ LQE2008-130	○藤田和上・山西正道・枝村忠孝・杉山厚志・落合隆英・古田慎一・秋草直大・菅　博文（浜松ホトニクス）
	10:50-11:00	休憩　（ 10分 ）
(4)	11:00-11:25	［招待講演］半導体レーザ国際会議(ISLC 2008)報告 LQE2008-131	○辻　伸二（日立）
(5)	11:25-11:50	1.3μm帯量子ドットDFBレーザ ～ 高密度量子ドットと縦型グレーティングの導入 ～ LQE2008-132	○天野　建・五島敬史郎・菅谷武芳・小森和弘・森　雅彦（産総研）
(6)	11:50-12:15	回折レンズを用いた時空間同時集光 LQE2008-133	○山下　智（徳島大）・長谷川智士（宇都宮大）・早崎芳夫（徳島大/宇都宮大）
	12:15-13:15	昼食　（ 60分 ）
	13:15-13:20	LQE奨励賞表彰式　（ 5分 ）
(7)	13:20-13:45	［奨励講演］半導体二重リング共振器を用いた波長可変レーザとその展開 LQE2008-134	○瀬川　徹・松尾慎治・硴塚孝明・佐藤具就・近藤康洋・鈴木博之・高橋　亮（NTT）
(8)	13:45-14:10	Semiconductor Lasers with Optical Antiguiding Layers for Horizontal Transverse Modes LQE2008-135	○Hazuki Yoshida・Naoki Shomura・Takahiro Numai（Ritsumeikan Univ.）
(9)	14:10-14:35	波長可変DFBレーザアレイ(TLA)の狭線幅化 LQE2008-136	○石井啓之・笠谷和生・大橋弘美（NTT）
(10)	14:35-15:00	半導体薄膜レーザ実現に向けた半絶縁性基板上GaInAsP薄膜への横注入型レーザ LQE2008-137	○奥村忠嗣・黒川宗高・白尾瑞基・近藤大介・伊藤　瞳・西山伸彦・荒井滋久（東工大）
	15:00-15:10	休憩　（ 10分 ）
(11)	15:10-15:35	緑色半導体レーザに向けたInP基板上II-VI族材料の開拓 LQE2008-138	○野村一郎・岸野克巳・蛯沢智也・櫛田　俊・田才邦彦・中村　均・朝妻庸紀・中島　博（上智大）
(12)	15:35-16:00	マイクロプロジェクター用638nm単一横モードLD LQE2008-139	○由川　真・島田尚往・柴田公隆・堀江淳一・小野健一・八木哲哉（三菱電機）
(13)	16:00-16:25	波長1.3μm帯高抵抗埋め込みAlGaInAs歪量子井戸DFBレーザの高速直接変調 LQE2008-140	○大坪孝二・松田　学（富士通研/富士通/光協会）・高田　幹・奥村滋一（富士通研）・江川　満（富士通研/富士通/光協会）・田中宏昌（富士通）・井出　聡（富士通研）・森　和行（富士通）・山本剛之（富士通研/富士通/光協会）
(14)	16:25-16:50	光導波路集積型マイクロディスク量子カスケードレーザ LQE2008-141	○若山雄貴・岩本　敏・荒川泰彦（東大）

問合先と今後の予定
LQE	レーザ・量子エレクトロニクス研究会（LQE）   [今後の予定はこちら]
	問合先	山中 孝之（日本電信電話株式会社） TEL 046-240-4403, FAX 046-240-2859 E-: taecl
	お知らせ	◎LQE研究会ホームページ http://www.ieice.org/~lqe/jpn/
		◎LQE研究会では 平成18年度より「LQE奨励賞」を設けました。対象は発表年度の4月1日時点で32歳以下の若手研究者(学生を含む)です。積極的にご投稿下さい。

Last modified: 2008-10-22 00:17:10