研究会 - 電子デバイス研究会 (ED)

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電子デバイス研究会 (ED) (検索条件: 2006年度)

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講演検索結果

登録講演（開催プログラムが公開されているもの） （日付・昇順）

研究会	発表日時	開催地		タイトル・著者	抄録	資料番号
ED, CPM, SDM (共催)	2006-05-18 13:00	愛知	豊橋技術科学大学ＶＢＬ	急速アニールによる青色EL素子用SrS:Cu薄膜の結晶特性の向上 ○以西雅章・佐々木孝輔・中川大輔（静岡大）	[more]	ED2006-20 CPM2006-7 SDM2006-20 pp.1-5
ED, CPM, SDM (共催)	2006-05-18 13:25	愛知	豊橋技術科学大学ＶＢＬ	Li二次電池用Mn酸化物薄膜の作製とその評価 ○長南祐史・以西雅章・東條　靖（静岡大）	[more]	ED2006-21 CPM2006-8 SDM2006-21 pp.7-10
ED, CPM, SDM (共催)	2006-05-18 13:50	愛知	豊橋技術科学大学ＶＢＬ	Influence of Annealing Conditions on the Sensing Properties of Oxygen Gas Sensor with β-Ga2O3 Films Deposited by CSD Method for High Temperatures ○Marilena Bartic（Shizuoka Univ.）・Cristian-Ioan Baban（Al. I. Cuza Univ.）・Masaaki Isai・Masami Ogita（Shizuoka Univ.）	[more]	ED2006-22 CPM2006-9 SDM2006-22 pp.11-14
ED, CPM, SDM (共催)	2006-05-18 14:15	愛知	豊橋技術科学大学ＶＢＬ	酸化膜還元法による極薄エピタキシャルγ-Al2O3膜の作製とデバイス応用 ○岡田貴行・伊藤幹記（豊橋技科大）・澤田和明・石田　誠（豊橋技科大/JST）	[more]	ED2006-23 CPM2006-10 SDM2006-23 pp.15-20
ED, CPM, SDM (共催)	2006-05-18 14:50	愛知	豊橋技術科学大学ＶＢＬ	RPE-MOCVD法を用いた可視域Zn1-xCdxO薄膜成長 ○大橋俊哉・石原純二・中村篤志・青木　徹・天明二郎（静岡大）	[more]	ED2006-24 CPM2006-11 SDM2006-24 pp.21-26
ED, CPM, SDM (共催)	2006-05-18 15:15	愛知	豊橋技術科学大学ＶＢＬ	サファイア基板上のZnOナノドット制御 ○岡松航太・中川　聡・中村篤志・青木　徹・天明二郎（静岡大）	[more]	ED2006-25 CPM2006-12 SDM2006-25 pp.27-32
ED, CPM, SDM (共催)	2006-05-18 15:40	愛知	豊橋技術科学大学ＶＢＬ	熱分解法によるSiC基板上カーボンナノ構造制御 ○橋本佳孝・章　国強・中村篤志・田中　昭・天明二郎（静岡大）	[more]	ED2006-26 CPM2006-13 SDM2006-26 pp.33-37
ED, CPM, SDM (共催)	2006-05-18 16:05	愛知	豊橋技術科学大学ＶＢＬ	金属EDTA錯体を用いたGaN系青色発光材料の合成 ○小出晋也・中村和哉・劉　玉懐・三宅秀人・平松和政（三重大）・中村　淳・南部信義（中部キレスト）	[more]	ED2006-27 CPM2006-14 SDM2006-27 pp.39-44
ED, CPM, SDM (共催)	2006-05-18 16:30	愛知	豊橋技術科学大学ＶＢＬ	Si基板の微細加工による赤外域フォトニック構造の作製と評価 ○石井丈晴・松岡史晃・三宅秀人・平松和政（三重大）	[more]	ED2006-28 CPM2006-15 SDM2006-28 pp.45-50
ED, CPM, SDM (共催)	2006-05-19 09:00	愛知	豊橋技術科学大学ＶＢＬ	m面SiC基板上に成長したⅢ族窒化物半導体薄膜の微細構造観察 ○永井哲也・川島毅士・仲野靖孝・井村将隆・岩谷素顕・上山　智・天野　浩・赤崎　勇（名城大）	[more]	ED2006-29 CPM2006-16 SDM2006-29 pp.51-54
ED, CPM, SDM (共催)	2006-05-19 09:25	愛知	豊橋技術科学大学ＶＢＬ	Si-GaN OEICをめざしたGaNヘテロエピタキシーに関する研究 ○河野達也・畠中　奨・伊藤幹記・若原昭浩・岡田　浩・石田　誠（豊橋技科大）	本研究では、集積回路作製時の熱処理に耐えうるGaNを光デバイス層として用いることで、一連のプロセスにおいて電子・光の両デ... [more]	ED2006-30 CPM2006-17 SDM2006-30 pp.55-60
ED, CPM, SDM (共催)	2006-05-19 09:50	愛知	豊橋技術科学大学ＶＢＬ	Siに格子整合可能なGaPNの電気的特性 ○若原昭浩・古川雄三・佐藤　淳・島田英里・箕原大介・米津宏雄（豊橋技科大）	[more]	ED2006-31 CPM2006-18 SDM2006-31 pp.61-65
ED, CPM, SDM (共催)	2006-05-19 10:15	愛知	豊橋技術科学大学ＶＢＬ	Si/III-V-N光電子集積回路に向けたInGaPN/GaPN量子井戸構造 ○梅野和行・金　聖晩・古川雄三・米津宏雄・若原昭浩（豊橋技科大）	SiとIII-V-N混晶を用いた光電子集積回路における発光素子への応用を目的とし，直接遷移型InGaPN/GaPN量子井... [more]	ED2006-32 CPM2006-19 SDM2006-32 pp.67-72
ED, CPM, SDM (共催)	2006-05-19 10:50	愛知	豊橋技術科学大学ＶＢＬ	Si/III-V-N光電子集積回路に向けたMOSFETおよびLEDの作製 ○太田成人・森崎祐二・文　秀榮・石地正義・古川雄三・米津宏雄・若原昭浩（豊橋技科大）	Si基板上のモノリシック型光電子集積回路(Optoelectronic Integrated Circuits：OEIC... [more]	ED2006-33 CPM2006-20 SDM2006-33 pp.73-78
ED, CPM, SDM (共催)	2006-05-19 11:15	愛知	豊橋技術科学大学ＶＢＬ	GaAs/GaAsP歪み超格子偏極電子源の結晶性改善による高性能化 ○宇治原　徹・陳　博・安井健一・酒井良介・山本将博・中西　彊・竹田美和（名大）	[more]	ED2006-34 CPM2006-21 SDM2006-34 pp.79-84
ED, CPM, SDM (共催)	2006-05-19 11:40	愛知	豊橋技術科学大学ＶＢＬ	非晶質Asマスクを用いたInの部分拡散によるGaInAs/GaAs構造の選択形成 ○則竹陽介・山田　巧・田渕雅夫・竹田美和（名大）	本研究では非晶質Asマスクを用いて化合物半導体におけるヘテロ／量子構造デバイスの作製・集積を可能にする新しい真空一貫形成... [more]	ED2006-35 CPM2006-22 SDM2006-35 pp.85-90
ED, CPM, SDM (共催)	2006-05-19 13:10	愛知	豊橋技術科学大学ＶＢＬ	Al薄膜を用いた表面プロセスによるAlGaNショットキー界面のリーク電流制御 ○小谷淳二・金子昌充・橋詰　保（北大）	[more]	ED2006-36 CPM2006-23 SDM2006-36 pp.91-94
ED, CPM, SDM (共催)	2006-05-19 13:35	愛知	豊橋技術科学大学ＶＢＬ	n型ダイヤモンドショットキーダイオードおよび金属/ダイヤモンド界面の電気的特性 ○鈴木真理子（東芝）・小泉　聡（物質・材料研究機構）・片桐雅之（筑波大）・小野富男・佐久間尚志・吉田博昭・酒井忠司（東芝）	[more]	ED2006-37 CPM2006-24 SDM2006-37 pp.95-100
ED, CPM, SDM (共催)	2006-05-19 14:00	愛知	豊橋技術科学大学ＶＢＬ	過剰キャリア減衰曲線に現れる遅い成分の温度依存性からのトラップパラメータの導出 ○市村正也（名工大）	光導電減衰法によるキャリアライフタイム測定では、過剰キャリア密度減衰曲線の後半部分に遅い成分が顕著に表れることがある。こ... [more]	ED2006-38 CPM2006-25 SDM2006-38 pp.101-106
ED, CPM, SDM (共催)	2006-05-19 14:35	愛知	豊橋技術科学大学ＶＢＬ	Light irradiation effect on single-hole-tunneling current of an SOI-FET ○ザイナルブルハヌディン・ラトノヌルヤディ・田部道晴（静岡大）	[more]	ED2006-39 CPM2006-26 SDM2006-39 pp.107-111

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