11月9日(木) 午前  座長: 安斎久浩 （ソニーセミコンダクタソリューションズ） 10:00 - 12:00
(1)	10:00-11:00	［招待講演］GaN MOVPE成長のマルチフィジックスシミュレーション SDM2017-61	○白石賢二・関口一樹・長川健大・白川裕規・川上賢人・山本芳裕・洗平昌晃・岡本直也・芳松克則（名大）・寒川義裕・柿本浩一（九大）
(2)	11:00-12:00	［招待講演］SISPAD 2017 レビュー（1） SDM2017-62	○廣木　彰（京都工繊大）
	12:00-13:05	昼食　（ 65分 ）
11月9日(木) 午後  座長: 相馬聡文 （神戸大学） 13:05 - 15:30
(3)	13:05-13:30	p-LDMOSFETのホットキャリア耐性を向上させる新構造の検討 SDM2017-63	○酒井　敦・永久克己（ルネサス エレクトロニクス）・藤井宏基・森　隆弘（ルネサスセミコンダクタマニュファクチャリング）・秋山　豊・山口泰男（ルネサス エレクトロニクス）
(4)	13:30-14:30	［招待講演］SiC中の不純物拡散モデル SDM2017-64	○植松真司（慶大）
(5)	14:30-15:30	［招待講演］SiCパワーMOSFETの特性測定とモデル化 SDM2017-65	○佐藤高史・大石一輝・廣本正之（京大）・新谷道広（奈良先端大）
	15:30-15:40	休憩　（ 10分 ）
11月9日(木) 午後  座長: 國清辰也 （ルネサス エレクトロ二クス） 15:40 - 16:40
(6)	15:40-16:40	［招待講演］深いトラップを含むGaN MOSキャパシタ容量のシミュレーション SDM2017-66	○福田浩一・浅井栄大・服部淳一・清水三聡（産総研）・橋詰　保（北大）
11月10日(金)   座長: 高篠裕行 （ソニーセミコンダクタ） 10:00 - 12:00
(7)	10:00-11:00	［招待講演］SISPAD 2017 レビュー（2） SDM2017-67	○来栖貴史（東芝メモリ）
(8)	11:00-12:00	［招待講演］不純物の離散性に伴った半導体デバイスモデリングの基本的側面 ～ ランダム不純物ばらつきと自己平均化 ～ SDM2017-68	○佐野伸行（筑波大）
	12:00-13:30	昼食　（ 90分 ）
11月10日(金) 午後  座長: 野田泰史 （パナソニック） 13:30 - 15:30
(9)	13:30-14:30	［招待講演］極微細トランジスタの量子輸送シミュレーション SDM2017-69	○森　伸也・美里劫夏南（阪大）・岩田潤一・押山　淳（東大）
(10)	14:30-15:30	［招待講演］行列指数法によるデバイス過渡シミュレーションの正確な時間刻み指標 SDM2017-70	○熊代成孝・亀井達也・廣木　彰・小林和淑（京都工繊大）
	15:30-15:40	休憩　（ 10分 ）
11月10日(金) 午後  相馬聡文 （神戸大学） 15:40 - 16:40
(11)	15:40-16:40	［招待講演］トラップ電荷起因抵抗を考慮した28nm世代混載フラッシュ向けSG-MONOS SPICEモデル SDM2017-71	○黄　俐昭・宮森　充・常野克己・牟田哲也・川嶋祥之（ルネサス エレクトロニクス）

問合先と今後の予定
SDM	シリコン材料・デバイス研究会（SDM）   [今後の予定はこちら]
	問合先	黒田 理人(東北大) Tel 022-795-4833 Fax 022-795-4834 E-: e3

Last modified: 2018-02-01 21:23:47