研究会開催プログラム - 2010-05-SDM-CPM-ED

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13日の研究会終了後に懇親会を予定しております。みなさま奮ってご参加ください。

シリコン材料・デバイス研究会（SDM）

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専門委員長		渡辺重佳 (湘南工科大)
副委員長		杉井寿博 (富士通マイクロエレクトロニクス)
幹事		安斎久浩 (ソニー)，遠藤哲郎 (東北大)
幹事補佐		大西克典 (九工大)，小野行徳 (NTT)

電子デバイス研究会（ED）

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専門委員長		橋詰保 (北大)
副委員長		加地徹 (豊田中研)
幹事		村田浩一 (NTT)，原直紀 (富士通研)
幹事補佐		津田邦男 (東芝)，須原理彦 (首都大東京)

電子部品・材料研究会（CPM）

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専門委員長		安井寛治 (長岡技科大)
副委員長		竹村泰司 (横浜国大)
幹事		大庭直樹 (NTT)，野毛悟 (沼津高専)
幹事補佐		今井欽之 (NTT)，阿部克也 (信州大)

日時	2010年 5月13日(木)　13:30 - 17:05 2010年 5月14日(金)　10:00 - 14:45
議題	結晶成長、評価及びデバイス（化合物、Si、SiGe、電子・光材料）
会場名	静岡大学浜松キャンパス電子工学研究所２階会議室（創造科学大学院から変更になりました）
住所	〒432-8561浜松市中区城北3-5-1
交通案内	JR浜松駅前北口バスターミナル15,16番のりばから全路線「静岡大学」下車 (所要時間約20分、1時間に10本程度運行) http://www.shizuoka.ac.jp/ippan/hamamatsu.html
会場世話人連絡先	静岡大学電子工学研究所池田浩也
お知らせ	◎５月１３日の研究会終了後、懇親会を予定しておりますので奮ってご参加ください。
著作権について	以下の論文すべての著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)

5月13日(木) 午後 13:30 - 17:05
(1)	13:30-13:55	DLTS法によるSi(111)基板上n-GaN中の深い準位の測定 ED2010-17 CPM2010-7 SDM2010-17	○渡邉　新・江川孝志（名工大）
(2)	13:55-14:20	Si基板上p-InGaN/AlGaN/GaN HEMTのノーマリオフ特性 ED2010-18 CPM2010-8 SDM2010-18	○永井一弘・ローレンスセルバラージ・江川孝志（名工大）
(3)	14:20-14:45	Eu添加AlGaN/GaN HEMT構造を用いた発光素子の検討 ED2010-19 CPM2010-9 SDM2010-19	○近藤正樹・秦　貴幸・岡田　浩・若原昭浩・古川雄三（豊橋技科大）・佐藤真一郎・大島　武（原子力機構）
(4)	14:45-15:10	シリコンを用いた単電子冷却デバイスの研究 ED2010-20 CPM2010-10 SDM2010-20	○池田浩也・ファイズサレ（静岡大）
	15:10-15:25	休憩　（ 15分）
(5)	15:25-15:50	Charging phenomena of a single electron in P-doped Si SOI-MOSFETs ED2010-21 CPM2010-11 SDM2010-21	○Earfan Hamid・Juli ChaTarido・Sakito Miki・Daniel Moraru・Takeshi Mizuno・Michiharu Tabe（Shizuoka Univ.）
(6)	15:50-16:15	Single Photon Detection in Single Dot and Multi Dot Channel Phosphorus-Doped SOI-FET ED2010-22 CPM2010-12 SDM2010-22	○Arief Udhiarto・Daniel Moraru・Ryusuke Nakamura・Sakito Miki・Takeshi Mizuno・Michiharu Tabe（Shiuzoka Univ.）
(7)	16:15-16:40	混晶半導体バルク結晶成長に対する重力効果 ED2010-23 CPM2010-13 SDM2010-23	○早川泰弘・ムカンナンアリバナンドハン・ゴビンダサミーラジェッシュ・小山忠信・百瀬与志美・森井久史・青木　徹・田中　昭・岡野泰則（静岡大）・小澤哲夫（静岡理工科大）・稲富裕光（JAXA）
(8)	16:40-17:05	Effect of Temperature on the Formation of ZnS Nanostructures and Properties ED2010-24 CPM2010-14 SDM2010-24	○Mani Navaneethan（Shizuoka Univ.）・Jayaram Archana・K. D. Nisha（SMR Univ）・Mukannan Arivanandhan（Shizuoka Univ.）・Suruttaiyaudaiyar Ponnusamy・Chellamuthu Muthamizhchelvan（SMR Univ）・Yasuhiro Hayakawa（Shizuoka Univ.）
5月14日(金) 午前 10:00 - 12:20
(9)	10:00-10:25	青色EL素子用SrS:Cu薄膜のステップアニール効果 ED2010-25 CPM2010-15 SDM2010-25	○以西雅章・加藤　卓（静岡大）
(10)	10:25-10:50	RFマグネトロンスパッタリング法によるLiMn2O4薄膜の生成条件の調査 ED2010-26 CPM2010-16 SDM2010-26	○中村光宏・以西雅章（静岡大）
(11)	10:50-11:15	Ga2O3酸素センサの作製と評価 ED2010-27 CPM2010-17 SDM2010-27	○茅野真也・山口直哉・以西雅章（静岡大）
	11:15-11:30	休憩　（ 15分）
(12)	11:30-11:55	白金担持TiO2薄膜の生成と光触媒特性 ED2010-28 CPM2010-18 SDM2010-28	○中村郁太・伊藤達也・以西雅章（静岡大）・星　陽一（東京工芸大）
(13)	11:55-12:20	MOVPE法による大面積CdTeX線・γ線画像検出器に関する研究～ Si基板上の厚膜CdTe層高品質化の検討～ ED2010-29 CPM2010-19 SDM2010-29	○後藤達彦・江川　鍛・小川博久・土用下尚外・福田浩幸・犬塚博章・舘　忠裕・藤村直也・安形保則・ニラウラマダン・安田和人（名工大）
5月14日(金) 午後 13:30 - 14:45
(14)	13:30-13:55	インテリジェントUVセンサのためのGaN系フォトダイオードと電荷転送型Si信号処理回路の一体化 ED2010-30 CPM2010-20 SDM2010-30	○李　昌勇・松野文弥・橋元芳昇・岡田　浩・若原昭浩（豊橋技科大）
(15)	13:55-14:20	MOVPE法により成長させたシリコン基板上GaPの成長初期表面 ED2010-31 CPM2010-21 SDM2010-31	○高野　泰・山田洋毅・見崎　龍・高木達也・福家俊郎（静岡大）
(16)	14:20-14:45	Si/III-V-N/Si構造を用いたLEDインジケータ付き1ビットカウンタ回路の製作 ED2010-32 CPM2010-22 SDM2010-32	○田中誠造・野口健太・山根啓輔・出口裕輝・古川雄三・岡田　浩・若原昭浩・米津宏雄（豊橋技科大）

講演時間
一般講演	発表 20 分＋質疑応答 5 分

問合先と今後の予定
SDM	シリコン材料・デバイス研究会（SDM） [今後の予定はこちら]
	問合先	安斎久浩(ソニー) Tel 046-201-3297 Fax046-202-6572 E-: HiAniny
ED	電子デバイス研究会（ED） [今後の予定はこちら]
	問合先	村田浩一（NTT) TEL：046-240-2871、FAX：046-270-2872 E-： aecl 原直紀（富士通研究所） TEL : 046-250-8242、FAX : 046-250-8168 E- : o 津田邦男（東芝） TEL : 044-549-2142、FAX : 044-520-1501 E- : oba 須原理彦（首都大） TEL : 042-677-2765 Fax : 042-677-2756 E- : t
CPM	電子部品・材料研究会（CPM） [今後の予定はこちら]
	問合先	野毛悟（沼津工業高等専門学校） E-: s-ge-ct 阿部克也（信州大学） E-: abens-u